研究納米尺度半導(dǎo)體器件物理模型和快速穩(wěn)健的數(shù)值算法，開發(fā)自主TCAD仿真工具。發(fā)展前沿量子輸運(yùn)計(jì)算方法，研究全量子物理計(jì)算方法與半經(jīng)典物理計(jì)算方法的多物理模型混合仿真技術(shù)。探索機(jī)器學(xué)習(xí)在器件物理模型和TCAD數(shù)值仿真中的應(yīng)用。基于自主TCAD工具開發(fā)集成電路先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)FDSOI, FinFET, NanosheetFET等器件，以及SRAM, DRAM, NAND等單元電路仿真解決方案。
研究成果：
與國內(nèi)外知名研究機(jī)構(gòu)和科技公司合作開展工藝器件物理模型與TCAD工具研發(fā)。開發(fā)基于結(jié)構(gòu)演化的3D虛擬工藝整合模型和TCAD原型工具。提出多種新型電路單元設(shè)計(jì)和工藝集成實(shí)現(xiàn)方案。開發(fā)三維有限元數(shù)值迭代求解技術(shù)，納米線晶體管經(jīng)典漂移擴(kuò)散方程-泊松方程組求解結(jié)果與商業(yè)軟件吻合。開發(fā)了原子尺度量子輸運(yùn)計(jì)算優(yōu)化算法，支持大于50000原子規(guī)模器件全量子效應(yīng)仿真。已申請(qǐng)軟件著作權(quán)1項(xiàng)，發(fā)明專利3項(xiàng)。與國內(nèi)集成電路制造企業(yè)建立緊密技術(shù)合作關(guān)系，基于自主TCAD仿真技術(shù)建立應(yīng)用解決方案，進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)移。
