隨著集成電路制造技術(shù)持續(xù)演進，堆疊納米片環(huán)柵場效應晶體管（ Stacked Nanosheets GAA FET ）在3納米以下節(jié)點將替代傳統(tǒng)鰭型晶體管（ FinFET ） ，從而進一步推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。但面對大規(guī)模制造的需求， GAA晶體管技術(shù)還需突破N型與P型器件工作電流（ Ion ）嚴重失配和閾值電壓（ Vth ）調(diào)控困難等關(guān)鍵挑戰(zhàn)，對納米...
垂直堆疊納米線/納米片全包圍柵（ Gate All Around , GAA ）互補場效應晶體管（ Complementary Field Effect Transistor ， CFET ） ，將不同導電溝道類型（ N-FET和P-FET ）的GAA器件在垂直方向進行高密度三維單片集成。相較于現(xiàn)有主流FinFET與水平GAA晶體管集成電路工藝， CFET突破了傳統(tǒng)N/P - FET共平面布局間距的尺...
垂直溝道納米器件因其對柵長限制小、布線靈活及便于3D一體集成等天然優(yōu)勢，在1納米邏輯器件/10納米DRAM存儲器及以下技術(shù)代的集成電路先進制造技術(shù)方面具有巨大應用潛力。對于高性能垂直單晶溝道納米晶體管，現(xiàn)階段控制溝道尺寸最好方法是采用先進光刻和刻蝕技術(shù)，但該技術(shù)控制精度有限，導致器件性能波動過大，不能滿足...
垂直自旋軌道矩磁隧道結(jié)器件（SOT-MTJ）是新一代磁隨機存儲技術(shù)的核心單元，它具有非易失、高速、低功耗、讀寫壽命長等特點，極有希望成為下一代非易失磁存儲技術(shù)。但是垂直SOT-MTJ器件需要外磁場輔助才能實現(xiàn)定向?qū)懭搿Ｍ獯艌龅囊霑е骂~外的功耗、面積消耗，并會導致串擾等問題。如何實現(xiàn)無外磁場下定向高速寫入的S...
自旋邏輯器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等優(yōu)點，尤其是基于SOT的自旋邏輯器件具有高速、高耐久性，因而更加適合存內(nèi)計算領(lǐng)域的應用，具有巨大的應用潛力。然而，目前報道的SOT邏輯器件大都是以雙極性電信號的形式進行邏輯操作，需要額外的輔助電路對給定電信號進行轉(zhuǎn)化從而完成邏輯操作（圖1a ） ，導致該...
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