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科研動(dòng)態(tài)

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鍺硅高遷移率溝道器件技術(shù)與集成工藝研發(fā)階段性進(jìn)展
2020-05-20

近日，中科院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心王文武/李永亮課題組在鍺硅高遷移率溝道器件技術(shù)與集成工藝研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。課題組提出了一種在三層應(yīng)變緩沖層（ SRB ）上外延鍺硅材料的技術(shù)，并通過鍺硅鰭（ Fin ）刻蝕、新的淺槽隔離（ STI ）工藝等關(guān)鍵模塊研發(fā)，成功實(shí)現(xiàn)了50%鍺硅Fin的導(dǎo)入集成，為鍺...

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微電子所在阻變存儲(chǔ)器與鐵電FinFET方向取得突破性進(jìn)展
2018-12-10

近日， 2018國際電子器件大會(huì)（ IEDM ）在美國舊金山召開。會(huì)上，微電子所劉明院士科研團(tuán)隊(duì)展示了28納米嵌入式阻變存儲(chǔ)器可靠性優(yōu)化以及基于HfZrO鐵電FinFET器件的最新研究成果。針對(duì)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的嵌入式存儲(chǔ)器缺失問題，劉明院士團(tuán)隊(duì)與殷華湘研究員合作提出了基于HZO鐵電FinFET的混合存儲(chǔ)器件。基于HfZrO2鐵電材料的Fi...

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微電子所在新型硅基環(huán)柵納米線MOS器件研究中取得重要進(jìn)展
2018-04-24

近日，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在面向5納米以下技術(shù)代的新型硅基環(huán)柵納米線（ Gate-all-around silicon nanowire ， GAA SiNW ） MOS器件的結(jié)構(gòu)和制造方法研究上取得重要進(jìn)展。針對(duì)上述納米線晶體管架構(gòu)在集成電路發(fā)展應(yīng)用中所面臨的難題，殷華湘研究員研發(fā)團(tuán)隊(duì)提出在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)...