美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（UCSB）通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)的隧道結(jié)微米級(jí)藍(lán)色發(fā)光二極管（TJμLED）具有迄今為止記錄的最高性能。

　　研究人員在藍(lán)寶石上使用了商用藍(lán)色LED材料作為TJ結(jié)構(gòu)過度生長(zhǎng)的模板。還生產(chǎn)了沒有InGaN夾層的樣品和SAG生產(chǎn)的結(jié)構(gòu)。快速熱退火重新激活p型摻雜。SAG工藝涉及二氧化硅柱的創(chuàng)建，在重新激活退火之前將其除去。通過熱退火分解p-GaN中的Mg-H絡(luò)合物并去除氫原子是激活p-GaN的關(guān)鍵點(diǎn)，最后進(jìn)行LED的制造。

　　在隧道結(jié)中具有3nm n-InGaN中間層的SAG和非SAG器件對(duì)于高達(dá)100μm的器件實(shí)現(xiàn)了合理均勻的光輸出強(qiáng)度。該團(tuán)隊(duì)注意到參考TJμLED的發(fā)光圖像不一致，邊緣處的電發(fā)光（EL）強(qiáng)度更高，而EL強(qiáng)度更暗在中心區(qū)域。

　　InGaN TJ和SAG InGaN TJ之間的差異體現(xiàn)在Vf性能上，SAG工藝可產(chǎn)生較低的值，該值可維持到100μm的尺寸。Vf較低意味著對(duì)于給定的電流注入，輸入功率較低，從而提高了效率。

　　SAG InGaN TJ的3.08V至3.25V之間的變化要小得多。通過SAG孔增強(qiáng)的氫向外擴(kuò)散解釋了性能的提高。來(lái)自同一外延晶片的具有ITO接觸的μLED的Vf在2.93V至2.97V之間變化，并且取決于尺寸。

　　研究人員比較了具有和不具有SAG增強(qiáng)功能的InGaN TJμLED的外部量子效率（EQE）。在同一晶片上生產(chǎn)了具有ITO觸點(diǎn)的LED。器件尺寸均為100μm。ITO觸點(diǎn)在20A/cm²時(shí)，EQE為48％，SAG InGaN TJ為54％，普通的InGaN TJ則為50％。研究人員認(rèn)為EQE的增加是由于透明性、電流擴(kuò)散和光提取效率的提高。