近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所氫能與先進(jìn)材料研究部熱化學(xué)研究組（ DNL1903 ）研究員史全團(tuán)隊(duì)，與催化基礎(chǔ)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室二維材料化學(xué)與能源應(yīng)用研究組（ 508組）研究員吳忠?guī)泩F(tuán)隊(duì)合作，通過(guò)簡(jiǎn)單易行的合成策略，開(kāi)發(fā)出一種柔性相變儲(chǔ)能材料膜。并將其與柔性石墨烯膜相結(jié)合應(yīng)用于可穿戴熱管理器件。該相變材料膜機(jī)...
中國(guó)和日本的研究人員一直在探索多量子阱（ MQW ） III氮化物二極管陣列的同時(shí)發(fā)射檢測(cè)能力。研究團(tuán)隊(duì)希望可以用這種多功能設(shè)備，開(kāi)發(fā)用于物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）部署的先進(jìn)整體式III族氮化物信息系統(tǒng)。III族氮化物二極管具有發(fā)射和檢測(cè)光的能力。研究人員實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)光亮度控制設(shè)置，其中405nm激光指示器可以發(fā)出編碼的脈沖序列...
美國(guó)Axus技術(shù)公司宣布與復(fù)合光子公司（ CP Display ）建立合作伙伴關(guān)系美，加速將5 μ m像素以下的micro-LED推向大眾市場(chǎng)。具體來(lái)說(shuō)， Axus將部署Capstone CMP系統(tǒng)，該系統(tǒng)集成了CMP后清潔功能，現(xiàn)晶圓平面化和表面制備工藝解決方案，以將microLED晶圓與高性能CMOS背板進(jìn)行晶圓級(jí)鍵合。自2020年初以來(lái)， Axus與CP合作開(kāi)...
隨著電動(dòng)汽車和移動(dòng)電子產(chǎn)品的發(fā)展，社會(huì)對(duì)能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)化提出更高要求，繼鋰離子電池之后，可充電電池的高能量密度、高倍率充放電、高循環(huán)穩(wěn)定性成為需求。鋰硫電池憑借其高能量密度（ 2600 Whkg-1 ） 、經(jīng)濟(jì)環(huán)保等優(yōu)勢(shì)成為下一代儲(chǔ)能體系的候選者。然而，如單質(zhì)硫與硫化鋰的不導(dǎo)電性、多硫化鋰中間產(chǎn)物的穿梭效應(yīng)及充...
近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所薄膜太陽(yáng)能電池研究組研究員劉生忠、博士王開(kāi)團(tuán)隊(duì)采用狹縫涂布制備方法，結(jié)合高壓氮?dú)廨腿『碗x子液體鈍化鈣鈦礦界面技術(shù)，制備出鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，該電池小面積效率達(dá)到22.7% （ 0.09cm2 ） ，大面積組件達(dá)到19.6% （ 7.92cm2 ） 。研究人員采用狹縫涂布沉積技術(shù)，結(jié)合高壓氮?dú)廨腿?..
20世紀(jì)80年代發(fā)現(xiàn)的銅氧化物高溫超導(dǎo)體為實(shí)現(xiàn)室溫超導(dǎo)帶來(lái)希望，但是經(jīng)過(guò)30多年的研究，最高Tc （常壓下~ 134K ，高壓下~ 164K ）很難進(jìn)一步提高，而且非常規(guī)超導(dǎo)機(jī)理至今仍懸而未決。近年來(lái)，按照這一思路，在理論設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)合成富氫高溫超導(dǎo)體方面取得進(jìn)展， 2014年發(fā)現(xiàn)硫化氫在高壓條件下呈現(xiàn)出Tc = 203K的高溫超導(dǎo)電...
高頻高速5G通信技術(shù)和高集成度、輕薄智能電子產(chǎn)品的發(fā)展，方便了人們的生產(chǎn)生活，同時(shí)突顯出電磁干擾的嚴(yán)重性。發(fā)展新型電磁屏蔽材料是解決電磁污染的關(guān)鍵技術(shù)，特別是超薄、輕質(zhì)且具有優(yōu)異力學(xué)強(qiáng)度和可靠性的高性能電磁屏蔽材料。碳納米管具有極高的導(dǎo)電和力學(xué)性能，在電磁屏蔽領(lǐng)域具有廣泛的潛在應(yīng)用前景。然而，當(dāng)碳...
以光為信息載體實(shí)現(xiàn)通信的光通信技術(shù)，憑借優(yōu)異的速度傳輸性能和強(qiáng)大的信息容量成為現(xiàn)代社會(huì)最重要的技術(shù)之一。執(zhí)行光電信號(hào)轉(zhuǎn)換的光電探測(cè)器是光電鏈路的基本組成部分之一，雖然硅基光電探測(cè)器廣泛應(yīng)用于可見(jiàn)光譜范圍（ 0.4 - 0.7 μ m ） ，但通訊窗口1.31 μ m和1.55 μ m的近紅外光子能量并不足以克服Si帶隙（ 1.12 ...
石墨烯具有二維薄層結(jié)構(gòu)，是一種具有潛力的新型潤(rùn)滑材料。近年來(lái)的研究表明，具有原子厚度的石墨烯在微觀接觸尺度下具有超滑特性，在宏觀接觸方式下展現(xiàn)出摩擦學(xué)特性，但是均依賴于理想的石墨烯表界面結(jié)構(gòu)。因此，實(shí)現(xiàn)石墨烯摩擦表界面結(jié)構(gòu)的調(diào)控對(duì)于獲得優(yōu)異的摩擦學(xué)性能、推動(dòng)其實(shí)際應(yīng)用具有重要意義。近日，中國(guó)科學(xué)...
電子電力器件在高速鐵路、新能源汽車、航空航天、太陽(yáng)能及風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。近年來(lái)，電子電力器件朝大功率、高密度、集成化等方向發(fā)展，對(duì)器件中陶瓷散熱基板提出更高要求。目前，常用的氧化鋁基板熱導(dǎo)率低、氮化鋁基板可靠性差，限制其在高端功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用。氮化硅陶瓷基板具有高強(qiáng)度、高韌性、高絕緣...
據(jù)上海臨港官微報(bào)道， 10月16日，首片國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅（ SiC ） MOSFET （金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶圓在上海臨港正式發(fā)布，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域的空白，未來(lái)市場(chǎng)容量可達(dá)百億美金。據(jù)上海瞻芯電子創(chuàng)始人兼總經(jīng)理張永熙介紹，如果用了碳化硅MOSFET （金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）新能源汽車作電驅(qū)動(dòng)的話，續(xù)航里程可以有5%...
據(jù)日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)道，富士膠片 (Fujifilm Holdings)和住友化學(xué)(Sumitomo Chemical)最早將于2021年開(kāi)始供應(yīng)用于下一代芯片制造的光刻膠，該材料可能有助于讓智能手機(jī)及其他設(shè)備朝更小、更節(jié)能化的方向發(fā)展。 據(jù)悉，這兩家日本公司正在研制一種特殊的EUV（極紫外）光刻膠。目前，日本JSR和信越化學(xué)株式會(huì)社等控制了全球大...
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝今年一季度投產(chǎn)，為蘋果等客戶代工最新的處理器之后，芯片代工商臺(tái)積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm和2nm工藝。在7月16日的二季度財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家透露，他們3nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃推進(jìn)，仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)（ FinFET ） ，計(jì)劃在明年風(fēng)險(xiǎn)試...
有機(jī)聚合物熱電材料是一類新興的可實(shí)現(xiàn)熱與電直接轉(zhuǎn)換的清潔能源材料，這類材料可溶液加工、質(zhì)輕價(jià)廉、具有優(yōu)異的柔韌性，在可穿戴電子器件領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價(jià)值。與無(wú)機(jī)熱電材料相比，聚合物熱電材料種類匱乏、熱電轉(zhuǎn)換性能低，主要原因是缺乏對(duì)分子結(jié)構(gòu)與熱電性能關(guān)系的深入認(rèn)識(shí)。化學(xué)摻雜是提高聚合物導(dǎo)電能力、調(diào)控...
熱傳導(dǎo)是固體材料的基本物性之一。高熱導(dǎo)率材料在制冷系統(tǒng)散熱、電子元器件熱管理等方面具有重要應(yīng)用，低熱導(dǎo)率材料常用來(lái)構(gòu)建絕熱環(huán)境。電子、磁振子、晶格均可導(dǎo)熱，晶格作為固體材料基本的導(dǎo)熱載體，其熱導(dǎo)率由公式描述，其中， C為固體比熱、為聲子聲速和為聲子壽命。由該公式可知，聲速越大，熱導(dǎo)率越大。針對(duì)該反...
近日，中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員張永勝課題組在理論計(jì)算和解釋新型熱電材料（ Pyrite型ZnSe2 ）的物理機(jī)制研究中取得新進(jìn)展。該研究通過(guò)求解聲子和電子玻爾茲曼輸運(yùn)方程，理論計(jì)算發(fā)現(xiàn)Pyrite型ZnSe2具有良好的熱電性質(zhì)。基于對(duì)材料中原子成鍵情況和聲子振動(dòng)性質(zhì)的分析，解釋其具有低晶格熱導(dǎo)率...
中國(guó)蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（ SINANO ）已在硅上使用n型脊形波導(dǎo)（ nRW ）制造了氮化銦鎵（ InGaN ）發(fā)射紫光的激光二極管（ LDs ） ，與pRW LDs相比，其電阻更低，熱性能更好。普通工藝要求基于InGaN的激光二極管中的RW位于器件的p側(cè)，但p-GaN的電阻比n-GaN的電阻大得多，因此出現(xiàn)了熱和電問(wèn)題。該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為nRW-L...
太陽(yáng)能和氫研究中心ZSW 、馬丁·路德大學(xué)的Halle-Wittenberg （ MLU ）和Helmholtz-Zentrum Berlin （ HZB ）最近發(fā)現(xiàn)了一個(gè)可以提高薄膜太陽(yáng)能電池性能以將更多的陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能的關(guān)鍵點(diǎn)。研究團(tuán)隊(duì)的目的是研究CIGS薄膜太陽(yáng)能電池和模塊中主要的損耗機(jī)制，以便通過(guò)創(chuàng)新措施減少或消除這些損耗。近年來(lái)， CIGS薄膜太陽(yáng)能...
近日，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光單元技術(shù)實(shí)驗(yàn)室在高量子產(chǎn)率紅外上轉(zhuǎn)換發(fā)光微晶研究中取得進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)Yb3 + / Tm3 +共摻LiYF4微晶在相同激發(fā)光功率密度的照射下更高的量子產(chǎn)率。經(jīng)過(guò)一系列濃度優(yōu)化，在959nm近紅外激光的照射下， Yb3 +離子吸收激發(fā)光的能量并將其傳遞給Tm3 +產(chǎn)生高效的紅外上轉(zhuǎn)換發(fā)光...
瑞士意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ）推出了MasterGaN ，是第一個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片以及一對(duì)氮化鎵（ GaN ）晶體管的平臺(tái)。這個(gè)集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開(kāi)發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應(yīng)用。據(jù)估計(jì)，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小8...
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