據(jù)TechXplore網(wǎng)3月30日消息，沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)開發(fā)出一種名為“熱互擴(kuò)散合金化”（Thermal Interdiffusion Alloying，TIA）的工藝，可制造包含鋁、鎵和銦等第III族元素的超寬禁帶半導(dǎo)體。 

　　超寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于3.4eV的半導(dǎo)體材料，它的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子遷移率等性能，以及耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射的能力均優(yōu)于現(xiàn)有大規(guī)模應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在超高壓電力電子器件、射頻電子發(fā)射器、深紫外光電探測(cè)器和量子通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。阿卜杜拉國王科技大學(xué)研究人員在藍(lán)寶石襯底上制作常見的氧化鎵樣品，隨后將樣品加熱到1000~1500攝氏度的高溫，使氧化鎵樣品固化。加熱過程中，鋁原子會(huì)從藍(lán)寶石緩慢擴(kuò)散到氧化鎵中，而鎵原子沿相反的方向移動(dòng)以混合并生成鋁鎵氧化物合金。更高的溫度和更長的過程導(dǎo)致更多的相互擴(kuò)散現(xiàn)象，從而生產(chǎn)出具有更高鋁成分的合金。通過控制加熱時(shí)間和溫度，研究人員能在0~81%之間控制鋁元素的占比，從而使超寬禁帶半導(dǎo)體擁有不同的性能。 

　　論文信息：Che-Hao Liao et al. Wide range tunable bandgap and composition β-phase (AlGa)₂O₃ thin film by thermal annealing, Applied Physics Letters (2021)

　　論文鏈接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0027067