近日，中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心羅軍研究員課題組在先進Co互連阻擋層研究領域取得了階段性進展。目前， W和Cu被廣泛應用于互連線中，但隨著互連線的線寬不斷減小，電子表面散射與晶界散射會使得互連線電阻率受尺寸效應影響迅速增大。針對先進Co互連，課題組采用Co 、 Ti靶材共濺射方法制備了非晶CoTi...
中國科學院大連化學物理研究所(以下簡稱“大連化物所” ) 11日發(fā)布消息稱，該所研究員李先鋒、張華民領導的科研團隊近日成功研發(fā)出新一代低成本、高功率全釩液流電池電堆。而相對于傳統全釩液流電池電堆，新一代電堆采用的可焊接多孔離子傳導膜可以提升離子選擇性，提高電解液的容量保持率，此外，多孔離子傳導膜的成本...
6月9日，北京發(fā)布《關于加快培育壯大新業(yè)態(tài)新模式促進北京經濟高質量發(fā)展的若干意見》以及五個行動方案，其中包括《北京市加快新型基礎設施建設行動方案（ 2020-2022年） 》 （以下簡稱《新型基礎設施建設行動方案》 ） 。《新型基礎設施建設行動方案》明確，到2022年，北京基本建成具備網絡基礎穩(wěn)固、數據智能融合、產...
美國和中國的研究人員已經在硅襯底上的互補逆變器電路中集成了氮化鎵n和p溝道場效應晶體管（FET）。該制造避免了可能增加生產成本的復雜的再生步驟，該電路使用增強模式（常關）器件，從而降低了功耗。研究人員認為，單片集成是通過減小驅動器電路和柵極之間的寄生電感來提高功率器件開關速度的關鍵方法。任何互補邏輯技...
當前，鋰離子電池因其優(yōu)異的性能，已經在純電動汽車、混合動力汽車以及儲能等領域廣泛應用。李泓向《中國科學報》介紹說，目前商業(yè)化的鋰離子電池主要是以石墨為負極材料，他的目標則是“硅碳”。為什么選擇硅碳作為負極材料？李泓解釋道，硅材料的質量比容量最高可達4200mAh/g，遠大于石墨的372mAh/g，是目前已知能用于...
中科院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心馬秀良研究團隊在氧化物鐵電材料中發(fā)現半子( Meron ，音譯為“麥紉” )拓撲疇以及周期性半子晶格。這一發(fā)現是繼通量全閉合之后，該研究團隊在有關鐵電材料拓撲疇結構方面的又一項新突破，這為與鐵磁材料類比的結構特性再添新的實質性內容，也為探索基于鐵電材料的高密度信息存...
在全球經濟衰退背景下，科技的滲透性、引領性、擴散性、顛覆性等特征，正在對全球產業(yè)鏈和治理體系產生深刻影響。新一輪科技革命和產業(yè)變革成為引發(fā)國際格局和治理體系調整的核心驅動力，科技創(chuàng)新治理的重要性不斷提升。部門和地方要切實結合部門、地方實際，從“治理”視角來推進政府職能轉變，明確職責分工，優(yōu)化“四...
荷蘭ASML公司是全球唯一的EUV光刻機供應商， 7nm及以下的工藝生產都要靠他們的設備。ASML研發(fā)的這個HMI eScan1000機器就是一臺驗證先進工藝生產出來的晶圓質量的系統，工藝越先進，檢測系統就越重要，它的檢測精度、吞吐量決定了生產的效率。ASML的HMI eScan1000的突破之處在于能夠同時產生、控制九道電子束，所以產能提...
摩爾定律推動了持續(xù)50年的集成電路的發(fā)展，然而，時至今日，由于物理極限的限制，晶體管的進一步微縮已經舉步維艱。為了進一步增加集成電路性價比，一些基于新原理、新材料、新工藝的晶體管不斷被提出，其中負電容場效應晶體管是近年來被廣泛研究的對象之一。負電容晶體管可以克服“玻爾茲曼熱限制” ，即在室溫下突破亞...
近日，中科院微電子所先導中心在美國電化學會《固態(tài)科學與技術雜志》發(fā)表了文章： Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex （ DOI ： 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ） 。文章系統介紹了一種全新的集成電路刻蝕技術：各向同性和硅選擇性的鍺硅準原子層刻蝕技術（ quasi - Atomic...
5月26日，珠海市舉行重點產業(yè)項目集中簽約儀式，涉及32個項目，總投資額567億元。以下是此次簽約的部分項目：中青北斗Sip芯片封裝及集成電路設計、封裝智能制造產業(yè)項目，擬投資50億元建設sip系統級封裝項目基地，將先進的北斗信息技術融入現實5G物聯網時代。該項目打造高端汽車零部件智能制造基地項目，提供汽車零部件...
近日，中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心羅軍研究員課題組在STT-MRAM器件與集成技術研究領域取得了階段性進展。課題組聯合北航趙巍勝教授團隊以及江蘇魯汶儀器有限公司，基于8 吋 CMOS先導工藝研發(fā)線，自主研發(fā)原子層級磁性薄膜沉積、深紫外曝光、原子層級隧道結刻蝕以及金屬互連等關鍵工藝模塊，在國內首次實...
在諸多新型半導體材料中，半導體碳納米管是構建高性能互補金屬氧化物半導體（CMOS）器件的理想溝道材料。已公開的理論計算和實驗結果均表明，碳管CMOS晶體管采用平面結構即可縮減到5納米柵長，且較同等柵長的硅基CMOS器件具有10倍的本征性能—功耗綜合優(yōu)勢。碳納米管集成電路批量化制備的前提是超高半導體純度、順排、高...
近期，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心在新型二維材料器件面向未來集成電路集成應用研發(fā)中取得重要進展，結合硅基FinFET工藝成功研制出10nm超短物理柵長二硫化鉬晶體管，實現電流開關比達到107 。二維半導體材料具有原子級的厚度，被用作晶體管的溝道材料時，可提高柵電極控制溝道中載流子傳輸的能力，...
中科院微電子所楊妍副研究員與武漢大學鄭國興教授課題組, 武漢郵電科學研究院有限公司等合作在硅基超表面領域取得重要研究進展。他(她)們提出了一種助于空間頻率復用的技術，在一個硅基超表面上重疊的空間區(qū)域上，利用空頻信息不同、同時記錄兩幅完全不同的光學圖像，并可用數字濾波器進行高效的分離。該方案為超表面信...
美國和中國的研究人員合作開發(fā)了具有低暗電流和高增益的。硅基單片砷化銦( InAs )量子點( QD )雪崩光電二極管( APD )結構。當考慮到高達323K （ 50 ° C ）的高增益和低暗電流性能時，這些APD在超級計算機和數據中心內的節(jié)能互連中具有巨大的應用潛力。研究人員指出， 33nA暗電流值比Si / Ge APD ， Si上的InGaAs / InAl...
近期，中國科學院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室在Ⅳ族GeSn納米線生長制備及其光電探測應用中取得進展，相關工作以Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector為題發(fā)表在Nano Letters期刊上( Nano Lett . 2020 .由于GeSn具有較窄的禁帶寬度，因此基于GeSn/Ge...
近日，中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心王文武/李永亮課題組在鍺硅高遷移率溝道器件技術與集成工藝研究領域取得了階段性進展。課題組提出了一種在三層應變緩沖層（ SRB ）上外延鍺硅材料的技術，并通過鍺硅鰭（ Fin ）刻蝕、新的淺槽隔離（ STI ）工藝等關鍵模塊研發(fā)，成功實現了50%鍺硅Fin的導入集成，為鍺...
近日，中國科學院深圳先進技術研究院唐永炳團隊，研發(fā)出了一種基于不溶性有機負極材料的鎂基雙離子電池。相關成果發(fā)表于《能源存儲材料》 。該項目有望為發(fā)展新型鎂離子電池電極材料及器件提供新的思路。另一方面，不同于鋰離子可以輕松地在正負極材料之間快速運輸，鎂離子由于帶電荷較多，進入脫出正極材料結構的速度慢...
在新型量子材料中，具有特殊能帶結構的拓撲材料也兼具新奇電子輸運特性。近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心國際功能材料量子設計中心和物理系中科院強耦合量子材料物理重點實驗室教授曾長淦研究組與王征飛研究組實驗與理論合作，首次在單元素半導體碲中發(fā)現了由外爾費米子主導的手性反常現象以及以...
京公網安備110402500036號
© 中國科學院微電子研究所 版權所有
地址:北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 郵編:100029
郵箱:icac@ime.ac.cn
綜合新聞