這種設(shè)備可以用于毫米級波長電磁無線電傳輸，即“毫米波”（mmWs），與擬議的5G和6G無線通信。碳化硅（SiC）上的外延材料結(jié)構(gòu)具有溝道結(jié)構(gòu)，該溝道結(jié)構(gòu)由GaN上方的漸變AlGaN層組成，該阻擋層具有25％的Al含量。該結(jié)構(gòu)在通道中檢測出1423cm² / V-s的電子遷移率和9.5x10¹²/cm²的載流子密度。

　　為了降低接觸電阻，制造的晶體管還具有再生的n+-GaN源漏接觸。源極-漏極距離為1.1μm。mini-FP T柵極在漏極側(cè)具有50nm的懸垂，旨在減少降低高頻性能的柵-漏寄生電容效應(yīng)。仿真表明，漸變的溝道結(jié)構(gòu)將使柵漏間隙中的峰值電場降低22％。根據(jù)計算，采用微型FP可以進一步減少6％。

　　GaN HEMT的一個持續(xù)存在的問題是脈沖和高頻操作下的電流崩塌。研究發(fā)現(xiàn)在HRL/Notre Dame器件中的影響約為6％，而對T柵極AlGaN HEMT的影響超過22％。在0.1GHz和67GHz之間的小信號頻率性能評估中，分別得到了156GHz和308GHz的非固有截止（f_T）和最大振蕩（f_MAX）頻率。等效電路分析表明，影響f_T的主要因素是柵極至源極電容相關(guān)的柵極傳輸延遲。

　　在具有30GHz的中心桿（2x37.5μm）的兩個37.5μm閘翼設(shè)備上，進行連續(xù)波無源標(biāo)量負(fù)載牽引功率測試，顯示隨著漏偏壓在10V和20V之間增加，線性功率輸出功率密度在2.5W/mm和5.5W/mm之間。輸出功率的線性度是許多無線通信標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵要求。

　　相關(guān)的功率附加效率（PAE）分別為70％和48％。在這些測量中，使用了固定的負(fù)載阻抗，并且沒有因為漏極偏置的增加而優(yōu)化。研究人員還發(fā)現(xiàn)，其晶體管的功率密度是先前報道的f_T~150GHz GaN器件的兩倍以上。