北京大學已采用深紫外（DUV，波長小于300nm）發光的自組裝側壁量子阱（SQW）結構來改善基于氮化鋁鎵（AlGaN）化合物半導體合金的二極管的光輸出功率性能。側壁結構起因于在具有不同錯切角的（0001）c面藍寶石襯底上進行多量子阱（MQW）材料生長過程中的聚集效應。

　　北京研究人員認為他們的SQW方法是一種潛在的“顛覆性框架”，另外，SQW結構會產生載流子局部化效應，可以改善重組為光子的過程，并避免載流子被位錯俘獲，然后轉變為基態而無光發射。

　　使用金屬有機化學氣相沉積c面藍寶石上生長該材料。樣品A、B、C相對于m平面的錯切角分別為0.2°、2°、4°。然后進行相應的實驗，通過比較室溫和10K PL強度來評估內部量子效率（IQE）。對于樣品A-C，室溫IQE分別確定為46％，54％和59％。通過使用Lorentz曲線擬合將SQW和MQW排放行為分開，樣本B的SQW區域的IQE估計為56％，而MQW僅管理45.6％。

　　試驗后，直接在AlN模板層上生長的MQW的X射線分析表明，對于基材錯切角分別為0.2°、2°和4°的線錯位密度（TDD）分別為1.56x1010 / cm²、1.17x1010 / cm²和6.4x109 / cm² 。研究人員將4°MQW結構的較低TDD值視為有助于提高IQE的主要因素。

　　時間分辨的PL用于確定熒光壽命，結果表明，SQWs的熒光壽命比MQWs顯著延長，這表明與MQWs相比，SQWs的非輻射重組得到了更有效的抑制。

　　研究人員評論表示，研究結果進一步證實了所提出的涉及SQW的有源區在器件性能方面比僅使用MQW具有更大的潛力，特別是當AlN和AlGaN的材料質量仍處于不良或中等水平時。