近日，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院孫蓉團(tuán)隊(duì)在Chemical Engineering Journal上。發(fā)表了題為Flexible liquid metal/cellulose nanofiber composites film with excellent thermal reliability for highly efficient and broadband EMI shielding的研究成果，碩士生廖思遠(yuǎn)為論文第一作者...
近年來(lái)，世界各地的高能物理實(shí)驗(yàn)涌現(xiàn)出較多的奇特強(qiáng)子態(tài)的信號(hào)，對(duì)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的研究成為強(qiáng)子物理領(lǐng)域的焦點(diǎn)之一。奇特強(qiáng)子態(tài)，是其內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同于傳統(tǒng)夸克模型中夸克-反夸克構(gòu)成的介子或三個(gè)夸克構(gòu)成的重子的強(qiáng)子。科研人員構(gòu)造模型無(wú)關(guān)的非相對(duì)論有效場(chǎng)論，探究對(duì)強(qiáng)子之間的低能散射，發(fā)現(xiàn)閾值附近散射振幅的一般性行為...
近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所太陽(yáng)能研究部薄膜太陽(yáng)能電池研究組研究員劉生忠團(tuán)隊(duì)與陜西師范大學(xué)教授趙奎合作，在二維Dion-Jacobson （ DJ ）鈣鈦礦成膜控制研究中取得新進(jìn)展，制備出高效率芳香族二維DJ鈣鈦礦太陽(yáng)電池。因此，通過(guò)提升薄膜質(zhì)量、優(yōu)化量子阱的厚度分布，有利于提高二維鈣鈦礦太陽(yáng)電池的電荷傳輸效...
中科院微電子所近期發(fā)表了先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊(duì)在垂直納米環(huán)柵器件領(lǐng)域獲得的最新進(jìn)展，該類型器件通過(guò)在垂直方向構(gòu)建晶體管結(jié)構(gòu)，大大減少了器件占用面積，在3nm以下先進(jìn)集成電路制造工藝領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力。針對(duì)器件樣品，研究了VSAFET的特性，以及金屬硅化物工藝、 Si-Cap 、溝道Ge含量和熱處理過(guò)程等器件性能影響因素...
來(lái)自美國(guó)弗吉尼亞理工學(xué)院和州立大學(xué)以及中國(guó)蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司的研究團(tuán)隊(duì)宣布，制造了具有 p-GaN 降低表面場(chǎng)（RESURF）結(jié)構(gòu)的多通道肖特基勢(shì)壘二極管（(SBD），旨在降低峰值電場(chǎng)，擴(kuò)展擊穿能力，同時(shí)多通道結(jié)構(gòu)還降低了導(dǎo)通電阻，研究人員聲稱，該氮化鎵（GaN）功率器件的測(cè)量得到了最高擊穿電壓值，超過(guò)10 kV。器...
近期，中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所瞬態(tài)光學(xué)與光子技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員張文富、趙衛(wèi)課題組與北京大學(xué)物理學(xué)院、納光電子前沿科學(xué)中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授肖云峰、龔旗煌院士課題組合作，在集成微腔光頻梳領(lǐng)域取得進(jìn)展。為此，研究人員引入外部控制光場(chǎng)，通過(guò)其與泵浦光拍頻形成的腔內(nèi)光...
近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所催化基礎(chǔ)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室二維材料化學(xué)與能源應(yīng)用研究組研究員吳忠?guī)泩F(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并制備出一種氮化鈮-氧化鈮異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米片，可同時(shí)作為鋰硫電池的正極與負(fù)極載體，有效抑制了多硫化物的穿梭效應(yīng)和金屬鋰負(fù)極枝晶的生長(zhǎng)，應(yīng)用該異質(zhì)結(jié)構(gòu)的鋰硫電池在貧電解液、低負(fù)正極容量比、高硫載量條件...
量子自旋液體是一種新的物質(zhì)形態(tài)，可用拓?fù)湫虻拈L(zhǎng)程多體糾纏來(lái)描述。研究發(fā)現(xiàn)， Cu3Zn ( OH ) 6FBr的晶格在4 K-300 K下沒(méi)有發(fā)生畸變，且存在E2g的磁激發(fā)連續(xù)譜，可分解為自旋子-反自旋子對(duì)（ 1P ）和雙自旋子-反自旋子對(duì)（ 2P ）的激發(fā)，與Kagome量子自旋液體的相關(guān)理論計(jì)算結(jié)果相吻合，其中1P的磁激發(fā)是自旋子激發(fā)的指...
目前，半導(dǎo)體主流制程主要采用硅作為主流材料。然而，由于金屬誘導(dǎo)隙態(tài)（ MIG ）金屬-半導(dǎo)體界面上的能量勢(shì)壘從根本上導(dǎo)致高接觸電阻和低電流傳輸能力，迄今為止限制了二維半導(dǎo)體晶體管的改進(jìn)。臺(tái)灣大學(xué)、臺(tái)積電與美國(guó)麻省理工學(xué)院使用半金屬鉍（ Bi ）材料制作二維材料的接觸電極，可大幅降低電阻并提高電流，促進(jìn)更小...
多年來(lái)，科學(xué)家們一直在努力尋找高效收集環(huán)境中的無(wú)線電波，以便為小型設(shè)備供電的新方法。不過(guò)迄今為止，這些信號(hào)的來(lái)源，始終沒(méi)能向無(wú)線網(wǎng)絡(luò)（Wi-Fi）那樣普及。近日，來(lái)自新加坡國(guó)立大學(xué)（NUS）的一支研究團(tuán)隊(duì)，就介紹了他們新開(kāi)發(fā)的一款能夠?yàn)?LED 和其它小型電子設(shè)備/ 傳感器供電的新型芯片。多年來(lái)，收集環(huán)境中的無(wú)...
美國(guó)HRL實(shí)驗(yàn)室和圣母大學(xué)（ University of Notre Dame ）聲稱，在30GHz時(shí)，鎵極性氮化鎵高電子遷移率晶體管（ HEMT ）的截止頻率（ fT ）功率密度乘積為858GHzW / mm 。碳化硅（ SiC ）上的外延材料結(jié)構(gòu)具有溝道結(jié)構(gòu)，該溝道結(jié)構(gòu)由GaN上方的漸變AlGaN層組成，該阻擋層具有25 ％的Al含量。為了降低接觸電阻，制造的晶體管...
利用各種納米加工技術(shù)制備的納米結(jié)構(gòu)和器件在微納光子學(xué)、微納電子學(xué)、生物學(xué)及納米能源等領(lǐng)域發(fā)揮了重要作用，但同時(shí)也對(duì)納米加工的尺寸、形狀、空間排列和組裝等工藝控制提出了越來(lái)越高的要求。這種原子層組裝納米加工方法賦予了傳統(tǒng)的曝光和組裝技術(shù)以更強(qiáng)大的加工能力和潛能，在多重納米結(jié)構(gòu)的可控加工中展現(xiàn)出較好...
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ OFET ）作為有機(jī)電子電路的基本構(gòu)筑單元，已在柔性顯示驅(qū)動(dòng)、電子皮膚以及電子標(biāo)簽等領(lǐng)域展現(xiàn)出應(yīng)用潛力。在國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)、科技部和中國(guó)科學(xué)院的支持下，中科院化學(xué)研究所有機(jī)固體實(shí)驗(yàn)室研究員郭云龍和中科院院士、研究員劉云圻與天津大學(xué)教授胡文平教授合作，基于優(yōu)異的分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利...
2020年，中國(guó)科學(xué)院院士、中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心研究員方忠和物理所T03組博士生聶思敏（現(xiàn)為斯坦福大學(xué)博士后） 、特聘研究員王志俊、研究員翁紅明、香港科技大學(xué)教授戴希等（ Phys . Rev . Lett . ？ 124 , 076403.物理所EX7組博士生高順業(yè)和研究員錢天、研究員丁洪， EX10組博士后伊長(zhǎng)江和研究...
近期，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心羅軍研究員課題組與中科院半導(dǎo)體所王開(kāi)友研究員課題組合作研制出全線性的電流誘導(dǎo)多態(tài)自旋軌道耦合（ SOT ）磁性存儲(chǔ)器件，并實(shí)現(xiàn)了低能耗、可編輯的突觸功能，對(duì)基于SOT-MRAM的低功耗存算一體邏輯和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算提供了一種新方法。當(dāng)前，存算一體和人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片領(lǐng)域亟需...
儲(chǔ)能技術(shù)是可再生能源發(fā)電并網(wǎng)和智能電網(wǎng)應(yīng)用普及的核心技術(shù)，也是實(shí)現(xiàn)我國(guó)碳中和及碳達(dá)峰目標(biāo)的關(guān)鍵技術(shù)之一，尤以電化學(xué)儲(chǔ)能為突出形式。近日，中國(guó)科學(xué)院過(guò)程工程研究所和中科院物理研究所清潔能源團(tuán)隊(duì)合作，在鈉電池正極材料的規(guī)模化制備研究中取得進(jìn)展，開(kāi)發(fā)出“一步機(jī)械化學(xué)法”快速制備鈉電池聚陰離子正極材料氟...
近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所薄膜光學(xué)實(shí)驗(yàn)室揭示了Epsilon-Near-Zero （ ENZ ）材料在超快激光作用下束縛電子和自由電子的競(jìng)爭(zhēng)行為，提出了同步調(diào)控ENZ材料飽和吸收（ SA ）與反飽和吸收（ RSA ）的原理及方法，拓寬了其在ENZ波段的非線性光學(xué)響應(yīng)調(diào)控能力。該研究中，研究人員探究了典型ENZ材料（氧化銦錫）...
來(lái)自名城大學(xué)、三重大學(xué)，旭化成公司和名古屋大學(xué)的研究小組實(shí)現(xiàn)了13.3kA / cm2的電流密度閾值，迄今為止，這是以300nm波長(zhǎng)發(fā)射的UV-B激光二極管（ LD ）的最低閾值電流密度，他們的工作重點(diǎn)是優(yōu)化波導(dǎo)厚度和包層結(jié)構(gòu)。諧振器長(zhǎng)度為2000 μ m ， p電極寬度為10 μ m的激光二極管的激光閾值電流密度為14.2kA/cm2 ，而該小...
日本富士通宣布，該公司實(shí)現(xiàn)并首次演示了AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（ HEMTs ）在X波段（ 8 - 12GHz ）的高功率射頻（ RF ）操作。與在傳統(tǒng)碳化硅（ SiC ）上生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)相比，使用AlN襯底可以使Al含量較高的AlGaN緩沖液與GaN二維薄電子通道（ 2DEG ）結(jié)合使用。AlN HEMT的最大漏極電流達(dá)到1A / mm以上，但SiC上的器件...
近日，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院集成所功能薄膜材料研究中心研究員唐永炳及其研究團(tuán)隊(duì)，通過(guò)開(kāi)發(fā)高電壓濃縮電解液顯著提升了雙離子電池的循環(huán)性能與能量密度。相比于傳統(tǒng)鋰離子電池，雙離子電池通常采用石墨作為正極并依靠陰離子插層實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能，因此具有工作電壓高、成本低、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，在規(guī)模化儲(chǔ)能領(lǐng)域應(yīng)用前景廣...
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