中國(guó)和日本的研究人員一直在探索多量子阱（MQW）III氮化物二極管陣列的同時(shí)發(fā)射檢測(cè)能力。研究團(tuán)隊(duì)希望可以用這種多功能設(shè)備，開(kāi)發(fā)用于物聯(lián)網(wǎng)（IoT）部署的先進(jìn)整體式III族氮化物信息系統(tǒng)。

　　III族氮化物二極管具有發(fā)射和檢測(cè)光的能力。研究人員成功地組合了這些功能，同時(shí)執(zhí)行了這些功能。

　　MQW二極管陣列是在藍(lán)寶石材料上使用2英寸直徑的III型氮化物制造的。使用感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻將n-GaN接觸層暴露到750nm的深度。通過(guò)蒸發(fā)技術(shù)將氧化銦錫透明導(dǎo)體材料施加到p-GaN接觸層上，然后進(jìn)行退火。剝離工藝用于沉積和構(gòu)圖用于n電極和p電極的鉻/鉑/金金屬。

　　4x4陣列中的設(shè)備通過(guò)填充有二氧化硅絕緣層的溝槽，結(jié)合墊和金屬線(xiàn)由鈦/鉑/金形成。各個(gè)MQW二極管的尺寸為1mmx1mm。

　　442nm波長(zhǎng)的電致發(fā)光峰與光響應(yīng)光譜的尾部有36nm的重疊。兩個(gè)陣列元素之間的通信通過(guò)偽隨機(jī)二進(jìn)制序列（PRBS）調(diào)制達(dá)到了每秒2k位的速率。二進(jìn)制脈沖調(diào)制的峰谷電壓差為1.6V。檢測(cè)到的信號(hào)約為1.5mV高。

　　研究人員實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)光亮度控制設(shè)置，其中405nm激光指示器可以發(fā)出編碼的脈沖序列，該脈沖序列將被陣列檢測(cè)到，然后由控制電路進(jìn)行解釋?zhuān)钥紤]環(huán)境光條件將光輸出調(diào)整到所需的水平通過(guò)反饋。

　　該團(tuán)隊(duì)正在開(kāi)發(fā)電路，以有效提取光電流，同時(shí)這些器件也同時(shí)作為L(zhǎng)ED工作。同時(shí)照明成像系統(tǒng)具有三種操作模式：照明、成像和同時(shí)照明成像。這意味著micro-LED屏幕可以同時(shí)顯示圖像。環(huán)境光條件的變化會(huì)在芯片內(nèi)部產(chǎn)生光電流，從而允許反饋信號(hào)來(lái)控制操作。