6月1日，“2021集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化前沿技術(shù)研討會(huì)”在北京國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。本次會(huì)議由中科院微電子所主辦，中科院微電子所EDA中心（三維及納米集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室）承辦。國(guó)家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)專家組總體組組長(zhǎng)葉甜春，中科院微電子所黨委書(shū)記、副所長(zhǎng)（主持工作）戴博偉，華大九天董事長(zhǎng)劉偉平...
導(dǎo)體制造業(yè)的水資源管理可分為三個(gè)方面:用水、廢水管理以及再生水。廢水管理中的“廢水”一般指“因含有液態(tài)或固態(tài)污染物而無(wú)法直接使用的水” ,半導(dǎo)體工業(yè)廢水主要在晶圓清洗工藝和廢氣處理設(shè)備處理污染物后排放.因此,在全世界對(duì)半導(dǎo)體的需求持續(xù)增長(zhǎng)的情況下,水資源管理對(duì)于推進(jìn)綠色半導(dǎo)體工程而言是重中之重,對(duì)于中國(guó)...
美國(guó)科學(xué)家在最新一期《物理學(xué)評(píng)論快報(bào)》雜志撰文指出，他們開(kāi)發(fā)了一種新方法，合成出了一種擁有六邊形結(jié)構(gòu)的新型晶型硅，這種晶型硅有可能被用于制造新一代電子和能源器件。雖然從理論上來(lái)說(shuō)，很多硅的同素異形體擁有更好的物理性能，但由于缺乏合成途徑，因此，很難發(fā)揮硅的最大潛力。”以前曾有其他科學(xué)家合成出六邊...
鋰硫電池是以硫元素為電池正極，鋰為負(fù)極的一種鋰電池，具有價(jià)格低廉、環(huán)境友好、理論能量密度高等特點(diǎn)，被視為高比能電池中最具潛力的鋰離子電池技術(shù)之一。作為鋰硫電池的關(guān)鍵組成部分，電極材料的設(shè)計(jì)和制備對(duì)電池整體性能提升意義重大。近日，中科院大連化學(xué)物理研究所研究員吳忠?guī)泩F(tuán)隊(duì)，設(shè)計(jì)并制備出一種氮化鈮—氧...
5月30日，中國(guó)科學(xué)院第二十次院士大會(huì)舉行學(xué)部第七屆學(xué)術(shù)年會(huì)全體院士學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì)。中科院院士黃如在報(bào)告會(huì)上探討了后摩爾時(shí)代集成電路技術(shù)的發(fā)展態(tài)勢(shì)。她說(shuō)，當(dāng)前，集成電路技術(shù)發(fā)展進(jìn)入重要的歷史轉(zhuǎn)折期，線寬縮小不再是唯一技術(shù)路線，而是走向功耗和應(yīng)用為驅(qū)動(dòng)的多樣化發(fā)展路線，技術(shù)革新呈現(xiàn) N 分天下的態(tài)勢(shì)。進(jìn)入后...
中科院微電子所近期發(fā)表了先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊(duì)在垂直納米環(huán)柵器件領(lǐng)域獲得的最新進(jìn)展，該類型器件通過(guò)在垂直方向構(gòu)建晶體管結(jié)構(gòu)，大大減少了器件占用面積，在3nm以下先進(jìn)集成電路制造工藝領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力。針對(duì)器件樣品，研究了VSAFET的特性，以及金屬硅化物工藝、 Si-Cap 、溝道Ge含量和熱處理過(guò)程等器件性能影響因素...
不久前，包括中國(guó)科學(xué)家在內(nèi)的國(guó)際團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一種比發(fā)絲直徑還小的“微型千紙鶴”，在電壓的作用下，不到一秒就可以自動(dòng)從平面折疊完成。作為一種大小只有幾十微米的新型微型驅(qū)動(dòng)器，這種充滿想象力的千紙鶴是微納米機(jī)器人研發(fā)領(lǐng)域的又一突破，有助于未來(lái)在微納米水平上完成復(fù)雜而精細(xì)的工作。 人們對(duì)微納米機(jī)器人的暢想...
“目前科學(xué)界更需要關(guān)注的是灰色地帶的誠(chéng)信問(wèn)題，比如，用不實(shí)、浮夸方式報(bào)道自己的成果。中國(guó)科學(xué)院第二十次院士大會(huì)期間，中國(guó)科學(xué)院學(xué)部舉行了“弘揚(yáng)科學(xué)家精神和加強(qiáng)學(xué)風(fēng)建設(shè)”報(bào)告會(huì)。在此基礎(chǔ)上，結(jié)合本次院士大會(huì)召開(kāi)，經(jīng)中國(guó)科學(xué)院學(xué)部主席團(tuán)研究審議，決定舉辦此次道德學(xué)風(fēng)報(bào)告會(huì)。？這是中國(guó)科學(xué)院學(xué)部首次在...
目前，半導(dǎo)體主流制程主要采用硅作為主流材料。然而，由于金屬誘導(dǎo)隙態(tài)（ MIG ）金屬-半導(dǎo)體界面上的能量勢(shì)壘從根本上導(dǎo)致高接觸電阻和低電流傳輸能力，迄今為止限制了二維半導(dǎo)體晶體管的改進(jìn)。臺(tái)灣大學(xué)、臺(tái)積電與美國(guó)麻省理工學(xué)院使用半金屬鉍（ Bi ）材料制作二維材料的接觸電極，可大幅降低電阻并提高電流，促進(jìn)更小...
近期，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心羅軍研究員課題組與中科院半導(dǎo)體所王開(kāi)友研究員課題組合作研制出全線性的電流誘導(dǎo)多態(tài)自旋軌道耦合（ SOT ）磁性存儲(chǔ)器件，并實(shí)現(xiàn)了低能耗、可編輯的突觸功能，對(duì)基于SOT-MRAM的低功耗存算一體邏輯和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算提供了一種新方法。當(dāng)前，存算一體和人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片領(lǐng)域亟需...
來(lái)自名城大學(xué)、三重大學(xué)，旭化成公司和名古屋大學(xué)的研究小組實(shí)現(xiàn)了13.3kA / cm2的電流密度閾值，迄今為止，這是以300nm波長(zhǎng)發(fā)射的UV-B激光二極管（ LD ）的最低閾值電流密度，他們的工作重點(diǎn)是優(yōu)化波導(dǎo)厚度和包層結(jié)構(gòu)。諧振器長(zhǎng)度為2000 μ m ， p電極寬度為10 μ m的激光二極管的激光閾值電流密度為14.2kA/cm2 ，而該小...
科技是第一生產(chǎn)力，但并不簡(jiǎn)單等同于生產(chǎn)力，只有把具有實(shí)用價(jià)值的科技成果商品化、產(chǎn)業(yè)化，科技才能變成生產(chǎn)力。筆者呼吁，高校和科研院所要更加重視科研管理人員在科技成果轉(zhuǎn)化中的作用，出臺(tái)相應(yīng)的針對(duì)性激勵(lì)措施，鼓勵(lì)科研管理人員深度參與高校和科研院所成果轉(zhuǎn)化，特別是重大科技成果的轉(zhuǎn)化。筆者也建議，深度參與...
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)郭國(guó)平、李海歐研究組與本源量子計(jì)算公司等合作，對(duì)集成微磁體的硅基量子點(diǎn)進(jìn)行研究，發(fā)現(xiàn)了自旋量子比特操控的各向異性：通過(guò)改變外加磁場(chǎng)與硅片晶向的相對(duì)方向，可以將自旋量子比特的操控速率、退相干速率、可尋址性進(jìn)行同時(shí)優(yōu)化。然而，嵌入微磁體的硅基量子點(diǎn)會(huì)大幅增加電荷噪聲對(duì)量...
隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興信息技術(shù)的發(fā)展，信息處理已由計(jì)算密集型向數(shù)據(jù)密集型轉(zhuǎn)移，亟需具有非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)處理能力的低延時(shí)、低能耗邊緣計(jì)算系統(tǒng)，滿足終端設(shè)備對(duì)未來(lái)海量非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)處理能力的需求。受生物啟發(fā)的脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ SNN ）因其使用稀疏、異步的脈沖序列作為輸入/輸出，并以存內(nèi)計(jì)算的方式處理信息而具...
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)25日發(fā)布消息，該校李傳鋒、周宗權(quán)研究組近期成功將光存儲(chǔ)時(shí)間提升至1小時(shí)，大幅刷新8年前德國(guó)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造的1分鐘的世界紀(jì)錄，向?qū)崿F(xiàn)量子U盤邁出重要一步。光的存儲(chǔ)在量子通信領(lǐng)域尤其重要，因?yàn)橛霉饬孔哟鎯?chǔ)可以構(gòu)建量子中繼，從而克服傳輸損耗建立遠(yuǎn)程通信網(wǎng)。另一種遠(yuǎn)程量子通信解決方案是量子U盤，即把...
韓國(guó)的研究人員聲稱，針對(duì)柵長(zhǎng)超過(guò)100nm的RF晶體管，采用硅電路的三維單片集成（M3D），可以實(shí)現(xiàn)最高截止頻率和最大振蕩頻率。研究人員認(rèn)為，III-V材料與硅電路的結(jié)合將促進(jìn)毫米波范圍內(nèi)的混合信號(hào)射頻模擬和數(shù)字邏輯功能的發(fā)展。III-V材料可通過(guò)分子束外延（MBE）在磷化銦（InP）襯底上生長(zhǎng)。溝道區(qū)是砷化銦鎵（InGaAs...
來(lái)自新加坡麻省理工學(xué)院科技聯(lián)合項(xiàng)目（SMART）的低能耗電子系統(tǒng)（LEES）跨學(xué)科研究小組（IRG）與麻省理工學(xué)院（MIT）和新加坡國(guó)立大學(xué)（NUS）共同找到了一種方法，以量化不同銦濃度下氮化銦鎵（InGaN）量子阱（QWs）中成分波動(dòng)的分布。InGaN發(fā)光二極管因其高效率、耐用性和低成本徹底改變了固態(tài)照明。可以通過(guò)改變InGaN...
鋰離子電池和超級(jí)電容器是常用的電化學(xué)儲(chǔ)能器件。傳統(tǒng)鋰離子電池受限于遲緩的體相反應(yīng)，功率性能較差；超級(jí)電容器利用快速表面過(guò)程存儲(chǔ)電荷，能量密度較低，這兩個(gè)“種子選手”并不適用于對(duì)能量和功率密度都有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所研究員吳忠?guī)泩F(tuán)隊(duì)在混合型電化學(xué)儲(chǔ)能器件研制方面取...
氮化鋁具有6.1eV的超寬帶隙，這對(duì)于制造大功率和高壓電子產(chǎn)品而言具有誘人的吸引力，同時(shí)在約200nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)兼有深紫外光電子學(xué)的潛力。寬帶隙材料在實(shí)現(xiàn)高電導(dǎo)率方面具有挑戰(zhàn)性。改善AlN中的電導(dǎo)率涉及降低螺紋位錯(cuò)和鋁空位硅（VAl-nSi）絡(luò)合物的密度。這些缺陷通過(guò)俘獲淺至約70meV供體態(tài)的電子，降低了硅作為摻雜劑的...
超寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于3.4eV的半導(dǎo)體材料，它的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子遷移率等性能，以及耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射的能力均優(yōu)于現(xiàn)有大規(guī)模應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在超高壓電力電子器件、射頻電子發(fā)射器、深紫外光電探測(cè)器和量子通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)研究人員在藍(lán)寶石襯底...
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