日本三菱電機公司（Mitsubishi Electric Corp）開發了新技術，以實現用于5G基站的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）模塊，該模塊具有6mm x 10mm的緊湊尺寸和 43％的超高功率效率（在3.4-3.8GHz的5G頻率范圍內）。

　　該模塊在匹配電路中使用最少的芯片來控制高質量的信號輸出，可以幫助實現可廣泛部署且具有高能效的5G基站。新模塊的技術細節將在8月的IEEE國際微波研討會（IMS 2020）上進行介紹。

　　在不使用大規模多輸入多輸出（mMIMO）天線的4G基站中，功率放大器將金屬箔傳輸線用于匹配電路。雖然這降低了功率損耗，但傳輸線占用了空間，并且難以實現既小巧又節能的基站。三菱電機的新技術消除了5G功率放大器中傳輸線的需求。

　　新的放大器模塊的匹配電路與電容器和電感器等表面安裝器件（SMD）集成在一起。通過引入高精度的電磁場分析方法，并采用獨特的技術來密集布置SMD，三菱電機能夠將放大器的尺寸減小到傳統功率放大器的六十分之一（6mm x 10mm而不是60mm x 78mm）。在匹配電路中使用SMD不僅會減小放大器的尺寸，而且會降低功率效率，因為SMD往往會產生高功耗。但是，三菱電機的新技術使用少量的SMD創建了匹配電路。此外，SMD具有與金屬箔傳輸線相同的電氣特性。最終的功率放大器模塊在用于5G通信的3.4-3.8GHz頻段中達到創紀錄的43-48％的功率效率。