太陽(yáng)能和氫研究中心ZSW、馬丁·路德大學(xué)的Halle-Wittenberg(MLU)和Helmholtz-Zentrum Berlin(HZB)最近發(fā)現(xiàn)了一個(gè)可以提高薄膜太陽(yáng)能電池性能以將更多的陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能的關(guān)鍵點(diǎn)。研究團(tuán)隊(duì)的目的是研究CIGS薄膜太陽(yáng)能電池和模塊中主要的損耗機(jī)制,以便通過(guò)創(chuàng)新措施減少或消除這些損耗。
近年來(lái),CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的最大理論效率達(dá)到了33%,但仍有大約十個(gè)百分點(diǎn)的潛力尚未開發(fā)。這由CIGS太陽(yáng)能電池功能層和不同界面處的損耗機(jī)制,損失機(jī)制的確切地點(diǎn)和原因一直都不明。
ZSW,MLU和HZB的研究人員通過(guò)將實(shí)驗(yàn)測(cè)量方法與計(jì)算機(jī)模擬相結(jié)合,來(lái)識(shí)別這種類型的損耗機(jī)制。HZB使用各種電子顯微鏡技術(shù)和光電測(cè)量方法分析了高效的CIGS太陽(yáng)能電池,從而為MLU開發(fā)的二維設(shè)備仿真提供了現(xiàn)實(shí)的價(jià)值。
ZSW通過(guò)共蒸發(fā)工藝制造了CIGS電解槽,該工藝同時(shí)在真空中沉積銅、銦、鎵和硒。無(wú)需額外的抗反射層,電池的效率為21%。該電池的物理微觀結(jié)構(gòu)以及在各種分析方法的實(shí)驗(yàn)中獲得的值用作二維模擬的輸入?yún)?shù)。
計(jì)算機(jī)模擬表明,CIGS層內(nèi)電活性晶界處復(fù)合的增加構(gòu)成了顯著的損耗機(jī)制。最重要的是,這會(huì)降低開路電壓和填充系數(shù),從而降低電池的效率。
要進(jìn)一步提高CIGS薄膜太陽(yáng)能電池和組件的效率,需要做的是降低電活性晶界的密度并生產(chǎn)出具有較大晶粒的CIGS層。這可以通過(guò)技術(shù)手段來(lái)實(shí)現(xiàn),例如,通過(guò)在CIGS層中添加添加劑,調(diào)整基材材料或優(yōu)化涂層過(guò)程中的溫度平衡。這些將有助于光伏行業(yè)提高CIGS模塊效率。
| 相關(guān)新聞: |
| Fraunhofer ISE直接在硅上生長(zhǎng)的III-V / Si串聯(lián)電池創(chuàng)下新的效率記錄,達(dá)到25.9% |
| 硅基III-V多結(jié)太陽(yáng)能電池效率創(chuàng)下紀(jì)錄達(dá)到25.9% |
| 青島能源所等揭示三元有機(jī)太陽(yáng)能電池中的分子相互作用新機(jī)制 |
學(xué)習(xí)園地