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業(yè)內(nèi)熱點(diǎn)

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新型FET截止頻率為738GHz
2021-02-08

韓國(guó)和日本的一個(gè)研究小組研發(fā)了一款場(chǎng)效應(yīng)晶體管( FET ) ,截止頻率為738GHz ,宣稱不管在任何材料系統(tǒng)中,這是目前獲得的最高截止頻率。韓國(guó)慶北大學(xué)( KNU ) ,蔚山大學(xué)和韓國(guó)量子半導(dǎo)體國(guó)際有限公司以及日本NTT器件技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究成果在2020年底的國(guó)際電子器件會(huì)議( IEDM )上進(jìn)行了在線展示。高截止頻率和低...


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閃鋅礦結(jié)構(gòu)GaN的空穴濃度有望比纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN高四倍
2021-02-08

在氮化鎵( GaN )材料中實(shí)現(xiàn)高n型和p型摻雜對(duì)于提高固態(tài)照明和RF /功率電子器件的效率和功率至關(guān)重要。GaN的可摻雜性是由摻雜劑的形成、活化和自補(bǔ)償決定的,這取決于摻雜劑與GaN之間的鍵合性質(zhì)。GaN具有纖鋅礦( wz - )和閃鋅礦( zb - )兩種結(jié)構(gòu)。然而由于纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN的穩(wěn)定性,更加適應(yīng)當(dāng)前工業(yè)生產(chǎn),因此對(duì)n型...


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福建物構(gòu)所鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究獲進(jìn)展
2021-02-07

近幾年來(lái),新興的有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池( PSCs )發(fā)展較快,在短短十年里其光電轉(zhuǎn)化效率( PCE )從3.8%發(fā)展到目前25.5%的認(rèn)證效率,被視為最具有應(yīng)用潛力的新型高效率太陽(yáng)能電池之一。盡管有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率已與多晶硅薄膜電池相媲美,但是電池的長(zhǎng)期穩(wěn)定性遠(yuǎn)未達(dá)到商業(yè)化要求。眾所周知...


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合肥研究院實(shí)現(xiàn)多角度偏振成像儀面陣探測(cè)器響應(yīng)非均勻性多參量校正
2021-02-07

近日,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所光學(xué)遙感研究中心研究員洪津團(tuán)隊(duì)在多角度偏振成像儀( DPC )面陣探測(cè)器非均勻性校正方法研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展,針對(duì)DPC探測(cè)器非均勻性特點(diǎn),提出多參量的非均勻性校正方法,實(shí)現(xiàn)探測(cè)器響應(yīng)非均勻性多參量校正。校正后的探測(cè)器響應(yīng)亦呈現(xiàn)出良好線性。相關(guān)研究成...


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寧波材料所實(shí)現(xiàn)全光控憶阻器
2021-02-07

類腦計(jì)算直接在硬件上模擬人腦功能,有望實(shí)現(xiàn)速度更快、能耗更低、硬件消耗更少的新一代人工智能。憶阻器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易超高密度集成,是實(shí)現(xiàn)類腦計(jì)算較為理想的元器件。然而,目前報(bào)道的憶阻器,工作機(jī)制涉及的離子遷移會(huì)改變器件微結(jié)構(gòu),并需要較高電壓或電流來(lái)調(diào)節(jié)電導(dǎo)變化,產(chǎn)生的大量焦耳熱進(jìn)一步加速微結(jié)構(gòu)變化,導(dǎo)...


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福建物構(gòu)所在非鉛手-極性雜化半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)自驅(qū)動(dòng)圓偏振光探測(cè)研究中獲進(jìn)展
2021-02-07

圓偏振光探測(cè)在量子通信、自旋光學(xué)信息等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)圓偏振光探測(cè)需非手性光電探測(cè)材料和外加光學(xué)元件(線偏振片和四分之一玻片等) ,難以滿足日益增加的集成微型化應(yīng)用需求。近年來(lái)發(fā)展的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化手性鈣鈦礦兼具手性和半導(dǎo)體光電特性,無(wú)需外加光學(xué)元件便可實(shí)現(xiàn)對(duì)圓偏振光的響應(yīng)。中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)...


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兼容CMOS的III-V光電探測(cè)器
2021-01-26

瑞士和美國(guó)的研究人員一直努力在硅光子集成電路(PIC)上集成III-V光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)。IBM ResearchZürich,ETH Zürich和IBM T.J. Watson研究中心的團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種工藝,可與主流的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電子制造相兼容。這是大規(guī)模部署的關(guān)鍵考慮因素,例如,這意味著消除金基觸點(diǎn)和過(guò)多的熱預(yù)算。砷化銦鎵鋁(In...


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福建物構(gòu)所高性能層狀雜化鈣鈦礦鐵電半導(dǎo)體研究獲進(jìn)展
2021-01-25

具有體光伏效應(yīng)( BPVE )的鐵電半導(dǎo)體作為光伏非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的有效介質(zhì)已得到廣泛研究。然而,傳統(tǒng)的鐵電材料在該領(lǐng)域的應(yīng)用仍受到帶隙大、內(nèi)阻高、載流子輸運(yùn)差和易極化疲勞等問(wèn)題的困擾。近年來(lái),新興的有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦鐵電材料因結(jié)合了優(yōu)異的鐵電性與半導(dǎo)體特性,在開發(fā)適用于光伏非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的新型鐵電...


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合肥研究院等在熒光碳量子點(diǎn)的太赫茲光電特性研究中獲進(jìn)展
2021-01-22

近日,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員徐文課題組與西南大學(xué)合作,利用太赫茲時(shí)域光譜( THz TDS )技術(shù),探究熒光碳量子點(diǎn)( CQDs )的光電特性,發(fā)現(xiàn)在80-280 K溫度范圍內(nèi)。紅光熒光量子點(diǎn)( R-CQDs )在0.2 - 1.2 THz頻段為光絕緣體(即對(duì)THz光全透) ,而藍(lán)光熒光量子點(diǎn)( B-CQDs )隨THz頻率、溫...


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物理所等在電荷密度波導(dǎo)致的軸子絕緣體研究中獲進(jìn)展
2021-01-22

由于三維晶體中Weyl (外爾)準(zhǔn)粒子是不需特殊對(duì)稱性保護(hù)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),同時(shí)具有特別的表面費(fèi)米弧和奇特的電輸運(yùn)行為,單粒子圖像下的拓?fù)浒虢饘俨牧系难芯渴悄蹜B(tài)物理中的熱點(diǎn),科研人員逐步關(guān)注到外爾半金屬材料中由電子-電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)導(dǎo)致的新物理和新現(xiàn)象。2012年,清華大學(xué)高等研究院研究員汪忠和美國(guó)華裔物理學(xué)家張...


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原子尺度調(diào)節(jié)鎵鋅混合氮氧化物納米線能帶結(jié)構(gòu)研究獲進(jìn)展
2021-01-22

近日,中國(guó)科學(xué)院國(guó)家納米科學(xué)中心研究員宮建茹與南京航空航天大學(xué)教授宣益民、中科院高能物理研究所研究員張靜合作,在原子尺度調(diào)節(jié)( Ga1 - xZnx ) ( N1 - xOx )固溶體納米線能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得新進(jìn)展, 1月21日。相關(guān)研究成果以Atomic arrangement matters : band-gap variation in composition-tunable ( Ga1 - xZn...


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蘭州化物所開發(fā)出氮摻雜多孔石墨烯制備新方法并用于稀土分離
2021-01-20

近日,中國(guó)科學(xué)院蘭州化學(xué)物理研究所手性分離與微納分析課題組開發(fā)出一種多重限域的一步可控合成摻雜方法,制備出對(duì)稀土離子具有高分離選擇性的氮摻雜納孔石墨烯膜(專利申請(qǐng)?zhí)枺?CN 202010861481.0 ) 。該研究在吸附了苯丙氨酸的氧化石墨烯膜的二維層間空間限域生長(zhǎng)層狀鋅類水滑石,從而構(gòu)建類水滑石/苯丙氨酸/氧化石...


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k-Space為現(xiàn)場(chǎng)計(jì)量工具增加了新的配件
2021-01-20

位于美國(guó)密蘇里州德克斯特市的k-Space Associates公司為其計(jì)量工具增加了一個(gè)新的配件kSA Insight 。美國(guó)k-Space公司作為原位、在線和離線測(cè)試設(shè)備的主要制造商,主要為半導(dǎo)體、薄膜材料和光伏產(chǎn)業(yè)的研究機(jī)構(gòu)和制造商提供專業(yè)的材料性能測(cè)試設(shè)備。成像系統(tǒng)采用高分辨率彩色攝像機(jī),并與所有k-Space薄膜計(jì)量軟件兼容,即...


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BluGlass完成了405nm激光器的光學(xué)涂層制造步驟
2021-01-20

澳大利亞Silverwater的BluGlass Ltd公司在其《激光二極管業(yè)務(wù)最新報(bào)告》的中表示,最近展示的標(biāo)準(zhǔn)405nm激光設(shè)計(jì)具有強(qiáng)大的輸出功率。BluGlass已完成一些405nm激光器件制造工藝的光學(xué)涂層步驟,從而推動(dòng)了其首款標(biāo)準(zhǔn)激光二極管產(chǎn)品的開發(fā)。該公司表示,其405nm激光器設(shè)計(jì)已證明其具有強(qiáng)大的初始性能符合目標(biāo)規(guī)格。一種是...


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微電子所在有機(jī)無(wú)序體系的量子電子液體描述方面取得研究進(jìn)展
2021-01-14

由于多種無(wú)序因素的影響,有機(jī)固體中電子傳輸?shù)奈锢韴D像一直存在較多爭(zhēng)議。最近十幾年最受關(guān)注的一個(gè)話題是,導(dǎo)電高聚物是否可被描述為一維拉廷格液體,其在低溫下的非線性輸運(yùn)是否由拉廷格液體機(jī)制所主導(dǎo)。此假設(shè)由諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)得主導(dǎo)電高聚物之父阿蘭·黑格在一項(xiàng)研究中[ Nat . Mater . 8 , 572。針對(duì)此假設(shè),中科院微...


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微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重要進(jìn)展
2021-01-14

近日,微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)與先導(dǎo)中心工藝平臺(tái)合作,在GaN界面態(tài)研究領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展,在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級(jí)平整界面和國(guó)際先進(jìn)水平的界面態(tài)特性,提出了適用于較寬能量范圍的界面態(tài)U型分布函數(shù),實(shí)現(xiàn)了離散能級(jí)與界面態(tài)的分離。另一方面,由于寬帶隙半導(dǎo)體中缺陷電子捕獲截面分布范圍較...


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意法半導(dǎo)體擴(kuò)展了MasterGaN系列
2021-01-12

瑞士日內(nèi)瓦的意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)在其MasterGaN平臺(tái)基礎(chǔ)上推出了MasterGaN2,MasterGaN2是新系列中的首款產(chǎn)品,其中包含兩個(gè)非對(duì)稱氮化鎵(GaN)晶體管,可提供適用于軟開關(guān)和有源整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞募蒅aN解決方案。 650V常關(guān)型GaN晶體管具有150mΩ和225mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。意法半導(dǎo)體表示與優(yōu)化...


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沈陽(yáng)自動(dòng)化所發(fā)表納米機(jī)器人及其生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用研究綜述文章
2021-01-07

近日, IEEE ransactions on Biomedical Engineering ( 2021 , 68。: 130 - 147 )以封面文章形式發(fā)表了中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)自動(dòng)化研究所微納米課題組關(guān)于納米機(jī)器人及其生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用的研究綜述文章Progress in nanorobotics for advancing biomedicine。該論文基于課題組在納米操作機(jī)器人單細(xì)胞單分子探測(cè)方面的研究成果,系...


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理化所等在鋰離子篩分研究中獲進(jìn)展
2021-01-05

2020年12月30日, Matter在線發(fā)表了中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員聞利平和北京航空航天大學(xué)副教授張千帆團(tuán)隊(duì)關(guān)于鋰離子篩分的最新研究成果。鋰離子作為一種重要的資源,其篩分與富集業(yè)已成為研究熱點(diǎn)。該工作在材料合成過(guò)程中引入仿生概念,利用二維復(fù)合材料成功構(gòu)筑了一種具有類似貝殼的層狀異質(zhì)結(jié)構(gòu)的仿生納米限域孔...


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微電子所在新型安全芯片領(lǐng)域取得進(jìn)展
2020-12-31

近日,劉明院士科研團(tuán)隊(duì)基于新型存儲(chǔ)器的硬件安全芯片領(lǐng)域的兩篇研究論文成功入選2020年第66屆國(guó)際電子器件大會(huì)( IEDM ) 。云端訓(xùn)練好的模型經(jīng)簡(jiǎn)化后轉(zhuǎn)到邊緣芯片的非易失存儲(chǔ)器上或者實(shí)現(xiàn)為專用芯片( ASIC ) ,在邊緣處理器或者ASIC中加入PUF ,可有效防止訓(xùn)練好的數(shù)據(jù)被破解或被復(fù)制。基于阻變存儲(chǔ)器隨機(jī)短期記憶...