（一）計(jì)算光刻中的關(guān)鍵模型與算法
研究?jī)?nèi)容：
面向適用于45/28/14/7/5/3納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的深紫外光刻、極紫外光刻以及新原理光刻技術(shù)開(kāi)展仿真和優(yōu)化相關(guān)的模型與算法研究，突破光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù)、光源掩模聯(lián)合優(yōu)化技術(shù)、雙重圖形技術(shù)、逆光刻技術(shù)的核心算法，開(kāi)發(fā)融合先進(jìn)優(yōu)化組件和人工智能算法的計(jì)算光刻工具套件。
研究成果：
已建立了深紫外光刻、極紫外光刻以及新原理光刻的光刻成像理論與模型，發(fā)展了光源分布優(yōu)化、掩模衍射近場(chǎng)快速分析等多種算法，發(fā)表論文40余篇，申請(qǐng)專利20余項(xiàng)；開(kāi)發(fā)了光刻成像仿真分析等3款工具，已在多家企業(yè)完成推廣；支撐了國(guó)家科技重大專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金、中科院先導(dǎo)C項(xiàng)目以及企業(yè)合作項(xiàng)目等項(xiàng)目。
（二）先進(jìn)光刻對(duì)準(zhǔn)套刻研究
研究?jī)?nèi)容：
面向深紫外極紫外光刻工藝等納米精度粗糙度測(cè)量和工藝質(zhì)量監(jiān)測(cè)，開(kāi)發(fā)了電子束圖像批量測(cè)量和對(duì)比分析工具，并應(yīng)用于極紫外光刻膠、多重光刻等材料或工藝質(zhì)量的表征分析。建立了用于分析先進(jìn)光刻對(duì)準(zhǔn)信號(hào)和工藝結(jié)構(gòu)關(guān)系的工具，并對(duì)三維存儲(chǔ)器件、邏輯器件等對(duì)準(zhǔn)與工藝關(guān)系進(jìn)行了應(yīng)用研究。針對(duì)先進(jìn)工藝對(duì)套刻誤差的需求和面臨的挑戰(zhàn)，開(kāi)發(fā)了套刻誤差分析和補(bǔ)償軟件，具備標(biāo)識(shí)數(shù)量和分布、最佳補(bǔ)償模型、最佳補(bǔ)償參數(shù)的篩選。
研究成果：
（1）提出了針對(duì)電子束圖像的高精度邊緣識(shí)別算法，并定量研究了光刻后圖形扭曲現(xiàn)象；基于該算法，創(chuàng)建了二次電子表征快速模型并實(shí)現(xiàn)了針對(duì)線條結(jié)構(gòu)的三維重建，并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
（2）開(kāi)發(fā)了快速對(duì)準(zhǔn)信號(hào)計(jì)算模型，建立了對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化算法，優(yōu)化后的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)經(jīng)FAB掩模制造和流片驗(yàn)證。
（3）針對(duì)集成電路工藝過(guò)程中的設(shè)備匹配、套刻誤差補(bǔ)償?shù)葐?wèn)題，開(kāi)發(fā)了設(shè)備匹配和監(jiān)測(cè)模型，提出了基于Zernike-CPE的套刻誤差補(bǔ)償方法，實(shí)現(xiàn)了高效套刻誤差修正。
