中科院微電子所EDA中心在PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)(SC Library)、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）設(shè)計(jì)領(lǐng)域開(kāi)展了十多年的研究工作。積累了豐富的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)、成熟的技術(shù)方案、完善高效的EDA工具平臺(tái)。微電子所EDA中心基于國(guó)內(nèi)外Foundry主流工藝，配套先進(jìn)EDA工具，開(kāi)發(fā)高可靠的PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)；進(jìn)行納米工藝PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的共性技術(shù)研究，充分考慮數(shù)據(jù)格式通用性以及可制造性設(shè)計(jì)，通過(guò)對(duì)芯片加工與設(shè)計(jì)的協(xié)同優(yōu)化研究，將其集成到PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的開(kāi)發(fā)中，建立了完善的PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證流程。目前為止，成功開(kāi)發(fā)了模擬/射頻/數(shù)字/混合信號(hào)/高壓/存儲(chǔ)器/TFT/二維碳管等近二十條硅基工藝線的商用PDK。每套PDK經(jīng)過(guò)驗(yàn)證功能完整正確，靈活適應(yīng)行業(yè)主流EDA軟件，并支持?jǐn)?shù)模混合芯片設(shè)計(jì)流程。已經(jīng)基于主流Foundry的40nm/65nm/90nm/1um/3um等工藝開(kāi)發(fā)了6套高密度/低功耗/高性能/可制造性友好的專(zhuān)用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)。PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)交付商業(yè)用戶(hù)，在多個(gè)芯片設(shè)計(jì)中應(yīng)用，并獲得成功。與PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)研發(fā)同步進(jìn)行的先進(jìn)工藝SRAM，作為新工藝應(yīng)用的第一道屏障,面向微處理器對(duì)不同緩存性能的應(yīng)用需求，以6T存儲(chǔ)單元為基礎(chǔ)，建立了高速低功耗SRAM和高密度SRAM設(shè)計(jì)方法。基于主流Fab的28nm成熟工藝，開(kāi)發(fā)了512Kbit、8Kbit容量的高速SRAM IP核；基于碳基新工藝，研發(fā)了多款1Kbit、256bit和64bit等小容量抗工藝浮動(dòng)的SRAM IP核。
PDK組件支持模擬/全定制集成電路設(shè)計(jì)
標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)模型支持大規(guī)模數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)
SRAM設(shè)計(jì)流程
