研究內(nèi)容：
碳基/MOS2/CFET器件模型PDK，高性能/低功耗標(biāo)準(zhǔn)單元庫/IO/SRAM，3D 集成電路物理設(shè)計參考流程。
研究成果：
研發(fā)了兼容不同數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的PDK/iPDK/oaPDK模型模板，包括大陸首套iPDK；研發(fā)數(shù)字/模擬/高壓/射頻/存儲/碳管等近20套先導(dǎo)工藝的PDK，進(jìn)入設(shè)計企業(yè)成功流片；支撐了國家科技重大專項、北京市科委、國際合作項目，以及企業(yè)合作項目等十余項目。
