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業(yè)內(nèi)熱點

寧波材料所實現(xiàn)全光控憶阻器

稿件來源:寧波材料技術(shù)與工程研究所 責(zé)任編輯:ICAC 發(fā)布時間:2021-02-07

  類腦計算直接在硬件上模擬人腦功能,有望實現(xiàn)速度更快、能耗更低、硬件消耗更少的新一代人工智能。憶阻器結(jié)構(gòu)簡單,易超高密度集成,是實現(xiàn)類腦計算較為理想的元器件。然而,目前報道的憶阻器,工作機(jī)制涉及的離子遷移會改變器件微結(jié)構(gòu),并需要較高電壓或電流來調(diào)節(jié)電導(dǎo)變化,產(chǎn)生的大量焦耳熱進(jìn)一步加速微結(jié)構(gòu)變化,導(dǎo)致器件穩(wěn)定性能惡化,難以得到實際應(yīng)用。

  近年來,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所先進(jìn)納米材料與器件實驗室研究員諸葛飛圍繞憶阻器的穩(wěn)定性問題開展系列研究,包括超低電壓憶阻器(Advanced Materials, 2017, 29: 1606927;Applied Physics Letters, 2020, 116: 221602)、純電子型憶阻器(Applied Physics Letters, 2016, 108: 013504;Applied Physics Letters, 2016, 109: 143505)等,并撰寫憶阻器及類腦器件領(lǐng)域綜述論文(Advanced Materials Technologies,2019, 4: 1800544;Physica Status Solidi–Rapid Research Letters, 2019, 13: 1900082)。

  為了從根本上解決憶阻器穩(wěn)定性問題,諸葛飛和博士研究生胡令祥基于較成熟的氧化物半導(dǎo)體材料研發(fā)出全光控憶阻器。僅通過改變?nèi)肷涔庑盘柕牟ㄩL,就可實現(xiàn)器件電導(dǎo)態(tài)的可逆調(diào)控,并具有非易失性。電導(dǎo)全光調(diào)控可能源于光誘導(dǎo)氧化物界面勢壘寬度的可逆變化。在此基礎(chǔ)上,通過設(shè)計光信號的組合方式,實現(xiàn)了類人腦的脈沖時間依賴可塑性學(xué)習(xí)。

  全光控憶阻器工作機(jī)制不涉及微結(jié)構(gòu)變化,并且所需光信號的功率密度非常低(~20μW/cm2或更低),從而為克服憶阻器的穩(wěn)定性難題提供了全新途徑。此外,全光控憶阻器能實現(xiàn)感、存、算一體,可用于構(gòu)建新一代人工視覺系統(tǒng)。

  近日,相關(guān)研究成果以開放獲取的形式發(fā)表在Advanced Functional Materials上,并被選為當(dāng)期封面論文。該成果申請了發(fā)明專利。研究工作得到中科院腦科學(xué)與智能技術(shù)卓越創(chuàng)新中心、國家自然科學(xué)基金面上項目、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項、浙江省自然科學(xué)基金重大項目等的資助。

  論文鏈接 

   

  圖1.(a)全光控憶阻器工作模式示意圖;(b)全光信號調(diào)控下的電導(dǎo)可逆轉(zhuǎn)變;(c)類人腦學(xué)習(xí)規(guī)則模擬

   

  圖2.封面論文

附件:
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