瑞士日內瓦的意法半導體（STMicroelectronics）在其MasterGaN平臺基礎上推出了MasterGaN2，MasterGaN2是新系列中的首款產品，其中包含兩個非對稱氮化鎵（GaN）晶體管，可提供適用于軟開關和有源整流轉換器拓撲的集成GaN解決方案。

　　650V常關型GaN晶體管具有150mΩ和225mΩ的導通電阻（RDS（on））。意法半導體表示與優化的柵極驅動器結合在一起，使GaN技術易于使用，像制造普通硅器件一樣。通過將先進的集成技術與GaN固有的性能優勢相結合，MasterGaN2進一步提高了器件效率，并使尺寸減小和重量減輕，例如有源鉗位反激式。

　　MasterGaN功率級封裝（SiP）系列在同一封裝中結合了兩個GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和相關的高壓柵極驅動器，并內置了所有必要的保護機制。設計人員可以將外部設備直接連接到MasterGaN器件，外部設備包括霍爾傳感器和控制器，例如DSP、FPGA或微控制器。意法半導體表示，這些輸入與3.3V至15V的邏輯信號兼容，這有助于簡化電路設計和物料清單，以及簡化組裝，可以實現更小的占位面積。這種集成有助于提高適配器和快速充電器的功率密度。

　　GaN技術正在推動快速USB-PD適配器和智能手機充電器的發展。意法半導體認為，MasterGaN器件可使這些器件的體積縮小到原來的80％，重量減輕到原來的70％，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

　　內置保護機制包括低側和高側欠壓鎖定（UVLO）、柵極驅動器互鎖、專用停機引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝針對高壓應用進行了優化，高壓和低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。

　　MasterGaN2現已開始生產，訂購1000片的最低價格為6.50美元。