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高熵鐵電多層陶瓷電容器研究取得進展更多>>

高性能介質(zhì)電容器在現(xiàn)代脈沖功率器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而,能量存儲能力低是脈沖器件小型化與集成化趨勢面臨的主要障礙之一,現(xiàn)有基于鈣鈦礦基材料體系的多層陶瓷電容器,面臨材料設(shè)計和器件性能提升的瓶頸。針對上述問題,中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所研究團隊等,提出了基于四方鎢青銅(TTB,通式A12A24C4B10O30)結(jié)構(gòu)多位點高熵設(shè)計的儲能增強策略,實現(xiàn)了四方鎢青銅高熵電容器優(yōu)異的儲能性能。原子尺度結(jié)構(gòu)分析表明,A位等摩爾比的多位點高熵設(shè)計打破了TTB陶瓷固有的A1/A2位點選擇性,且A位的組分無序誘導(dǎo)了TTB結(jié)構(gòu)的NbO6八面體畸變。其中,Nb1原子優(yōu)先沿極性c軸... 詳細 >>
【科技日報】我科學(xué)家實現(xiàn)糾纏增強納米尺度單自旋量子傳感更多>>

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授王亞等與浙江大學(xué)海洋精準(zhǔn)感知技術(shù)全國重點實驗室合作,首次實現(xiàn)噪聲環(huán)境下糾纏增強的納米尺度單自旋探測。相關(guān)研究成果日前在線發(fā)表于國際期刊《自然》。自旋是電子的一個基本屬性。探測單個自旋,不僅能為理解物性提供全新視角,更可以為發(fā)展單分子磁探測技術(shù)和推進量子科技奠定堅實基礎(chǔ)。然而,由于物質(zhì)中含有大量自旋,對單個自旋的探測相當(dāng)于在喧鬧的體育場中清晰捕捉某個人的竊竊私語,對探測技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。因具備納米級的分辨能力和高靈敏的磁探測能力,金剛石氮—空位色心量子傳感器一直是實現(xiàn)單自旋探測的重要技術(shù)途徑。... 詳細 >>
可逆形狀記憶二維共價有機框架材料研究取得進展更多>>

二維共價有機框架（2D COF）材料是一類獨特的有機晶體材料，兼具弱層間相互作用與規(guī)整的一維納米孔道結(jié)構(gòu)。由于其層間堆疊相可逆，可實現(xiàn)孔徑可調(diào)，在納米電子學(xué)、納米反應(yīng)器、智能響應(yīng)系統(tǒng)、氣體分離與存儲等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。然而，層間近AA堆疊是大多數(shù)2D COF在熱力學(xué)上最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，打破其熱力學(xué)限制，從而實現(xiàn)可逆層間堆疊仍具挑戰(zhàn)。近日，中國科學(xué)院化學(xué)研究所團隊，針對高質(zhì)量、大面積2D COF薄膜難以可控制備的難題，通過襯底誘導(dǎo)分子取向及建立擴散限制的2D COF生長模型，在實驗與理論模擬協(xié)同下，實現(xiàn)了厚度可控、高晶體取向的晶圓級2D COF薄膜... 詳細 >>
微電子所在基于4H-SiC/Diamond復(fù)合襯底GaN HEMT異質(zhì)集成方面取得重要進展更多>>

隨著移動通信、衛(wèi)星通信、雷達等大功率應(yīng)用環(huán)境的快速發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)已成為高頻、高功率及惡劣環(huán)境下的核心器件之一。但器件功率密度和工作電壓得不斷攀升,器件自熱問題日益突出,傳統(tǒng)單晶Si或SiC襯底在散熱能力方面愈發(fā)難以滿足需求。利用高熱導(dǎo)率金剛石構(gòu)建高效散熱襯底,被認為是解決GaN器件自熱、提升可靠性和功率性能的理想路徑。近日,微電子所劉新宇研究員團隊與青禾晶元公司、南京電子器件研究所等單位團隊合作,基于4H-SiC/Diamond復(fù)合襯底成功實現(xiàn)了高散熱性能的GaN HEMT器件,為突破GaN器件散熱瓶頸提供了新的技術(shù)方案。針對GaN... 詳細 >>
研究實現(xiàn)糾纏增強納米尺度單自旋量子傳感更多>>

微觀世界中，電子具有“自旋”的基本屬性，這些“自旋”如同一個個微小磁針。材料的較多宏觀特性，如磁鐵的磁性或超導(dǎo)體的零電阻，皆源于這些微觀磁針的排列方式與相互作用。日前，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)與浙江大學(xué)合作，在納米尺度量子精密測量領(lǐng)域取得進展，首次實現(xiàn)了噪聲環(huán)境下糾纏增強的納米尺度單自旋探測。探測單個自旋，測量物質(zhì)世界最基礎(chǔ)的磁性單元，能夠為剖析物性提供新視角，并為發(fā)展單分子磁探測技術(shù)和推進量子科技奠定基礎(chǔ)。但是，物質(zhì)存在大量自旋，對單個自旋的探測猶如在喧鬧的體育場中試圖清晰捕捉某個人的低語，這對探測技術(shù)提出了嚴峻挑戰(zhàn)... 詳細 >>
大口徑高場通用超導(dǎo)磁體技術(shù)實現(xiàn)突破更多>>

近日,中國科學(xué)院電工研究所科研團隊在大口徑高場通用超導(dǎo)磁體技術(shù)方面取得突破。團隊成功研制出中心磁場強度高達16.5特斯拉、內(nèi)孔直徑達150毫米大口徑高場通用超導(dǎo)磁體。這一成果創(chuàng)造了迄今為止國內(nèi)同類大口徑通用超導(dǎo)磁體最高磁場紀(jì)錄。大口徑高場通用超導(dǎo)磁體作為強磁場科學(xué)研究的關(guān)鍵平臺,可提供大空間、高強度磁場環(huán)境,在諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出應(yīng)用前景。團隊在研制過程中采用分層分級電流密度技術(shù)、超導(dǎo)相比例調(diào)控等設(shè)計方法,提高了超導(dǎo)線圈磁場利用效率與高場穩(wěn)定性,綜合運用真空控速擴散熱處理、高強度玻纖復(fù)合綁扎定向強化、密繞線圈分區(qū)真空壓力浸漬、超... 詳細 >>