日本豐橋技術(shù)科學(xué)大學(xué)的Hiroto Sekiguchi教授團(tuán)隊與ALLOS Semiconductors GmbH公司共同合作，研發(fā)了用于新型體內(nèi)神經(jīng)應(yīng)用的高效氮化物基微型LED芯片。在豐橋技術(shù)科學(xué)大學(xué)， Hiroto Sekiguchi教授致力于氮化物半導(dǎo)體的開發(fā)已有十多年。研究小組將利用他們的硅工藝技術(shù)和ALLOS的GaN-on-Si技術(shù)，開發(fā)一種新型神經(jīng)探針，該探...
德國弗賴堡的弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所（ IAF ）已啟動一個糾纏光子的緊湊型片上光源項(xiàng)目，這是實(shí)現(xiàn)工業(yè)量子技術(shù)應(yīng)用的重要組成部分。在QuoAlA項(xiàng)目（ AlGaAs Bragg反射波導(dǎo)的電信波長量子糾纏光子對源）中，科學(xué)家們正在研究將砷化鋁鎵（ AlGaAs ）作為產(chǎn)生糾纏光子源的波導(dǎo)， AlGaAs可以實(shí)現(xiàn)特別緊湊的設(shè)計和芯片集...
近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員李昕欣課題組首次采用原位電鏡（ TEM ）觀測技術(shù)并結(jié)合熱力學(xué)參數(shù)測量驗(yàn)證，從原子級層面揭示了氧化鋅納米線納米尺度的構(gòu)效關(guān)系機(jī)理。該研究采用原位TEM技術(shù)實(shí)時觀察了兩種不用尺度ZnO納米線在SO2氣氛下的形貌演變，表明小尺度ZnO納米線在反應(yīng)過...
石墨烯獨(dú)特的結(jié)構(gòu)蘊(yùn)含豐富且新奇的物理，不僅為基礎(chǔ)科學(xué)提供了重要的研究平臺，而且在電子、光電子、柔性器件等領(lǐng)域顯現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。為了充分發(fā)揮石墨烯的優(yōu)異性質(zhì)并實(shí)現(xiàn)其工業(yè)生產(chǎn)與應(yīng)用，須找到合適的材料制備方法，使制備出的石墨烯能夠同時滿足大面積、高質(zhì)量、與現(xiàn)有的硅工藝兼容等條件。目前為止，大面積、...
近日，微電子所劉明院士科研團(tuán)隊研究成果成功入選2021年第68屆國際固態(tài)集成電路會議（ ISSCC。這是微電子所首次以第一作者單位在集成電路設(shè)計領(lǐng)域最高級別會議上發(fā)表論文。本研究主要通過電路設(shè)計手段解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)RRAM遇到的以下幾個關(guān)鍵問題：第一，由于RRAM的工作電壓大于標(biāo)準(zhǔn)電壓以及寫入路徑上會產(chǎn)生一定的電壓...
東南大學(xué)和中國南京電子設(shè)備研究所要聲稱首次演示了將晶圓級制造的高頻磷化銦（ InP ）雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)雙極晶體管（ DHBT ）轉(zhuǎn)移到柔性基板上。該團(tuán)隊報告，獲得了截止頻率fT = 337GHz和最大振蕩頻率fMAX = 485GHz ，這是迄今為止柔性電子領(lǐng)域報道的最高結(jié)果。研究人員將他們在晶圓規(guī)模上的成果與以前的報告進(jìn)行了對比，以前...
近日，中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所研究員王軍虎團(tuán)隊與研究員黃延強(qiáng)團(tuán)隊合作，利用自主研發(fā)的原位電化學(xué)穆斯堡爾譜裝置，對Ni-Fe基催化劑在電催化析氧反應(yīng)（ OER ）中的作用機(jī)理開展深入探索。該合作團(tuán)隊通過實(shí)驗(yàn)，在OER起始電位附近觀察到存在大量Fe4 + ，并進(jìn)一步證實(shí)了OER的電流密度與原位產(chǎn)生的高價鐵物種含量密切...
近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實(shí)驗(yàn)室在極紫外光刻的計算光刻技術(shù)研究方面取得進(jìn)展。研究人員針對極紫外光刻，提出了一種基于厚掩模模型和社會學(xué)習(xí)粒子群算法（ social learning particle swarm optimization , SL-PSO ）的光源掩模優(yōu)化技術(shù)（ Source and mask optimization , SMO ） 。仿真...
二維金屬有機(jī)框架（ metal-organic framework ， MOF ）薄膜是金屬離子與有機(jī)配體之間通過配位鍵形成的多孔晶體材料。由于其具有高的比表面積、穩(wěn)定的化學(xué)結(jié)構(gòu)和可調(diào)的物理化學(xué)性質(zhì)，在催化、能源、氣體分離、生物醫(yī)藥、化學(xué)傳感等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。目前，制備高質(zhì)量大面積二維MOF薄膜仍存在挑戰(zhàn)。,研究人員以六...
近日，中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所科研人員與南京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、東華大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)及上海科技大學(xué)的相關(guān)團(tuán)隊合作，提出了原子尺度上精細(xì)調(diào)控Ⅱ型狄拉克半金屬的新方法。該研究成果以Colossal Terahertz Photoresponse at Room Temperature : A Signature of Type-II Dirac Fermiology （ DOI ： 10.1021 / ...
德國和荷蘭的研究人員已經(jīng)使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（ MOCVD ）來創(chuàng)建AlScN勢壘高電子遷移率晶體管（ HEMT ） 。該團(tuán)隊還使用氮化硅（ SiNx ）蓋材料來代替更常見的氮化鎵（ GaN ） ，據(jù)該團(tuán)隊所知該材料此前從未被研究過。AlScN的研究工作建立在一篇關(guān)于MOCVD增長報告的基礎(chǔ)上，該報告由弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所（...
瑞士的IBM Research Europe和洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（ EPFL ）共同開發(fā)了一種工藝，用于硅襯底上的混合III-V隧道場效應(yīng)晶體管（ TFET ）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ MOSFET ）制造。與MOSFET的62mV/decade相比，使用帶間隧穿而不是熱電子發(fā)射使TFET能夠?qū)崿F(xiàn)低得多的亞閾值擺幅（ SS ） ，低至42mV/decade 。該團(tuán)隊使用...
電荷輸運(yùn)機(jī)制的研究是設(shè)計與構(gòu)筑新型納米電子器件的基礎(chǔ)。和半導(dǎo)體器件中的電子信號不同，生命體內(nèi)信息的處理往往基于復(fù)雜的離子和電子同時參與的物質(zhì)輸運(yùn)過程。因此，揭示離子電荷與電子電荷耦合輸運(yùn)的基本規(guī)律，通過人工操控兩種電荷之間的相互作用與輸運(yùn)過程以構(gòu)筑納米電子器件具有重要的科學(xué)意義、創(chuàng)新性與應(yīng)用價值...
近日，中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院微創(chuàng)中心研究員王磊團(tuán)隊設(shè)計出一種基于ZnO納米棒結(jié)構(gòu)的新型柔性織物基底壓電壓力傳感器。相關(guān)研究成果以High-Performance Textile Piezoelectric Pressure Sensor with Novel Structural Hierarchy Based on ZnO Nanorods Array for Wearable Application為題，發(fā)表在Nano Research上...
近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家示范性微電子學(xué)院教授程林課題組在全集成隔離電源芯片設(shè)計領(lǐng)域取得重要成果。該研究提出了一種基于玻璃扇出型晶圓級封裝（ FOWLP ）的全集成隔離電源芯片。所提出的架構(gòu)通過在單個玻璃襯底上利用三層再布線層（ RDL ）實(shí)現(xiàn)了高性能微型變壓器的繞制，并完成與發(fā)射和接收芯片的互聯(lián)，有效地提...
金屬-有機(jī)骨架材料（ MOF ）在電子學(xué)和光子學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，例如MOF的多孔性和低介電常數(shù)使其有望成為未來電子設(shè)備中高性能絕緣體的候選。不過，用于電子設(shè)備的前提是材料可以方便的進(jìn)行圖案化，而MOF材料的亞微米尺度圖案化正是目前制約其發(fā)展的主要挑戰(zhàn)之一。不過，一個問題是如何將這種方法推廣到其他MOF...
表面肌電意圖識別技術(shù)是人機(jī)融合智能技術(shù)發(fā)展的重要支撐技術(shù)，在智能假肢、康復(fù)機(jī)器人等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值，然而，該技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中常受到電極偏移、個體性差異、肌肉疲勞、肢體姿態(tài)或其他綜合性干擾等多種因素的影響，難以推廣使用。如何克服上述因素的影響是目前急需解決的關(guān)鍵問題。針對電極偏移這一難點(diǎn)問題，...
在續(xù)航里程焦慮的不斷刺激下，液態(tài)鋰金屬電池因其高能量密度而成為關(guān)注熱點(diǎn)，但鋰金屬負(fù)極的嚴(yán)重失效制約了鋰金屬電池的商業(yè)化發(fā)展。目前，學(xué)界對鋰金屬負(fù)極失效和保護(hù)的機(jī)理認(rèn)知尚存爭議。傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為，鋰枝晶的生長是金屬鋰負(fù)極失效的主要原因。然而，實(shí)際上，盡管文獻(xiàn)中報道了無枝晶生長的金屬鋰負(fù)極，但采用高面容...
量子計算是未來信息技術(shù)發(fā)展的重要方向，在一些特定領(lǐng)域具有較大應(yīng)用潛力。基于硅量子點(diǎn)的量子比特是實(shí)現(xiàn)通用量子計算最有前景的方案之一，具有較長的退相干時間和出色的CMOS制造工藝兼容性。目前，硅量子點(diǎn)量子計算正處在采用集成電路先進(jìn)制造工藝實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)規(guī)模集成并進(jìn)行量子比特擴(kuò)展驗(yàn)證的關(guān)鍵研究階段。近期，中國...
基于有機(jī)高分子半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管具有柔性、價廉、質(zhì)輕、可大面積制備等優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)智能電子器件及生物可穿戴器件等領(lǐng)域，近年來得到了研究與關(guān)注。為此，人們研究了一系列高性能的p -型、 n -型和雙極性有機(jī)高分子半導(dǎo)體。同時，具有多種功能以及性能可調(diào)的有機(jī)半導(dǎo)體場效應(yīng)器件也得到了越來越多的重視...
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