環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)與傳統(tǒng)FinFET工藝流程相比,引入了內(nèi)側(cè)墻(inner spacer)、溝道釋放(channel release)等工藝,必須通過對疊層結(jié)構(gòu)的精確橫向刻蝕來實現(xiàn)。高精度刻蝕工藝控制是三維集成電路制造面臨的最大挑戰(zhàn)之一,其工藝機(jī)理和調(diào)控機(jī)制在科學(xué)界和工業(yè)界受到廣泛關(guān)注。針對GAA內(nèi)側(cè)墻結(jié)構(gòu)Si/SiGe疊層橫向選擇性刻蝕工...
通過晶體管持續(xù)小型化以提升集成度的摩爾定律已接近物理極限,但主要問題在于晶體管功耗難以等比例降低。有研究提出,進(jìn)一步降低功耗有兩種途徑。一是尋找擁有比二氧化鉿(HfO2)更高介電常數(shù)和更大帶隙的新型高k氧化物介電材料;二是采用鐵電/電介質(zhì)柵堆疊的負(fù)電容晶體管,降低晶體管的工作電壓和功耗。氧化物高k介電常數(shù)和鐵...
鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池具有開發(fā)面向效率大于30%光伏組件的潛力，是光伏領(lǐng)域的研究熱點。當(dāng)前，隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）硅太陽能電池采用晶體硅電池技術(shù)。這一技術(shù)兼具高效率、成本效益和大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)勢。目前，如何研發(fā)基于TOPCon底電池的高效鈣鈦礦/晶硅疊層電池技術(shù)是光伏產(chǎn)業(yè)的重要問題。高質(zhì)量的雙面TOPCon...
近期,微電子所高頻高壓中心GaN研究團(tuán)隊在劉新宇研究員帶領(lǐng)下,在高頻高效率器件、限幅器、電源驅(qū)動電路等研究方向進(jìn)行了創(chuàng)新性研究和探索,取得了重要進(jìn)展。在高頻高效率器件方向,團(tuán)隊采用LP-SiN結(jié)合ALD超薄柵介質(zhì)技術(shù)制備的0.15μm 柵長AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解決了現(xiàn)有HEMT器件肖特基漏電大、效率低的問題,...
激光探測感知技術(shù)一直是科技領(lǐng)域的前沿?zé)狳c,在航空航天、智能駕駛等眾多領(lǐng)域有著廣泛而重要的應(yīng)用。微電子所以應(yīng)用做牽引,聚焦光子集成激光探感技術(shù)的發(fā)展方向,重點在單光子激光雷達(dá)(Single Photon LiDAR,SPL)、高精度調(diào)頻連續(xù)波(Frequency Modulated Continuous Wave,FMCW)激光探測以及片上集成激光雷達(dá)等方面開展技術(shù)...
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSELs)具有體積小、閾值電流低、波長隨溫度穩(wěn)定、圓形光束和高可靠性等優(yōu)點,是原子鐘、原子磁力儀、原子陀螺儀等核心光源。但傳統(tǒng)VCSEL的光譜線寬較寬,一般為50-100 MHz,無法與自然原子線寬(銫為5 MHz)匹配,限制了原子傳感系統(tǒng)性能的進(jìn)一步提升。近日,微電子所吳德馨院士團(tuán)隊提出了一種新型的縱向多...
鈣鈦礦薄膜制備過程中殘余應(yīng)力與缺陷導(dǎo)致紫外線易降解鈣鈦礦材料,降低鈣鈦礦太陽能電池的效率和穩(wěn)定性,限制了鈣鈦礦光伏的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。中國科學(xué)院化學(xué)研究所綠色印刷院重點實驗室宋延林課題組利用具有紫外異構(gòu)功能的分子為鈣鈦礦的“防曬霜”,并引入鈣鈦礦太陽能電池活性層。這可以保護(hù)鈣鈦礦太陽能電池免受紫外線損傷降解...
超高清顯示對有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的性能提出了越來越高的要求。近年來,多重共振型熱活化延遲熒光(MR-TADF)材料因高效的窄帶發(fā)射特性而得到發(fā)展,在實現(xiàn)高效率高色純度OLED方面具有潛力。然而,MR-TADF分子通常表現(xiàn)出較長的激子壽命,使其器件特別是藍(lán)光OLED的穩(wěn)定性面臨挑戰(zhàn)。快速高效的激子利用是實現(xiàn)穩(wěn)定高效藍(lán)光器件的...
光與物質(zhì)的相互作用是光子器件發(fā)展的基石。光與物質(zhì)之間的耦合具有偏振敏感性。而偏振選擇性可以為光與物質(zhì)相互作用提供新的自由度。原子層級的二維過渡金屬硫化物(TMD)具有室溫穩(wěn)定的激子效應(yīng),成為研究光與物質(zhì)相互作用的理想材料平臺。在弱耦合范疇,單層TMD與各向異性人工納米結(jié)構(gòu)集成可以通過近場耦合實現(xiàn)激子發(fā)光增...
近日，中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院強(qiáng)磁場科學(xué)中心陸輕鈾課題組聯(lián)合安徽大學(xué)的科研人員，利用穩(wěn)態(tài)強(qiáng)磁場實驗裝置超靈敏磁力顯微鏡測量系統(tǒng)，結(jié)合電子順磁共振譜學(xué)和微磁學(xué)模擬，實現(xiàn)對籠目晶格中本征磁結(jié)構(gòu)的觀測。相關(guān)研究成果發(fā)表在Advanced Science上。材料宏觀性質(zhì)主要由其內(nèi)部電子決定，而電子的性質(zhì)與晶格密不可...
近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所董慧團(tuán)隊在固-液界面質(zhì)子輸運(yùn)研究方面取得進(jìn)展。相關(guān)研究成果以Accelerated proton dissociation in an excited state induces superacidic microenvironments around graphene quantum dots為題，發(fā)表在《自然-通訊》上。界面質(zhì)子輸運(yùn)是液相環(huán)境下蛋白質(zhì)等的生物大分子水動...
20世紀(jì)30年代，Wigner等理論預(yù)言，通過足夠大的壓縮可以把氫從常壓氣態(tài)轉(zhuǎn)化為固體金屬即“金屬氫”。由于氫的高德拜溫度，基于BCS電聲耦合，金屬氫可能具有高溫超導(dǎo)性質(zhì)。然而，理論最新估算氫的金屬化大約需要500GPa的極端靜高壓，超過目前實驗室所能夠達(dá)到的靜高壓技術(shù)水平。20世紀(jì)70年代，中國科學(xué)院物理研究所教授徐...
具有籠目晶格的量子材料因能帶結(jié)構(gòu)中包含平帶、狄拉克點、范霍夫奇點等特征而備受關(guān)注。近期，有研究實驗合成了釩基籠目金屬體系A(chǔ)V3Sb5（A=K、Rb、Cs）并觀察到超導(dǎo)電性、手性電荷序、配對密度波、反常霍爾效應(yīng)等豐富的物理現(xiàn)象。在探索與AV3Sb5同結(jié)構(gòu)的籠目結(jié)構(gòu)量子材料過程中，浙江大學(xué)曹光旱團(tuán)隊經(jīng)過實驗，制備出新型...
傳統(tǒng)觀念中，物質(zhì)被劃分為氣體、液體和固體。如果所有物質(zhì)均可在實驗上通過“冷凍”過程轉(zhuǎn)化為非晶態(tài)，將證明非晶態(tài)是常規(guī)物質(zhì)的第四態(tài)即非晶態(tài)是物質(zhì)的基本狀態(tài)之一。在非晶態(tài)物質(zhì)形成的研究中，有學(xué)者提出了“所有物質(zhì)都能轉(zhuǎn)化為非晶態(tài)？”這一關(guān)鍵問題，并預(yù)測當(dāng)金屬的過冷度足夠大時可以通過快速冷卻形成非晶態(tài)。如...
大腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)具有復(fù)雜的語義記憶和動態(tài)連接性,可將不斷變化的輸入與其龐大記憶中的經(jīng)驗聯(lián)系起來,高效執(zhí)行復(fù)雜多變的任務(wù)。目前,人工智能系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型大多是靜態(tài)的,隨著數(shù)據(jù)量的不斷增長,其在傳統(tǒng)數(shù)字計算系統(tǒng)中產(chǎn)生大量能耗和時間開銷,難以適應(yīng)外界環(huán)境的變化。針對這一問題,微電子所微電子器件與集成技...
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。隨著晶體管尺寸的不斷縮小，其進(jìn)一步發(fā)展的挑戰(zhàn)日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶體管，已成為提升集成電路性能的關(guān)鍵。傳統(tǒng)晶體管主要依賴穩(wěn)態(tài)載流子的傳輸，而熱載流子晶體管則通過將載流子調(diào)制到高能態(tài)來提升器件的速度和功能，展現(xiàn)出突破現(xiàn)有...
?隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，傳感器數(shù)據(jù)量的激增對數(shù)據(jù)處理速度和能效提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的傳感器架構(gòu)（如馮·諾依曼架構(gòu)）將傳感、計算和存儲單元物理分離，其大量的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和傳輸進(jìn)一步增加了能耗和時間延遲。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，科研人員提出了一種先進(jìn)的傳感器架構(gòu)——感內(nèi)計算技術(shù)，能夠在傳感器層面同時進(jìn)行圖...
氧化物隨即存儲器因其較長的保持時間和有利于三維堆疊的優(yōu)點,成為國際學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注點,其中In2O3-基薄膜晶體管由于其高遷移率而備受關(guān)注。In2O3中氧的不穩(wěn)定性直接影響到器件的可靠性,為克服這一問題,傳統(tǒng)的Ga或Zn摻雜需要較高的摻雜濃度,在提升器件可靠性的同時減低了遷移率。因此,需要提出更新的氧化物半導(dǎo)體材料...
20世紀(jì)70年代,摻雜聚乙炔的科學(xué)發(fā)現(xiàn)顛覆了“塑料不能導(dǎo)電”的傳統(tǒng)認(rèn)知,掀起了光電分子材料的研究熱潮,孕育了有機(jī)發(fā)光二極管電子產(chǎn)業(yè),催生了有機(jī)光伏和有機(jī)場效應(yīng)晶體管等前沿研究方向,并帶動了有機(jī)熱電領(lǐng)域的起步。其中,聚合物體系的熱電研究不但可以深化甚至改變?nèi)藗儗浳镔|(zhì)體系熱電轉(zhuǎn)換機(jī)制的認(rèn)知,而且有望滿足物聯(lián)網(wǎng)...
二維金屬有機(jī)骨架（MOF）具有超高的比表面積和更多暴露活性位點，在分子傳感、氣體分離、催化和超導(dǎo)體等領(lǐng)域展現(xiàn)出應(yīng)用潛力。制備具有原子厚度的高質(zhì)量、大尺寸MOF晶體，特別是單層單晶，是MOF性質(zhì)研究和應(yīng)用的關(guān)鍵。然而，由于MOF塊體晶體中片層本征的脆性和層間強(qiáng)的相互作用，二維MOF的制備存在結(jié)晶性差、難以單層制備...
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