2022年12月31日，中國科學院舉辦2023跨年科學演講。本次活動以“復興路上的科學力量”為主題，面向全網播出。2023跨年科學演講再度創(chuàng)新，超過15個小時不間斷直播，邀請了諾獎得主、專家學者和科普達人開展內容豐富的演講、探訪、沙龍和慢直播等活動。諾貝爾生理學或醫(yī)學獎得主厄溫·內爾、西昌衛(wèi)星發(fā)射中心原黨委書記孫...
二維層狀半導體材料得益于原子級薄的厚度，受到靜電場屏蔽效應減弱，利用門電壓可對其電學性能進行有效調控。近日，中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內多家單位合作，設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式，將金屬氧化物半導體場效應晶體管（ MOSFET ）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首...
中國共產黨中央委員會、中華人民共和國全國人民代表大會常務委員會、中華人民共和國國務院、中國人民政治協(xié)商會議全國委員會、中國共產黨和中華人民共和國中央軍事委員會，極其悲痛地向全黨全軍全國各族人民通告：我們敬愛的江澤民同志患白血病合并多臟器功能衰竭，搶救無效，于2022年11月30日12時13分在上海逝世，享年9...
NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長等優(yōu)勢，在人工智能、汽車電子和工業(yè)領域中發(fā)揮著不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR閃存在50納米以下技術代的尺寸微縮遇到瓶頸，難以進一步提升集成密度、優(yōu)化器件性能和降低制造成本。為突破上述瓶頸，研究人員提出了多種基于多晶硅溝道的三維NOR （ 3D NOR ）器件，但多晶...
10月10日，微電子所先導中心舉辦“如何進一步增強科研氛圍提升學術素養(yǎng)”研討會。會議由先導中心任期內青促會成員組織。先導中心主任羅軍、副主任王曉磊及青年科研骨干、研究生代表等參會。先導中心副研究員張青竹主持會議。羅軍總結了先導中心面向國家重大需求，在集成電路先導工藝研發(fā)方面取得的科研成果，指出，新形...
在線活動包括“國之大者”“國之傳承”“國之重器”“國之榜樣”四個篇章，通過為以老科學家命名的科技攻關突擊隊授旗、科學家報告和訪談、重大科技基礎設施連線等內容，以生動、翔實、珍貴的畫面，回溯科學大家風范、講述創(chuàng)新團隊故事、呈現(xiàn)科技創(chuàng)新成果。活動展示了科技創(chuàng)新成果背后科技工作者們不忘初心、牢記使命、...
科研人員采用貽貝仿生多巴胺表面修飾方法，將親水性的聚多巴胺修飾于聚合物敏感膜表面，改善聚合物敏感膜的表面親水性，降低蛋白質在傳感器表面的附著，提高了傳感器的防污損性能（ Anal . Chem . .考慮到傳感器表面防污活性材料流失以及生物膜逐漸堆積對傳感器的防污損能力帶來的不利影響，科研人員研制了可更新式防污...
“5、4、3、2、1，點火、起飛！”金秋時節(jié)，戈壁灘上的酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心，一枚“快響利箭”騰空而起，躍向蒼穹。這是由我國自主研制的快舟一號甲固體運載火箭第16次圓滿完成的飛行任務，成功將兩顆試驗衛(wèi)星發(fā)射升空，我國商業(yè)航天探索浩瀚宇宙的腳步更加輕快。 在距離酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心2000多公里外的武漢國家航天產...
荷蘭科學家首次實現(xiàn)了由6個硅基量子比特組成的完全可互操作的量子陣列。而且，他們借助新的芯片設計方法、自動化校準程序，以及量子比特初始化和讀出方法，能以較低錯誤率操作這些量子比特，有望催生硅基可擴展量子計算機。研究人員指出，科學家們已經制造出由超過50個超導量子比特組成的量子陣列，但鑒于硅基技術已經被...
今年1月16日出版的第二期《求是》雜志發(fā)表習近平總書記重要文章《不斷做強做優(yōu)做大我國數(shù)字經濟》 ，文章指出： “要聚焦集成電路、新型顯示、通信設備、智能硬件等重點領域，加快鍛造長板、補齊短板，培育一批具有國際競爭力的大企業(yè)和具有產業(yè)鏈控制力的生態(tài)主導型企業(yè)。隨著技術進步， TFT-LCD （薄膜晶體管液晶顯示...
近日，中國科學院大學公布了2022年 “魏橋國科校長獎教金”獲獎團隊名單。微電子所王文武研究員領導的“集成電路先導工藝研究團隊”獲獎。“魏橋國科校長獎教金”是為支持國科大教師隊伍建設、科研業(yè)務發(fā)展和學科交叉融合，由士平公益基金會與國科大教育基金會共同發(fā)起設立，每年評選10支團隊，用于支持團隊、教師發(fā)展，...
光電集成芯片可以最大限度發(fā)揮光子傳輸、電子計算的優(yōu)勢，是獲取跨越式信息處理能力的關鍵器件。研究人員突破了傳統(tǒng)靜電摻雜和液體化學摻雜技術難以兼顧載流子遷移率和濃度的瓶頸，發(fā)展了兼具高遷移率和高濃度的氣相化學摻雜技術，實現(xiàn)了石墨烯費米能級從0到0.7電子伏特超寬范圍調制。研究團隊進一步通過基底介電環(huán)境設...
自旋邏輯器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等優(yōu)點，尤其是基于SOT的自旋邏輯器件具有高速、高耐久性，因而更加適合存內計算領域的應用，具有巨大的應用潛力。然而，目前報道的SOT邏輯器件大都是以雙極性電信號的形式進行邏輯操作，需要額外的輔助電路對給定電信號進行轉化從而完成邏輯操作（圖1a ） ，導致該...
垂直溝道納米器件因其對柵長限制小、布線靈活及便于3D一體集成等天然優(yōu)勢，在1納米邏輯器件/10納米DRAM存儲器及以下技術代的集成電路先進制造技術方面具有巨大應用潛力。對于高性能垂直單晶溝道納米晶體管，現(xiàn)階段控制溝道尺寸最好方法是采用先進光刻和刻蝕技術，但該技術控制精度有限，導致器件性能波動過大，不能滿足...
垂直自旋軌道矩磁隧道結器件（SOT-MTJ）是新一代磁隨機存儲技術的核心單元，它具有非易失、高速、低功耗、讀寫壽命長等特點，極有希望成為下一代非易失磁存儲技術。但是垂直SOT-MTJ器件需要外磁場輔助才能實現(xiàn)定向寫入。外磁場的引入會導致額外的功耗、面積消耗，并會導致串擾等問題。如何實現(xiàn)無外磁場下定向高速寫入的S...
記者21日從中國科學技術大學了解到，該校郭光燦院士團隊鄒長鈴研究組，提出了在單個光學模式中利用極弱的光學非線性實現(xiàn)光子阻塞的新原理和新方案，并分析了其在集成光學芯片上實現(xiàn)的實驗可行性。針對以上難題，在前期研究工作的基礎上，研究組引入光子的頻率自由度，提出在單個光學模式中利用兩束連續(xù)激光控制其動力學...
垂直堆疊納米線/納米片全包圍柵（ Gate All Around , GAA ）互補場效應晶體管（ Complementary Field Effect Transistor ， CFET ） ，將不同導電溝道類型（ N-FET和P-FET ）的GAA器件在垂直方向進行高密度三維單片集成。相較于現(xiàn)有主流FinFET與水平GAA晶體管集成電路工藝， CFET突破了傳統(tǒng)N/P - FET共平面布局間距的尺...
畢業(yè)生增加167萬，疊加疫情影響，今年的高校畢業(yè)生就業(yè)確實有點難。不過，一份文件的出臺，讓他們多了一種選擇和可能。6月29日，《科技部等七部門關于做好科研助理崗位開發(fā)和落實工作的通知》公布，要求統(tǒng)籌推進科技研發(fā)、高新技術企業(yè)成長、高新技術產業(yè)發(fā)展和科研助理崗位開發(fā)工作，發(fā)揮科技計劃和創(chuàng)新基地平臺依托單...
富勒烯、碳納米管、石墨烯… …新型碳材料領域的每一次發(fā)現(xiàn)，都對人類科技進步產生了重要影響。“由于碳碳成鍵的反應收率不是100% ，且反應不可逆，因此使用傳統(tǒng)化學反應自下而上通過分子‘壘磚頭’的方法制備二維團簇碳材料單晶幾乎無法完成。對此，團隊通過5年潛心研究，最終在常壓下，利用摻雜聚合-剝離兩步法，成功...
在每個微芯片中都有數(shù)百億個硅晶體管，它們引導電子進出存儲單元，將數(shù)據位編碼為 1 和 0，即計算機的二進制語言。電流在硅晶體管之間流動會產生熱量。盡管硅是一種良好的電導體，但當它被縮小到非常小的尺寸時，它就不是一種良好的熱導體——當涉及到快速計算時，這對微型微芯片來說是一個大問題。在其自然形式中，硅由...
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