時(shí)空信號是指在特定時(shí)間窗口內(nèi)并包含有多個(gè)通道的數(shù)據(jù)信息，如生物信號、氣候信號、視頻信號以及多模態(tài)的各種傳感器信號等等。高維計(jì)算借鑒了大腦處理信息的方式，通過將原始數(shù)據(jù)映射到高維空間，利用超向量的分布式全息方式來表示數(shù)據(jù)，并通過綁定、捆綁和重排等輕量化操作來處理數(shù)據(jù)。但由于高維計(jì)算是一種數(shù)據(jù)密集型...
人腦是一個(gè)高度整合的器官，通過多感官系統(tǒng)處理信息。第1層和第2層器件構(gòu)建的多時(shí)間尺度儲備池計(jì)算網(wǎng)絡(luò)用來模擬人類的耳朵捕捉聲音信息，第3層器件一部分用于構(gòu)建卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬人類的眼睛捕捉圖像信息，一部分構(gòu)建全連接網(wǎng)絡(luò)用于多感官信號的分類和識別。該成果以題High Area EfficiencyMultimodal Neuromorphic Comp...
隨著尺寸微縮，1T1C結(jié)構(gòu)DRAM的存儲電容限制問題愈發(fā)顯著，導(dǎo)致傳統(tǒng)1T1C-DRAM面臨微縮挑戰(zhàn)。針對平面結(jié)構(gòu)IGZO-DRAM的密度問題，微電子所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室劉明院士團(tuán)隊(duì)在2021年及2022年IEDM國際大會報(bào)道的垂直環(huán)形溝道結(jié)構(gòu)。IGZO晶體管的基礎(chǔ)上，分析了沉積IGZO溝道的ALD工藝對于器件性能及穩(wěn)定性的調(diào)控作用，研究了堆疊第二層IG...
IGZO薄膜晶體管由于其極低的關(guān)態(tài)電流、較高的遷移率和低溫工藝，在新型DRAM的應(yīng)用中備受關(guān)注。針對上述挑戰(zhàn)，微電子所劉明院士團(tuán)隊(duì)與北京超弦存儲研究院趙超研究員團(tuán)隊(duì)聯(lián)合在2023年國際電子器件大會上首次報(bào)道了具有單元內(nèi)閾值電壓補(bǔ)償技術(shù)的雙柵IGZO 2T0C DRAM。電路層面上，提出了一種新型的雙柵2T0C DRAM結(jié)構(gòu)，通過全...
超大規(guī)模獨(dú)立雙柵InGaZnO-FET具有低漏電、操作靈活和三維集成的特點(diǎn)，有望實(shí)現(xiàn)高能效和高密度的存內(nèi)計(jì)算。針對上述問題，開發(fā)了一種可靠性感知的緊湊型模型，研究了納米級IDG IGZO TFT的可靠性問題。微電子所博士生徐麗華、陳楷飛、李智為共同第一作者，微電子所竇春萌研究員、楊冠華研究員和汪令飛研究員為共同通訊作者...
該研究創(chuàng)造性地提出“稀土釔元素?fù)诫s誘導(dǎo)二維相變理論”，并發(fā)明了“原子級可控精準(zhǔn)摻雜技術(shù)”，從而成功克服了二維領(lǐng)域金屬和半導(dǎo)體接觸的國際難題；首次使得二維晶體管實(shí)際性能超過業(yè)界硅基10納米節(jié)點(diǎn)Fin晶體管和國際半導(dǎo)體路線圖預(yù)測的硅極限，并且將二維晶體管的工作電壓降到0.5V，將室溫彈道率提升至所有晶體管最高...
基于Zr摻雜HfO2（HZO）材料的鐵電存儲器有望通過后道工藝進(jìn)行大規(guī)模陣列集成，但仍存在兩個(gè)關(guān)鍵的優(yōu)化問題：一方面，HZO的最佳退火溫度仍高于后道工藝的熱預(yù)算限制（為保證前道工藝制備的晶體管及互聯(lián)金屬的可靠性，通常后道工藝的熱預(yù)算通常被限制在400℃以下）；另一方面，對于器件在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)中的應(yīng)用，以及降低器...
傳統(tǒng)貝葉斯機(jī)面臨三大挑戰(zhàn)：一是需要高質(zhì)量的隨機(jī)源生成具有真隨機(jī)性的隨機(jī)比特?cái)?shù)流。針對這些挑戰(zhàn)，微電子所劉明院士團(tuán)隊(duì)首次構(gòu)建了存儲器和隨機(jī)源融合的貝葉斯機(jī)。該研究成果以題為First Demonstration of a Bayesian Machine based on Unified Memory and Random Source Achieved by 16-layer Stacking 3D Fe-Diode w...
阻變存儲器因其高速、低功耗和可擴(kuò)展性而被廣泛用于實(shí)現(xiàn)邊緣計(jì)算加速器。針上述問題，微電子所劉明院士團(tuán)隊(duì)基于RRAM陣列的原位乘加及低功耗特性，開發(fā)了RRAM存內(nèi)計(jì)算芯片，結(jié)合微流控芯片搭建了異質(zhì)集成及時(shí)檢測系統(tǒng)，完成終端系統(tǒng)的識別功能。針對血液疾病早期檢測，開發(fā)了細(xì)胞分級識別策略，將識別精度提高到92%。同時(shí)...
為解決現(xiàn)代計(jì)算系統(tǒng)中（如云計(jì)算和人工智能）的“內(nèi)存墻”帶寬局限、高效計(jì)算瓶頸和制造工藝尺寸微縮等問題，一種結(jié)合新型非晶態(tài)氧化銦鎵鋅（IGZO）薄膜材料的無電容（2T0C）DRAM結(jié)構(gòu)，有望取代傳統(tǒng)1T1C DRAM成為關(guān)鍵性的新興技術(shù)路線。目前，大量研究工作集中于通過器件結(jié)構(gòu)和工藝優(yōu)化來提升IGZO 3D DRAM的保留時(shí)間和操...
習(xí)近平總書記指出，應(yīng)對國際科技競爭、實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，推動(dòng)構(gòu)建新發(fā)展格局、實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展，迫切需要我們加強(qiáng)基礎(chǔ)研究，從源頭和底層解決關(guān)鍵技術(shù)問題。廣大科技工作者牢記囑托，切實(shí)加強(qiáng)基礎(chǔ)研究，奮力推進(jìn)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，為實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)、建設(shè)世界科技強(qiáng)國不斷夯實(shí)根基。新年伊始，在中國科學(xué)...
2023年12月31日，中國科學(xué)院舉辦了以復(fù)興路上的科學(xué)力量為主題的2024跨年科學(xué)演講活動(dòng)，并聯(lián)合上海廣播電視臺日出東方科技追光跨年融媒直播，組成了超30小時(shí)的超級跨年直播。活動(dòng)于2019年在中國科學(xué)院物理研究所首次舉辦，并從起初的3小時(shí)跨年演講，發(fā)展為融演講、探訪、科學(xué)實(shí)驗(yàn)和慢直播為一體，由各領(lǐng)域院士專家、科普...
12月23日至24日，中國科學(xué)院在京召開2024年度工作會議。中國科學(xué)院院長、黨組書記侯建國傳達(dá)了習(xí)近平總書記重要指示批示精神，并作了題為《加快搶占科技制高點(diǎn) 為實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)和建設(shè)科技強(qiáng)國再立新功》的工作報(bào)告。會議以習(xí)近平新時(shí)代中國特色社會主義思想為指導(dǎo)，深入學(xué)習(xí)貫徹黨的二十大和二十屆二中全會精神...
回望2023年，全球科技發(fā)展日新月異，我國創(chuàng)新實(shí)力不斷提升，取得一系列令人振奮的突破性進(jìn)展和標(biāo)志性成果。近期，中央各大媒體等陸續(xù)評選出2023年度國內(nèi)國際科技進(jìn)展新聞或發(fā)布年度科技進(jìn)展回顧盤點(diǎn)。揭示衰老新機(jī)制、“中國天眼”探測到低頻引力波存在證據(jù)、發(fā)現(xiàn)在鹽堿地上促進(jìn)糧食增產(chǎn)關(guān)鍵基因、制備51個(gè)超導(dǎo)量子比特...
12月19日，微電子所舉辦2023年青年技術(shù)能手大賽暨“尋找科研新星”大賽決賽。18名入圍決賽的青年職工、研究生參與了“科研新星”桂冠角逐。黨委書記、所長戴博偉，副所長李泠以及高頻高壓中心、EDA中心、科技處、人事處、教育處、所團(tuán)委、所青促會等部門和組織負(fù)責(zé)同志出席了決賽并擔(dān)任評委。
回顧2023年，高水平科技自立自強(qiáng)扎實(shí)推進(jìn)，前沿領(lǐng)域發(fā)展快速，科技實(shí)力不斷提升，一系列突破性進(jìn)展、標(biāo)志性成果令人振奮。我國高海拔宇宙線觀測站“拉索”首次完整記錄迄今最亮伽馬暴的萬億電子伏特伽馬射線爆發(fā)全過程， “拉索”國際合作組在此基礎(chǔ)上精確測量了迄今最亮伽馬暴的高能輻射能譜，刷新了對伽馬暴的認(rèn)知。這...
近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項(xiàng)研究成果入選第14屆氮化物半導(dǎo)體國際會議ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導(dǎo)體材料在光電子、能源、通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著下游新應(yīng)用的快速發(fā)展以及襯底制...
在先進(jìn)集成電路制造工藝中, 納米環(huán)柵器件（GAA）正取代FinFET成為集成電路中的核心器件。垂直納米環(huán)柵器件由于其在減小標(biāo)準(zhǔn)單元面積、緩解柵極長度限制、提高集成密度和改善寄生電容/電阻等方面具有獨(dú)特優(yōu)勢, 成為先進(jìn)邏輯和DRAM技術(shù)方面的重要研究方向。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心朱慧瓏研究團(tuán)隊(duì)于2016年首次提...
1950年9月，已在美國普渡大學(xué)任教的王守武和夫人葛修懷決意放棄優(yōu)厚的待遇，回到百廢待興的新中國。至于回國后做什么，王守武并沒有設(shè)定目標(biāo)。他只有一個(gè)樸素的想法，國家需要什么就干什么。雖然有美國名牌大學(xué)的博士學(xué)位加持，但31歲的王守武最初找工作并不順利。從上海到北京，從同濟(jì)大學(xué)到清華大學(xué)，他都沒有找到合適...
人工智能時(shí)代計(jì)算機(jī)日常需要處理的信息量急劇增加，如何在計(jì)算和存儲等資源受限的邊緣端快速、實(shí)時(shí)的處理信息已成為當(dāng)前業(yè)界的共性需求。生物體的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)被認(rèn)為是自然界中集感應(yīng)、存儲和計(jì)算一體化的系統(tǒng)，具有非常高效的信息處理能力，且工作能耗很低。受生物啟發(fā)，開發(fā)神經(jīng)形態(tài)器件及其陣列集成技術(shù)，構(gòu)建類似生...
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