中國和沙特阿拉伯的研究人員首次展示了氮極隧道結（TJ）氮化銦鎵（InGaN）發光二極管（LED），研究人員稱，以前已經報道了具有良好性能的N極隧道結，但是目前僅獲得了III極III型氮化物TJ-LED。 研究團隊使用極化摻雜的氮化鋁鎵（AlGaN）來提高TJ的性能，產生更高的空穴濃度，并增加了從電極散布的橫向電流。這項工作中的...
近來，二維（ 2D ）半導體作為一種新型材料正在引起人們的關注，其大小與一個原子的厚度相當。理論上來說， 2D材料在電子和光電子工業以及物聯網設備中有著光明的應用前景。任何手機、電腦、電子設備，甚至太陽能電池，都是由相同的基本電子元件，即二極管組成的。二極管的核心基礎p － n結的納米制備一直是個未解決的挑...
新華社北京報道，日前國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》（以下簡稱《若干政策》）。《若干政策》強調，集成電路產業和軟件產業是信息產業的核心，是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量。國務院印發《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》《進一步鼓勵軟件產業和集成電路...
首個晶圓級單片實現的常關、增強型（E型）共源共柵場效應晶體管（FET）在中國西安電子科技大學研制成功，該場效應晶體管由硅（Si）和氮化鎵（GaN）組件組成，這些組件通過低成本轉移印刷和自對準蝕刻工藝組裝而成。研究人員希望他們的技術能實現大規模的集成，將硅、氮化鎵和其他材料結合在一起的器件和電路的功能多樣化...
中國本科生首次帶著自己設計的處理器芯片畢業— —中國科學院大學25日公布首期“一生一芯”計劃成果：在國內首次以流片為目標，由五位本科生主導完成一款64位RISC-V處理器SoC芯片設計并實現流片。芯片能成功運行Linux操作系統以及學生自己編寫的中國科學院大學教學操作系統UCAS-Core 。該校還將充分發揮科教融合優勢，培...
日本三菱電機公司（Mitsubishi Electric Corp）開發了新技術，以實現用于5G基站的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）模塊，該模塊具有6mm x 10mm的緊湊尺寸和 43％的超高功率效率（在3.4-3.8GHz的5G頻率范圍內）。該模塊在匹配電路中使用最少的芯片來控制高質量的信號輸出，可以幫助實現可廣泛部署且具有高能效的5G基站。新...
美國加州大學圣塔芭芭拉分校（UCSB）發布了具有通過金屬有機化學氣相沉積法生長的具有外延隧道結（TJ）的氮化鎵（GaN）基微型發光二極管（μLED）的最低正向電壓（MOCVD）。該電壓僅略高于使用銦錫氧化物（ITO）透明導電電極的電壓。UCSB團隊使用選擇性區域生長（SAG）技術來創建帶有穿孔的隧道結層。TJ中的穿孔孔用于在...
為進一步增強成都高新區集成電路產業的核心競爭力，推動集成電路產業轉型升級，實現產業高質量發展，近日，成都高新區正式印發《成都高新技術產業開發區關于支持集成電路設計產業發展的若干政策》 （以下簡稱“ 《政策》 ” ） 。對新引進項目或存量企業增資項目的集成電路設計業務收入首次達到1億元、 3億元、 5億元、 ...
RENA Technologies推出Inception單晶圓平臺，將其從濕法處理平臺產品組合中擴展出來，該平臺在研發到生產過程中起過渡作用，并能夠處理所有半導體濕法工藝，例如清潔、蝕刻、剝離并干燥。RENA Technologies NA的首席執行官Ed Jean說： “如果您只有一把錘子，那么一切就像釘子一樣。通過將Inception單晶圓工具添加到RENA...
近年來，鈣鈦礦太陽能電池在柔性可穿戴電子設備等方面具有獨特的優勢和巨大的應用潛力。然而，鈣鈦礦卻是塊“硬骨頭” ，其易脆性、結晶性等特點影響著其“柔性”應用的進一步發展和商業化拓展。除了穩定性，宋延林認為，現階段，基于高質量鈣鈦礦薄膜的大面積印刷工藝尚不成熟，需要對鈣鈦礦薄膜制備過程中的形核結晶過...
研究人員一直在尋求方法來改善藍寶石上氮化鋁（AlN）的生長質量，以期將其應用于電子產品。除了電擊穿之前的高臨界場外，AlN的高導熱性能夠改善集成電路的熱管理，高臨界場可實現更快、更節能和更緊湊的功率開關器件。為了利用超寬帶隙AlN的增強臨界電場特性，減少因晶體缺陷引起的潛在泄漏至關重要。目前，AlN模板的質...
亞10nm的結構在集成電路、光子芯片、微納傳感、光電芯片、納米器件等技術領域有著巨大的應用需求（圖1），這對微納加工的效率和精度提出了許多新的挑戰。激光直寫作為一種高性價比的光刻技術，可利用連續或脈沖激光在非真空的條件下實現無掩模快速刻寫，大大降低了器件制造成本，是一種有競爭力的加工技術。然而，長期...
在歐盟COSMICC項目支持下，法國微納米技術研發中心CEA-Leti展示了一種完全封裝的粗波分復用（ CWDM ）硅光子收發器模塊，每根光纖的數據傳輸速率為100Gb/s ，光電芯片上還集成有一個低功耗電芯片。基于硅光子學的收發器以50Gb / s的速率復用兩個波長，旨在滿足不斷增長的數據通信需求以及數據中心和超級計算機的能耗。該...
北京大學已采用深紫外（ DUV ，波長小于300nm ）發光的自組裝側壁量子阱（ SQW ）結構來改善基于氮化鋁鎵（ AlGaN ）化合物半導體合金的二極管的光輸出功率性能。C面藍寶石襯底上進行多量子阱( MQW )材料生長過程中的聚集效應。北京研究人員認為他們的SQW方法是一種潛在的“顛覆性框架” ，另外， SQW結構會產生載流子局...
更快、更密集的數據存儲革命即將來臨了嗎？據英國《自然·物理學》雜志近日發表的一項研究，一個美國聯合研究團隊利用層狀二碲化鎢制成了二維（ 2D ）金屬芯片，其厚度僅三個原子！在更節能的同時，儲存速度提高了100倍之多，為開發下一代數據存儲材料奠定了基礎。在這次的新研究中，美國斯坦福大學、加州大學伯克利分校...
臺灣國立交通大學已使用氮化鎵中間層（ IL ）來改善低成本硅上氮化銦鋁鎵（ InAlGaN ）阻擋層高電子遷移率晶體管（ HEMT ）的性能。研究提示IL的增長時間過長會導致InAlGaN勢壘的表面退化，適合進行“階梯流”生長，從而使表面更光滑，降低了樣品深處的界面粗糙度。由于界面粗糙度的改善,合金和界面粗糙度的散射得到了有...
皮拉尼（ Pirani ）真空計是基于熱傳導原理的真空計，基于傳統熱阻的皮拉尼真空技術在國際上已較為成熟，并有典型的真空傳感器產品。為了實現寬范圍量程的真空計量，往往需要通過組合多個真空計來實現。但由于傳統的真空計體積較大，而真空組合模塊的體積又進一步限制了其應用。中科院微電子所先導中心在微型MEMS皮拉尼...
近日，微電子所集成電路先導工藝研發中心陳大鵬研究員課題組與中北大學熊繼軍教授課題組合作在表面增強拉曼（ SERS ）生化檢測研究領域取得了階段性進展。課題組提出了一種基于納米森林的超疏水高粘附基底用于分子的雙重富集，所制備的3D結構的金/銀納米雜化結構能很好地將待測物分子限制在“熱點”處，從而成功實現分子...
量子糾纏是量子計算的核心資源，量子計算的能力將隨糾纏比特數目的增長呈指數增長。因此，高品質糾纏粒子對的同步制備是實現大規模糾纏態的首要條件。但是，受限于糾纏對的品質和量子邏輯門的操控精度，目前人們所能制備的最大糾纏態距離實用化的量子計算和模擬所需的糾纏比特數和保真度還有很大差距。光晶格超冷原子比...
近些年來，中國大力發展的大數據、云計算、人工智能、量子技術以及諸多大科學裝置是依賴于信息的快速獲取、高速處理和高效傳輸，實現這一切的基礎則是需要有性能更為強大的元器件作為保障。為此，人們一直通過不斷提高提高微電子芯片的集成度來解決相關問題，目前， ASML EUV光刻系統可實現7 nm節點甚至更小尺度的晶體管...
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