2021環(huán)球時報年會12月5日在北京舉行，本次年會的主題是“疫情下世界危局與變局” 。在議題四“化解‘卡脖子’會不會走入新誤區(qū)”的討論中，中科院集成電路創(chuàng)新研究院（籌）院長葉甜春表示，面對競爭，中國或許可以著手建立一個“以我為主、不依賴于某一個國家的”全球合作新生態(tài)。葉甜春認(rèn)為，中國已經(jīng)有非常強的綜合科...
香港科技大學(xué)使用氮氧化鎵（GaON）表面增強層（SRL）來提高p型柵極GaN溝道功率高電子遷移率晶體管（HEMT）的柵極電壓窗口和長期可靠性。與其他有關(guān)p-GaN HEMT的報告相比，該設(shè)備在10年的使用壽命中提供了最高的最大柵極電壓。對于p-GaN柵極HEMT，研究人員使用了專為E模式p-GaN柵極功率HEMT設(shè)計的6英寸硅上GaN（GaN/Si）...
美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（ UCSB ）通過金屬有機化學(xué)氣相沉積（ MOCVD ）生長的隧道結(jié)微米級藍(lán)色發(fā)光二極管（ TJ μ LED ）具有迄今為止記錄的最高性能。研究人員在藍(lán)寶石上使用了商用藍(lán)色LED材料作為TJ結(jié)構(gòu)過度生長的模板。通過熱退火分解p-GaN中的Mg-H絡(luò)合物并去除氫原子是激活p-GaN的關(guān)鍵點，最后進(jìn)行LED的制造。...
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子態(tài)自旋的調(diào)控，有望用于構(gòu)筑未來實用化的自旋量子器件，是目前凝聚態(tài)物理研究的熱點領(lǐng)域之一。近年來，基于過渡金屬的籠目晶格（ kagome lattice ）化合物成為揭示和探索包括幾何阻挫、關(guān)聯(lián)效應(yīng)和磁性以及量子電子態(tài)的拓?fù)湫袨榈蓉S富物理學(xué)性質(zhì)的新穎材料平臺。在這些近層狀堆疊的晶...
美國IBM T J Watson研究中心開發(fā)了一種晶圓級封裝工藝，將III-V光伏（ PV ）器件與電子元件集成起來，以實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）應(yīng)用。研究人員聲稱，他們的塵埃大小的器件“比所有先前在硅（ Si ）和絕緣體上的硅（ SOI ）襯底上的微pv獲得更高的功率密度” 。研究人員報告說： “我們的研究表明，我們的單片集成微型光伏是...
新加坡IGSS GaN Pte Ltd （ IGaN ）指出，近年來，由于GaN功率和RF器件在各種應(yīng)用中的采用越來越多， GaN基產(chǎn)品的需求不斷增長。該公司開發(fā)并商業(yè)化了GaN-on-Si / SiC外延晶片和專有的8英寸（ 200毫米） GaN制造技術(shù)，用于功率、 RF和傳感器應(yīng)用。GaN基材料的寬禁帶可提供顯著的擊穿電場和高漂移速度，適用于制造大功率...
美國紐約州立大學(xué)理工學(xué)院（ SUNY Poly ）的兩名研究人員聲稱4H多型碳化硅（ SiC ）側(cè)向金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ MOSFET ）具有創(chuàng)紀(jì)錄的性能。特別是柵漏間距為2.5 μ m的0.3 μ m溝道器件可實現(xiàn)7.7m Ω - cm2的比導(dǎo)通電阻和450V擊穿。兩名研究人員設(shè)計了各種尺寸不同的MOSFET ，襯底具有6 μ m重?fù)诫sn +漂移層。...
10月15日，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路分會第七屆會員大會在上海召開。會議認(rèn)為，在我國集成電路產(chǎn)業(yè)新一輪發(fā)展過程中，集成電路分會要更好地發(fā)揮橋梁和紐帶作用，凝聚廣大會員單位和產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的力量，營造產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的生態(tài)環(huán)境，進(jìn)一步加強行業(yè)交流合作，促進(jìn)創(chuàng)新發(fā)展，增強互利共贏，促進(jìn)我國集成電路制造業(yè)技...
10月22 ~ 24日，為期三天的2020中國計算機大會（ CNCC2020 ）在北京舉行。在作大會特邀報告時，中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所研究員劉明表示，就集成電路而言， “核心技術(shù)的發(fā)展沒有捷徑和彎道，需要夯實基礎(chǔ)，長遠(yuǎn)布局” 。據(jù)介紹，近10年來，中國集成電路產(chǎn)業(yè)維持高速成長，年均復(fù)合增長率超過20% 。政府對...
中國和日本的研究人員一直在探索多量子阱（ MQW ） III氮化物二極管陣列的同時發(fā)射檢測能力。研究團隊希望可以用這種多功能設(shè)備，開發(fā)用于物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）部署的先進(jìn)整體式III族氮化物信息系統(tǒng)。III族氮化物二極管具有發(fā)射和檢測光的能力。研究人員實現(xiàn)了自動光亮度控制設(shè)置，其中405nm激光指示器可以發(fā)出編碼的脈沖序列...
以光為信息載體實現(xiàn)通信的光通信技術(shù)，憑借優(yōu)異的速度傳輸性能和強大的信息容量成為現(xiàn)代社會最重要的技術(shù)之一。執(zhí)行光電信號轉(zhuǎn)換的光電探測器是光電鏈路的基本組成部分之一，雖然硅基光電探測器廣泛應(yīng)用于可見光譜范圍（ 0.4 - 0.7 μ m ） ，但通訊窗口1.31 μ m和1.55 μ m的近紅外光子能量并不足以克服Si帶隙（ 1.12 ...
據(jù)國外媒體報道，在5nm工藝今年一季度投產(chǎn)，為蘋果等客戶代工最新的處理器之后，芯片代工商臺積電下一步的工藝研發(fā)重點就將是更先進(jìn)的3nm和2nm工藝。在7月16日的二季度財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家透露，他們3nm工藝的研發(fā)正在按計劃推進(jìn)，仍將采用成熟的鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)（ FinFET ） ，計劃在明年風(fēng)險試...
有機聚合物熱電材料是一類新興的可實現(xiàn)熱與電直接轉(zhuǎn)換的清潔能源材料，這類材料可溶液加工、質(zhì)輕價廉、具有優(yōu)異的柔韌性，在可穿戴電子器件領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價值。與無機熱電材料相比，聚合物熱電材料種類匱乏、熱電轉(zhuǎn)換性能低，主要原因是缺乏對分子結(jié)構(gòu)與熱電性能關(guān)系的深入認(rèn)識。化學(xué)摻雜是提高聚合物導(dǎo)電能力、調(diào)控...
中國蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（ SINANO ）已在硅上使用n型脊形波導(dǎo)（ nRW ）制造了氮化銦鎵（ InGaN ）發(fā)射紫光的激光二極管（ LDs ） ，與pRW LDs相比，其電阻更低，熱性能更好。普通工藝要求基于InGaN的激光二極管中的RW位于器件的p側(cè)，但p-GaN的電阻比n-GaN的電阻大得多，因此出現(xiàn)了熱和電問題。該團隊認(rèn)為nRW-L...
瑞士意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ）推出了MasterGaN ，是第一個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片以及一對氮化鎵（ GaN ）晶體管的平臺。這個集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應(yīng)用。據(jù)估計，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小8...
美國加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校（ UCSB ）的研究人員采用了失配位錯（ MD ）移離阱內(nèi)量子點有源層，提高了硅基砷化銦量子點激光二極管（ InAs QD LD ）的性能。然后，研究人員生產(chǎn)了激光結(jié)構(gòu)，并制成了3 μ mx1.5mm的脊形波導(dǎo)激光二極管。使用斷層掃描技術(shù)進(jìn)行的更深入檢查表明，存在陷阱層，也存在一些螺紋位錯滑移，...
氮化鎵（ GaN ）是一種寬禁帶半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體的典型代表。與第一代半導(dǎo)體硅基的器件相比， GaN器件具有更高耐壓、更快開關(guān)頻率、更小導(dǎo)通電阻等特性，在功率電子器件領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。相關(guān)研究顯示， GaN器件適用于68%的功率器件市場。在功率轉(zhuǎn)換電路中應(yīng)用GaN器件可消除整流器在進(jìn)行交直流轉(zhuǎn)換時90%的能量損失，...
近日，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心陳大鵬研究員課題組與中北大學(xué)熊繼軍教授課題組合作在表面增強拉曼（ SERS ）生化檢測研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。此類傳感器相比同類液相環(huán)境下檢測的傳感器，表現(xiàn)出更高的檢測能力，能夠?qū)崿F(xiàn)對羅丹明6G的低極限檢測（ 100 fM ） ，對液體活檢分析中常用的功能性探針分子（對氨基...
中國研究人員發(fā)布第一個在絕緣體上硅（ SOI ）襯底上的電泵浦砷化銦量子點砷化鎵基質(zhì)（ InAs / GaAs QD ）窄脊Fabry-Perot （ FP ）激光器。激光器的有源區(qū)域由GaAs矩陣中的7層InAs QD組成，形成了井中點（ DWELL ）結(jié)構(gòu)。注入電流為200mA 、 240mA時，脈沖模式下的輸出功率，前者小于5mW ，后者最大為6.5mW 。研究小組...
中國河北大學(xué)宣布使用鉍碲硒（ Bi2Te2.7Se0.3 ）開發(fā)了一系列光電功能器件。該材料具有0.16eV的窄帶隙的二維結(jié)構(gòu)。研究人員認(rèn)為這使將來可能實現(xiàn)在一個設(shè)備中結(jié)合信息通信、計算和存儲功能。光學(xué)照明產(chǎn)生自由移動的電子-空穴對-電子朝著被俘獲的Pd電極移動，在鉍碲硒/ SiO2界面上留下正電荷。研究人員使用該結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了“...
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