中國(guó)蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（SINANO）已在硅上使用n型脊形波導(dǎo)（nRW）制造了氮化銦鎵（InGaN）發(fā)射紫光的激光二極管（LDs），與pRW LDs相比，其電阻更低，熱性能更好。普通工藝要求基于InGaN的激光二極管中的RW位于器件的p側(cè)，但p-GaN的電阻比n-GaN的電阻大得多，因此出現(xiàn)了熱和電問(wèn)題。

　　該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為nRW-LD器件可以與大規(guī)模的硅基互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）主流電子產(chǎn)品完全兼容，并且可以在單片集成硅光子學(xué)中用作高效的片上光源，以實(shí)現(xiàn)高功率加快數(shù)據(jù)通信和計(jì)算速度。

　　RW-LD的III-氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)在硅上生長(zhǎng)，并控制穿線(xiàn)錯(cuò)位密度。激光二極管結(jié)構(gòu)由夾在波導(dǎo)層之間的五個(gè)InGaN量子阱組成。將激光二極管結(jié)構(gòu)的p面朝下鍵合到具有p型歐姆接觸電極表面的精確Si（100）晶片上。倒置的RW-LD結(jié)構(gòu)使包層的n型側(cè)面約為0.5μm。在非倒置結(jié)構(gòu)中，n覆層位于厚GaN模板的頂部，倒置RW-LD覆層的p側(cè)較厚，為1.2μm。最終將鍵合材料制成10μmx800μmRW-LD器件。

　　研究人員表示低熱導(dǎo)率的n型AlGaN包層厚度減小可以降低由于AlGaN和GaN模板之間晶格失配而產(chǎn)生的熱阻和拉應(yīng)力，從而提高器件性能和制造成品率。

　　在-5V反向偏置下，反向泄漏電流為?10-7A。開(kāi)啟電壓約為3.0V。反向nRW-LD注入350mA時(shí)的差分電阻為1.2Ω，反向器件的熱阻估計(jì)為18.2K / W。在350mA下連續(xù)波（CW）操作下的結(jié)溫為48.5°C。

　　在100mA注入時(shí)，nRW-LD結(jié)構(gòu)的半峰全寬（FWHM）光譜線(xiàn)為12nm。在320mA時(shí)，線(xiàn)寬縮小到0.8nm，在閾值處給出的激光模式波長(zhǎng)為418.3nm。