中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授王亞等與浙江大學(xué)海洋精準(zhǔn)感知技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作,首次實(shí)現(xiàn)噪聲環(huán)境下糾纏增強(qiáng)的納米尺度單自旋探測(cè)。相關(guān)研究成果日前在線發(fā)表于國(guó)際期刊《自然》。自旋是電子的一個(gè)基本屬性。探測(cè)單個(gè)自旋,不僅能為理解物性提供全新視角,更可以為發(fā)展單分子磁探測(cè)技術(shù)和推進(jìn)量子科技奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。然而,由于...
近日,美國(guó)電子電氣工程師學(xué)會(huì)(Institute of Electrical and Electronic Engineers,IEEE)公布了2026年度IEEE會(huì)士(Fellow)名單。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所葉甜春研究員因?qū)ο冗M(jìn)器件科學(xué)與技術(shù)所做的貢獻(xiàn)及其在中國(guó)的社會(huì)影響而入選。葉甜春是我國(guó)集成電路(IC)工藝與器件領(lǐng)域主要學(xué)術(shù)帶頭人之一。曾任中國(guó)科學(xué)院微電子研究所...
隨著移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)等大功率應(yīng)用環(huán)境的快速發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)已成為高頻、高功率及惡劣環(huán)境下的核心器件之一。但器件功率密度和工作電壓得不斷攀升,器件自熱問題日益突出,傳統(tǒng)單晶Si或SiC襯底在散熱能力方面愈發(fā)難以滿足需求。利用高熱導(dǎo)率金剛石構(gòu)建高效散熱襯底,被認(rèn)為是解決GaN器件自熱...
美國(guó)普渡大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了單光子層面精準(zhǔn)控制光束，并以此研發(fā)出一種能在單光子強(qiáng)度下工作的“光子晶體管”，這是實(shí)現(xiàn)光基技術(shù)全部潛力的關(guān)鍵一步，可為光子芯片研發(fā)與量子計(jì)算研究鋪平道路。相關(guān)成果發(fā)表在最新一期《自然-納米技術(shù)》期刊上。 從光纖通信到量子傳感器，光子技術(shù)支撐著數(shù)字世界的運(yùn)行。而隨著對(duì)更快、...
2025年11月24日上午,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所召開新一屆行政領(lǐng)導(dǎo)班子宣布會(huì)議。中國(guó)科學(xué)院人事局局長(zhǎng)房自正、副局長(zhǎng)蔡宏志、領(lǐng)導(dǎo)干部二處處長(zhǎng)宋琦出席會(huì)議。微電子所領(lǐng)導(dǎo)班子成員、黨委委員、紀(jì)委委員、科研和管理骨干等70余人參加會(huì)議。會(huì)議由房自正主持。房自正宣讀了《中共中國(guó)科學(xué)院黨組關(guān)于戴博偉等同志任職的通知》...
提高量子電阻芯片中霍爾器件的集成密度,是實(shí)現(xiàn)量子電阻多量值的關(guān)鍵。然而,霍爾器件尺寸微縮是否影響石墨烯基量子電阻性能,成為該領(lǐng)域亟待研究的科學(xué)問題之一。針對(duì)上述問題,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究團(tuán)隊(duì),在同一石墨烯單晶襯底上,制備出具有不同溝道寬度的霍爾器件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,寬度減小導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)完全...
金剛石具有的優(yōu)異的導(dǎo)熱和絕緣等性能,成為新一代大功率芯片和器件散熱的關(guān)鍵材料。將芯片直接與金剛石鍵合來降低結(jié)溫,被視為高性能芯片及3D封裝的理想熱管理方案。通常,金剛石薄膜合成是以Si作為基板材料,合成后通過化學(xué)刻蝕去除Si基板進(jìn)而得到金剛石“自支撐”薄膜。此前,中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所研發(fā)團(tuán)隊(duì),...
為了破解困擾材料學(xué)界多年的“尺寸軟化”難題,中國(guó)科學(xué)院金屬研究所研究團(tuán)隊(duì)與遼寧材料實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)合作,提出并實(shí)現(xiàn)了“納米負(fù)能界面”強(qiáng)化新策略,在鎳基合金中成功構(gòu)筑極高密度穩(wěn)定界面,顯著提升材料剛度,使材料強(qiáng)度逼近理論極限。相關(guān)研究成果近日發(fā)表于《科學(xué)》。金屬是由無數(shù)個(gè)微小的像冰糖塊一樣的晶粒組成的,晶...
記者11月10日從中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,該校超材料研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性提出了一種電熱晶格超材料,并首次通過單一結(jié)構(gòu)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)對(duì)電場(chǎng)和熱場(chǎng)的協(xié)同與獨(dú)立編程調(diào)控,破解了多物理場(chǎng)耦合調(diào)控的核心難題。相關(guān)研究成果日前發(fā)表于國(guó)際期刊《先進(jìn)材料》。在智能能源管理、高性能電子器件等眾多高端技術(shù)領(lǐng)域,往往需要同時(shí)對(duì)電場(chǎng)和熱場(chǎng)進(jìn)...
中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員張加祥、歐欣團(tuán)隊(duì)與中山大學(xué)教授劉進(jìn)團(tuán)隊(duì)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授霍永恒團(tuán)隊(duì)合作,首次在混合集成光量子芯片上實(shí)現(xiàn)了空間上分離的量子點(diǎn)單光子源之間的片上量子干涉互聯(lián),為構(gòu)建可擴(kuò)展的片上量子網(wǎng)絡(luò)奠定了重要基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果近日發(fā)表于《自然-材料》。與傳統(tǒng)微電子芯片發(fā)展...
激子是半導(dǎo)體中最基本的準(zhǔn)粒子之一,是發(fā)展高效率光電器件和量子技術(shù)的核心。在傳統(tǒng)三維半導(dǎo)體中,激子束縛能通常較弱,極大地限制了其在室溫激子器件及量子科技應(yīng)用中的發(fā)展。β-ZnTe(en)0.5是一種長(zhǎng)程有序且穩(wěn)定的三維有機(jī)—無機(jī)雜化半導(dǎo)體,該材料可能具有巨大的激子束縛能。最近,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員譚平恒團(tuán)隊(duì)...
二維半導(dǎo)體被視為未來集成電路的關(guān)鍵溝道材料。然而,具有可控層數(shù)和轉(zhuǎn)角的高質(zhì)量、晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)的制備卻頗具挑戰(zhàn)性。近日,中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心張廣宇研究團(tuán)隊(duì)等,開發(fā)出直接晶圓鍵合及解鍵合方法,制備出高質(zhì)量、晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體疊層。該方法可在真空或手套箱中進(jìn)行,無需轉(zhuǎn)移介...
在量子力學(xué)誕生百年之際，瑞典皇家科學(xué)院7日宣布，將2025年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予約翰·克拉克、米歇爾·H·德沃雷和約翰·M·馬蒂尼斯三名量子物理學(xué)家，以表彰他們?cè)陔娐分袑?shí)現(xiàn)宏觀量子力學(xué)隧穿效應(yīng)和能量量子化方面的貢獻(xiàn)。瑞典皇家科學(xué)院常任秘書漢斯·埃勒格倫當(dāng)天在皇家科學(xué)院會(huì)議廳公布了獲獎(jiǎng)?wù)呙麊渭爸饕删汀ＶZ貝...
9月14日,中國(guó)科學(xué)院召開搶占科技制高點(diǎn)重大科技任務(wù)2025年度第三次工作推進(jìn)會(huì)。中國(guó)科學(xué)院院長(zhǎng)、黨組書記侯建國(guó)出席會(huì)議并講話,副院長(zhǎng)、黨組副書記吳朝暉主持會(huì)議,院領(lǐng)導(dǎo)班子其他成員出席會(huì)議。會(huì)上,發(fā)展規(guī)劃局報(bào)告了重大科技任務(wù)監(jiān)督檢查情況,監(jiān)督與審計(jì)局通報(bào)了在線審計(jì)發(fā)現(xiàn)問題,各重大科技任務(wù)負(fù)責(zé)人報(bào)告了2025年度重...
9月18日下午,首都產(chǎn)業(yè)一線科技人才走進(jìn)高校系列宣講啟動(dòng)。這次系列宣講,由21位市級(jí)領(lǐng)導(dǎo)同志和12個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的36位科技人才,走進(jìn)大學(xué)、走上講堂,講形勢(shì)任務(wù)、講發(fā)展成就、講奮斗貢獻(xiàn)。市委書記尹力來到中國(guó)科學(xué)院大學(xué)雁棲湖校區(qū)出席啟動(dòng)儀式暨首場(chǎng)宣講。他強(qiáng)調(diào),要深入貫徹落實(shí)習(xí)近平總書記對(duì)北京重要講話精神,充分發(fā)揮首都...
邊緣人工智能系統(tǒng)因其密集的計(jì)算需求,對(duì)高質(zhì)量的隨機(jī)熵源有著較高要求。傳統(tǒng)熵源會(huì)隨溫度變化以及頻率增加而衰減。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路制造技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在研究中發(fā)現(xiàn),鐵電二極管(Fe-diode)的噪聲特性完美契合具有高頻和劇烈溫度變化的邊緣系統(tǒng)。團(tuán)隊(duì)從器件物理層面通過調(diào)控阻態(tài)以及讀取電壓穩(wěn)...
POSIT是一種新興的浮點(diǎn)數(shù)格式,可更加高效地在不同數(shù)值范圍內(nèi)分配精度。其接近0值的數(shù)據(jù)可獲得更高的計(jì)算精度,而對(duì)于極大或極小的數(shù)據(jù)值可適當(dāng)舍棄一些精度以換取更大的數(shù)據(jù)表示范圍。這種動(dòng)態(tài)精度分配的特性非常適合AI算法,在相同數(shù)據(jù)位寬下(如POSIT8相比INT8)能實(shí)現(xiàn)更好的算法性能。此前,研究者針對(duì)POSIT的特殊格式設(shè)計(jì)...
根據(jù)國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖(IRDS2023),在集成電路邏輯技術(shù)領(lǐng)域,互補(bǔ)場(chǎng)效晶體管(CFET)是繼FinFET和水平GAA之后的下一代晶體管架構(gòu)。CFET技術(shù)通過將NMOS與PMOS器件垂直堆疊,改變傳統(tǒng)平面工藝或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的集成密度和更佳的性能。近日,微電子所基于自主研發(fā)的垂直溝道技術(shù),提出和研制...
隨著人工智能與大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)電子技術(shù)正日益逼近其性能極限。當(dāng)芯片上集成的元器件越來越多、越來越密時(shí),其總功耗和發(fā)熱量會(huì)急劇上升,而當(dāng)元器件密度太高,散熱跟不上時(shí),就無法再通過增加元器件來提升性能,仿佛撞上了一堵由功耗和熱量組成的無形之墻——“功耗墻”。如今,“功耗墻”已成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸...
8月20日,中國(guó)科學(xué)院召開2025年夏季黨組擴(kuò)大會(huì)議精神傳達(dá)會(huì)。中國(guó)科學(xué)院院長(zhǎng)、黨組書記侯建國(guó)代表院黨組作傳達(dá)講話,并就全院貫徹落實(shí)工作作出部署。中國(guó)科學(xué)院副院長(zhǎng)、黨組副書記吳朝暉主持會(huì)議。院領(lǐng)導(dǎo)班子成員、部分院老領(lǐng)導(dǎo)出席會(huì)議。侯建國(guó)指出,2025年夏季黨組擴(kuò)大會(huì)議是在“十四五”即將收官、“十五五”謀篇布局,全...
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