晶體硅（ c-Si ）太陽電池的降本增效是發(fā)展和普及光伏發(fā)電、實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”目標(biāo)的重要推動(dòng)力。該研究中，研究人員以p-Si/Cu2O鈍化接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池為研究對(duì)象，發(fā)現(xiàn)直接的p-Si/Cu2O接觸將導(dǎo)致一個(gè)自發(fā)形成的亞化學(xué)計(jì)量比SiOX夾層。該研究揭示了p-Si/Cu2O鈍化接觸的界面特性和載流子傳輸機(jī)制，為減少其界面缺...
由于具有原子級(jí)厚度及獨(dú)特的能帶結(jié)構(gòu)，二維半導(dǎo)體材料在光電器件應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。中國(guó)科學(xué)院金屬研究所與國(guó)內(nèi)多家單位的科研團(tuán)隊(duì)合作，提出了一種提高光增益的新方法，選擇合適溝道和電極材料進(jìn)行能帶匹配，使其在光照下晶體管源、漏端的勢(shì)壘降低并形成正反饋，從而獲得了超高靈敏度的二維材料光電探測(cè)器。該晶體管...
近日，中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心研究員田明亮、周建輝研、朱相德和澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)教授王瀾課題組合作，在層狀手性磁材料拓?fù)浠魻栃?yīng)量子調(diào)控研究中取得進(jìn)展。通過一種新型的質(zhì)子門電壓技術(shù)，研究人員在該體系中插層質(zhì)子，并進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了DM相互作用以及拓?fù)浠魻栃?yīng)的電調(diào)控。這是由于很...
處于極紫外（XUV）波段的高次諧波（HHG）由于具有優(yōu)良的相干性、極短的脈沖寬度、寬波段的覆蓋范圍及體積小、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，自出現(xiàn)以來一直備受學(xué)界重視。特別是高重復(fù)頻率的HHG不僅是實(shí)現(xiàn)極紫外光學(xué)頻率梳的關(guān)鍵，而且在阿秒脈沖的產(chǎn)生、時(shí)間分辨的角分辨光電子譜（tr-ARPES）測(cè)量及集成電路與半導(dǎo)體芯片的加工檢測(cè)等...
金屬材料的強(qiáng)化是材料領(lǐng)域的核心研究方向。細(xì)晶強(qiáng)化（即Hall-Petch強(qiáng)化，包括晶界強(qiáng)化/孿晶界強(qiáng)化）是常用且有效的強(qiáng)化手段之一，其內(nèi)在機(jī)制是源于晶界/孿晶界對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的阻礙。然而，當(dāng)晶粒尺寸（d）和孿晶片層厚度（λ）達(dá)到某個(gè)臨界尺寸（10-15nm）時(shí)，材料的主導(dǎo)變形機(jī)制將轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ы邕\(yùn)動(dòng)或退孿生，從而使其表現(xiàn)出H...
隨著人工智能和物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，人機(jī)交互不斷豐富著人、機(jī)械以及外部信息環(huán)境的信息交換方式。？近期，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員沈國(guó)震課題組設(shè)計(jì)出一種基于自驅(qū)動(dòng)柔性可編織的光電探測(cè)器的光機(jī)通信系統(tǒng)。研究人員通過氣相轉(zhuǎn)移沉積在柔性可編織的纖維制得新的原位垂直生長(zhǎng)的Te @ TeSe納米線陣...
近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所太陽能研究部薄膜太陽能電池研究組研究員劉生忠團(tuán)隊(duì)與陜西師范大學(xué)教授趙奎合作，在無金屬鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)及其器件研究中取得進(jìn)展，制備出高靈敏度無金屬鈣鈦礦單晶X射線探測(cè)器。該工作中，科研人員采用簡(jiǎn)易的緩慢溶劑揮發(fā)法于室溫下生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸DABCO-NH4X3 （ X = Cl ， Br ...
近日，活細(xì)胞結(jié)構(gòu)與功能成像等線站工程暨上海軟X射線自由電子激光裝置調(diào)試工作取得系列進(jìn)展。在水窗波段，自由電子激光脈沖的峰值亮度比同步輻射高十億倍以上，具備橫向和縱向相干性，能夠?yàn)槲锢怼⑸铩⒒瘜W(xué)等學(xué)科提供研究工具，還可為在建的上海硬X射線自由電子激光裝置技術(shù)研發(fā)提供支撐。該裝置將與已建成的上海同步...
近期，中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所能源材料與器件研究部通過系統(tǒng)研究二維（ 2D ）熒光功能金屬有機(jī)框架材料（ MOFs ）納米片及三維（ 3D ） MOFs塊體對(duì)水中離子的檢測(cè)性能，揭示了2D MOFs納米片在熒光傳感領(lǐng)域中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。其中， 2D MOFs納米片由于具有超薄的形貌、更大的比表面積以及更多暴露的活性...
輕薄柔有機(jī)太陽能電池（ OSCs ）是新一代電源的理想選擇之一，特別是對(duì)于可穿戴電子系統(tǒng)（如電子紡織品和合成皮膚） 。新材料和新工藝的不斷涌現(xiàn)，使得剛性O(shè)SCs的能量轉(zhuǎn)換效率（ PCE ）得到迅速提高，但超薄超輕OSCs的發(fā)展仍然滯后，限制了其在機(jī)械柔性方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。) ,在高效率超輕柔OSCs領(lǐng)域取得進(jìn)展，通過基于超薄...
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)陳仙輝院士團(tuán)隊(duì)近期在一種新型籠目結(jié)構(gòu)超導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)非尋常的電荷密度波與超導(dǎo)的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，為理解新奇的電荷密度波和超導(dǎo)態(tài)提供了關(guān)鍵性實(shí)驗(yàn)證據(jù)。在傳統(tǒng)電荷密度波和超導(dǎo)共存圖像中，進(jìn)入電荷密度波態(tài)后，由于費(fèi)米面的嵌套打開能隙從而導(dǎo)致態(tài)密度的丟失，表現(xiàn)出電荷密度波與超導(dǎo)相競(jìng)爭(zhēng)的行為。增加壓力...
近日，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在源漏接觸技術(shù)研究方面取得重要進(jìn)展。隨著集成電路制造技術(shù)進(jìn)入10納米及以下節(jié)點(diǎn)，器件寄生電阻已超過溝道電阻使得器件延遲與功耗顯著增大。阻率可降低源漏寄生電阻，對(duì)提升器件性能具有重要意義。提高Si表面雜質(zhì)激活濃度（Ns）以有效增加接觸界面的載流子隧穿概率，是減小接觸...
近期，微電子所感知中心低功耗智能技術(shù)與系統(tǒng)團(tuán)隊(duì)在低功耗集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，設(shè)計(jì)了兼容近/亞閾值工作區(qū)的基礎(chǔ)電路單元，可以廣泛應(yīng)用于低功耗智能計(jì)算芯片。功耗已經(jīng)成為制約集成電路發(fā)展的重要瓶頸。近/亞閾值技術(shù)通過將芯片工作電壓降低到晶體管的閾值電壓附近或者閾值電壓以下，可以大幅降低數(shù)字系統(tǒng)的功...
elexis 將采用Triaxis 磁傳感技術(shù)的MLX90421和 MLX90422器件，加入其非接觸式位置傳感器中。這些器件主要功能與 MLX90364/5/6/7 器件相同，但還加入了一些額外的增強(qiáng)功能。這些 IC旨在用于某些汽車應(yīng)用，包括動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)執(zhí)行器、踏板定位、燃油油位計(jì)和傳輸系統(tǒng)，也適用于工業(yè)實(shí)施，這些 IC 在功能安全和電磁兼容（EMC...
介孔氧化硅納米顆粒（ MSNs ）具有大的比表面積、高的孔容、均勻可調(diào)的孔徑、易于化學(xué)改性的內(nèi)外表面及良好的生物相容性，在藥物輸運(yùn)、基因治療、生物傳感器、分子影像、組織工程等納米生物技術(shù)領(lǐng)域顯示出良好的性能與廣闊的應(yīng)用前景。研究團(tuán)隊(duì)構(gòu)建出多種金屬元素?fù)诫s的空心介孔氧化硅納米顆粒并用其負(fù)載有機(jī)分子藥物，...
微納3D打印技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)具有納米精度的3D微納結(jié)構(gòu)的加工，在一些領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，圍繞水相環(huán)境雙光子微納3D打印核心技術(shù)，由于現(xiàn)有雙光子引發(fā)劑的水溶性差、雙光子聚合引發(fā)效率低，導(dǎo)致制備出的三維水凝膠微結(jié)構(gòu)精度差、細(xì)胞毒性大，存在如何提高材料的水溶性和生物相容性，從而提高結(jié)構(gòu)精細(xì)度等科學(xué)問題...
近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所電鏡技術(shù)研究組副研究員劉岳峰等與上海交通大學(xué)特別研究員劉晰合作，在碳化物作為載體的鈷基費(fèi)托合成研究中取得新進(jìn)展，借助環(huán)境透射電子顯微鏡等原位表征技術(shù)，揭示了還原過程中碳化鈦表面的鈦氧物種到金屬鈷表面的原位遷移現(xiàn)象。研究借助于原位電鏡技術(shù)，結(jié)合原子尺度分析能力的電...
在電池供電應(yīng)用、汽車行業(yè)和IT基礎(chǔ)設(shè)施中， 48V技術(shù)正在興起。為了滿足這一需求，弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所IAF正在研究用于電力電子應(yīng)用的GaN集成電路，并且適用于48V的低電壓條件。他們進(jìn)一步將三個(gè)這樣的半橋集成到電機(jī)逆變器GaN集成電路中，實(shí)現(xiàn)了一種先進(jìn)的GaN集成電路封裝技術(shù)幾年來， GaN-on-Si高電子遷移率晶...
近日，中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心副研究員朱文卡、研究員張蕾，與華中科技大學(xué)教授田召明、安徽大學(xué)博士劉威等合作，利用穩(wěn)態(tài)強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)裝置，解析出不同類型磁性拓?fù)浒虢饘俚拇沤Y(jié)構(gòu)。同時(shí)，研究表明，磁結(jié)構(gòu)和磁耦合對(duì)于各種拓?fù)浞瞧接沽孔討B(tài)的形成和演化至關(guān)重要，磁性和拓?fù)浞瞧接箲B(tài)之間的聯(lián)系已在...
光學(xué)微操控（光鑷）技術(shù)作為微納尺度下研究物體運(yùn)動(dòng)及其相互作用的關(guān)鍵技術(shù)，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，因其具有非接觸、無損傷、精度高等優(yōu)點(diǎn)，在物理、化學(xué)、微機(jī)械、生物大分子互作等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。當(dāng)圓偏振高斯光束經(jīng)過匯聚后其自旋角動(dòng)量可轉(zhuǎn)化為軌道角動(dòng)量，進(jìn)而使被物體產(chǎn)生軌道旋轉(zhuǎn)。近日，中國(guó)科學(xué)院遺傳與發(fā)育生物...
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