傳統(tǒng)的電化學(xué)儲(chǔ)能器件構(gòu)型主要是通過(guò)將隔膜夾在兩個(gè)電極之間并注入電解液來(lái)構(gòu)造的，即隔膜位于兩個(gè)電極之間，但三者之間是處于相互分離的狀態(tài)。一體化構(gòu)型，是指將儲(chǔ)能器件的主要構(gòu)件（正、負(fù)極、隔膜）通過(guò)較強(qiáng)的相互作用集成為一個(gè)整體，使得相鄰組件之間實(shí)現(xiàn)連續(xù)無(wú)縫連接，保證了彎曲狀態(tài)下離子和電子的穩(wěn)定傳輸。因...
美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)聲稱氧化鎵（ β - Ga2O3 ）橫向晶體管的功率品質(zhì)因數(shù)最高，為376MW / cm2 。研究人員使用了由鈦酸鋇（ BaTiO3 ）構(gòu)成的絕緣體，該鈣鈦礦氧化物結(jié)合了極高的介電常數(shù)和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（ > 8MV / cm ） 。研究人員在以極限k BaTiO3為絕緣體的β - Ga2O3上制造了橫向金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ MISFE...
便攜式智能器件與長(zhǎng)續(xù)航電動(dòng)汽車的發(fā)展，對(duì)可充電的二次電池的能量密度提出了更高的要求。當(dāng)鋰負(fù)極與硫正極相匹配時(shí)，組成鋰硫電池的容量高達(dá)2600 Wh kg-1 ，這將適用于未來(lái)高能量密度需求的電動(dòng)汽車。在前期的硫正極研究中，從納米材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與表面功能化出發(fā)（ Journal of Power Sources .,制備出不同的活性納米催化...
武漢大學(xué)報(bào)告稱，與在圖案化藍(lán)寶石上生長(zhǎng)的類似器件相比，在用圖案化藍(lán)寶石與二氧化硅陣列（ PSSA ）襯底上生長(zhǎng)的氮化銦鎵（ InGaN ）藍(lán)色發(fā)光二極管（ LED ）的光輸出功率提高了16.5 ％ 。這項(xiàng)工作表明，在高分辨率顯示器的高性能LED的開(kāi)發(fā)方面邁出了重要的一步。其他潛在的應(yīng)用可能來(lái)自可見(jiàn)光通信（ VLC ） 、汽車前照...
美國(guó)普渡大學(xué)和Sonrisa Research公司報(bào)告稱其研究的4H多型碳化硅（ SiC ）垂直功率三柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ MOSFET ）比溝道電阻顯著降低，這種新型MOSFET集成了亞微米FinFET通道。三柵極MOSFET的制造順序概述： （ a ）注入p型基極和n +源極區(qū)域，蝕刻溝槽,沉積柵極氧化物和多晶硅柵極,圖案化多晶硅柵極,形...
作為多年技術(shù)和制造合作伙伴關(guān)系的一部分，美國(guó)加利福尼亞州的Ayar實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)在基于GlobalFoundries的45納米CMOS制程工藝的下一代光子學(xué)解決方案上展示了其專利單片電子/光子解決方案。這是一個(gè)行業(yè)首創(chuàng)，為人工智能（ AI ） 、高性能計(jì)算（ HPC ） 、云、電信和航空航天等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供大規(guī)模芯片到芯片光學(xué)連接，...
近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所分子反應(yīng)動(dòng)力學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員袁開(kāi)軍團(tuán)隊(duì)，與北京航空航天大學(xué)教授李介博、燕鑫合作，在MXene （ Ti3C2Tx ）氧化界面熱傳遞研究方面取得新進(jìn)展。研究工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委動(dòng)態(tài)化學(xué)前沿研究中心項(xiàng)目、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)專項(xiàng)（ B類） “能源化學(xué)轉(zhuǎn)化的本質(zhì)與調(diào)控” 、國(guó)家自...
近日，中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心超導(dǎo)與關(guān)聯(lián)電子材料研究團(tuán)隊(duì)、北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所研究員張平，以及北京郵電大學(xué)博士楊巍等合作，在1T ' - WTe2體系中理論研究了刪極電壓調(diào)控超導(dǎo)電性的機(jī)理以及物性。相關(guān)研究成果發(fā)表在Physical Review Letters上。分析發(fā)現(xiàn)這些特定動(dòng)量對(duì)應(yīng)最優(yōu)的費(fèi)米面嵌...
近年來(lái)，有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池發(fā)展迅速，其光電轉(zhuǎn)化效率從3.8%發(fā)展到目前25.5%的認(rèn)證效率，被視為最具有應(yīng)用潛力的新型高效率太陽(yáng)能電池之一。雖然鈣鈦礦太陽(yáng)能電池具有較高光電轉(zhuǎn)換效率，可與多晶硅薄膜電池媲美，但電池的長(zhǎng)期穩(wěn)定性未達(dá)到商業(yè)化要求。產(chǎn)生的缺陷可捕獲光生載流子，限制載流子的擴(kuò)散，降低載流...
近日，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員邸江濤等與佐治亞理工學(xué)院教授Ching-ping Wong合作，設(shè)計(jì)并制備出鋅摻雜氧化銅納米線（ Zn-CuO ）三維陣列結(jié)構(gòu)，為電化學(xué)活性物質(zhì)MnO2提供導(dǎo)電支架，獲得高負(fù)載的MnO2納米片材料。將生長(zhǎng)在銅線表面的Zn-CuO @ MnO2材料用于同軸非對(duì)稱纖維型超級(jí)電容器正極材料，獲得...
香港科技大學(xué)使用氮氧化鎵（GaON）表面增強(qiáng)層（SRL）來(lái)提高p型柵極GaN溝道功率高電子遷移率晶體管（HEMT）的柵極電壓窗口和長(zhǎng)期可靠性。與其他有關(guān)p-GaN HEMT的報(bào)告相比，該設(shè)備在10年的使用壽命中提供了最高的最大柵極電壓。對(duì)于p-GaN柵極HEMT，研究人員使用了專為E模式p-GaN柵極功率HEMT設(shè)計(jì)的6英寸硅上GaN（GaN/Si）...
根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，碳化硅（ SiC ）器件市場(chǎng)估計(jì)將以30 ％的復(fù)合年增長(zhǎng)率（ CAGR ）增長(zhǎng)，從2019年的2.25億美元增長(zhǎng)到2025年的超過(guò)25億美元SiC技術(shù)正在贏得許多客戶的青睞，并滲透到各種應(yīng)用中。在電動(dòng)汽車相關(guān)的應(yīng)用的推動(dòng)下，用于電力電子應(yīng)用的SiC在未來(lái)五年會(huì)表現(xiàn)出強(qiáng)勁增長(zhǎng)。由于COVID-19大流行， 2020年上半年電動(dòng)汽車...
近年隨著扭轉(zhuǎn)角在魔角范圍（ ~ 1.1 ° ）的雙層石墨烯中新奇量子現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)，扭轉(zhuǎn)雙層石墨烯的研究愈發(fā)受到關(guān)注。常規(guī)雙層石墨烯是通過(guò)AB堆垛形成的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而對(duì)于扭轉(zhuǎn)雙層石墨烯，其表面會(huì)展現(xiàn)出摩爾條紋超晶格，且該超晶格周期與雙層石墨烯能帶結(jié)構(gòu)會(huì)隨著扭轉(zhuǎn)角度的變化而改變。目前，實(shí)驗(yàn)室小扭轉(zhuǎn)角雙層石墨烯多是...
近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所微納光電子功能材料實(shí)驗(yàn)室在利用隨機(jī)森林算法實(shí)現(xiàn)二維材料層數(shù)和缺陷識(shí)別研究中取得新進(jìn)展，揭示了機(jī)器學(xué)習(xí)算法在二維材料光譜學(xué)研究領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。隨著大數(shù)據(jù)技術(shù)的快速發(fā)展，以數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的機(jī)器學(xué)習(xí)算法在材料研究領(lǐng)域蓬勃興起。當(dāng)有新的樣本點(diǎn)進(jìn)入模型進(jìn)行預(yù)測(cè)和判斷時(shí)，隨機(jī)...
近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所薄膜光學(xué)實(shí)驗(yàn)室在調(diào)控氧化銦錫（ ITO ）薄膜光電特性研究中取得進(jìn)展，利用高效、可選擇性的準(zhǔn)連續(xù)（ QCW ）激光退火技術(shù)對(duì)ITO薄膜載流子進(jìn)行調(diào)控，在基本不改變ITO薄膜導(dǎo)電特性的前提下，實(shí)現(xiàn)ITO薄膜近紅外波段透過(guò)率的顯著提升。高載流子濃度使ITO薄膜具有良好導(dǎo)電性的同時(shí)，也...
近年來(lái)，鐵基高溫超導(dǎo)體作為自賦性拓?fù)涑瑢?dǎo)體，引起了科研人員的興趣。理論研究表明，鐵基高溫超導(dǎo)體是一個(gè)理想的實(shí)現(xiàn)Majorana零能模的體系。科研人員在多個(gè)鐵基材料表面觀測(cè)到Majorana零能模，揭開(kāi)了在鐵基超導(dǎo)體系中探尋Majorana零能模的序幕，這使鐵基超導(dǎo)體可能成為拓?fù)溆?jì)算的載體。最近，中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京...
微納制造技術(shù)的快速發(fā)展為納米光子器件、光學(xué)電路、光電探測(cè)器等提供了多樣的設(shè)計(jì)和應(yīng)用空間。作為光學(xué)接口的3D波導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)是納米光子應(yīng)用的基本互連單元，光子元器件被集成在芯片的有限區(qū)域乃至復(fù)雜曲面上。因此，在曲面上實(shí)現(xiàn)具有精確形貌和組分微納米結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與制造，對(duì)于新型結(jié)構(gòu)光電器件的發(fā)展具有重要意義。近...
美國(guó)伊利諾伊大學(xué)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了硅基的單片磷化銦（ InP ）量子點(diǎn)（ QD ）技術(shù)，相對(duì)于在砷化鎵（ GaAs ）上生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)而言，其光致發(fā)光（ PL ）強(qiáng)度僅降低了一點(diǎn)。該團(tuán)隊(duì)表示有望將InP QD用于微型發(fā)光二極管（ micro-LED ）和激光器。基板由GaP / Si和4.3 μ m的GaAsyP1 - y逐步梯度緩沖液組成，將GaAs / Si材料切割成較小...
中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員尤立星團(tuán)隊(duì)利用無(wú)損介質(zhì)鏡面結(jié)合三明治結(jié)構(gòu)超導(dǎo)納米線，實(shí)現(xiàn)了NbN材料超導(dǎo)納米線單光子器件（ SNSPD ） 98%的探測(cè)效率，再次創(chuàng)造了NbN SNSPD探測(cè)效率的新的世界紀(jì)錄。2019年，研究人員發(fā)明了離子注入等手段，首次打破了NbN本征探測(cè)效率和吸收效率的制衡關(guān)系，再次實(shí)現(xiàn)了90%探...
鐵電材料在強(qiáng)激光作用下，孕育和產(chǎn)生了具有重要應(yīng)用前景的物理性質(zhì)，如聲光、電光和反常光學(xué)效應(yīng)等，逐漸發(fā)展成為新一代光電子器件的有力候選者。其中，具有多光子吸收效應(yīng)的鐵電體在生物成像、頻率上轉(zhuǎn)換激光和光限幅等方面具有潛在應(yīng)用。然而目前，學(xué)界針對(duì)鐵電材料的研究以雙光子吸收為主，基于鐵電材料實(shí)現(xiàn)更高階的...
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