近日,中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所副研究員宋月鋒等聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)汪國雄團隊,在固體氧化物電解池(SOEC)陽極高溫析氧反應(yīng)(OER)性能調(diào)控研究中取得新進展。研究團隊通過A位堿土金屬摻雜,系統(tǒng)揭示了PrFeO3?δ鈣鈦礦體系中電子自旋態(tài)對高溫OER性能的調(diào)控機制。SOEC具有電流密度高、法拉第效率高、過電勢低等優(yōu)勢,被認為是實...
POSIT是一種新興的浮點數(shù)格式,可更加高效地在不同數(shù)值范圍內(nèi)分配精度。其接近0值的數(shù)據(jù)可獲得更高的計算精度,而對于極大或極小的數(shù)據(jù)值可適當(dāng)舍棄一些精度以換取更大的數(shù)據(jù)表示范圍。這種動態(tài)精度分配的特性非常適合AI算法,在相同數(shù)據(jù)位寬下(如POSIT8相比INT8)能實現(xiàn)更好的算法性能。此前,研究者針對POSIT的特殊格式設(shè)計...
中國科學(xué)院青海鹽湖研究所研究員劉虎團隊聯(lián)合西北工業(yè)大學(xué)教授吳宏景團隊,在液態(tài)金屬基吸波材料領(lǐng)域取得進展。在電磁污染日益加劇與高端電子設(shè)備快速發(fā)展的時代背景下,高性能電磁波吸收材料已成為保障信息設(shè)備可靠運行的關(guān)鍵屏障。研究消納鹽湖中多元金屬資源,發(fā)展基于液態(tài)金屬驅(qū)動的低還原電位金屬離子錨定復(fù)合吸波材料...
POSIT是一種新興的浮點數(shù)格式,可更加高效地在不同數(shù)值范圍內(nèi)分配精度。其接近0值的數(shù)據(jù)可獲得更高的計算精度,而對于極大或極小的數(shù)據(jù)值可適當(dāng)舍棄一些精度以換取更大的數(shù)據(jù)表示范圍。這種動態(tài)精度分配的特性非常適合AI算法,在相同數(shù)據(jù)位寬下(如POSIT8相比INT8)能實現(xiàn)更好的算法性能。此前,研究者針對POSIT的特殊格式設(shè)計...
鐵基超導(dǎo)具有上臨界場高、各向異性小、制備成本低等優(yōu)點,在下一代高能粒子加速器、可控核聚變裝置和高場磁共振成像系統(tǒng)等領(lǐng)域具有應(yīng)用優(yōu)勢。高載流性能鐵基超導(dǎo)線材是實現(xiàn)上述高場強電應(yīng)用的基礎(chǔ)。為獲得高載流性能,需構(gòu)建高密度納米級磁通釘扎中心。由于高溫超導(dǎo)體普遍為非金屬材料,具有本征脆性,在鐵基超導(dǎo)體中引入高...
根據(jù)國際器件和系統(tǒng)路線圖(IRDS2023),在集成電路邏輯技術(shù)領(lǐng)域,互補場效晶體管(CFET)是繼FinFET和水平GAA之后的下一代晶體管架構(gòu)。CFET技術(shù)通過將NMOS與PMOS器件垂直堆疊,改變傳統(tǒng)平面工藝或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的集成密度和更佳的性能。近日,微電子所基于自主研發(fā)的垂直溝道技術(shù),提出和研制...
隨著高性能人工智能算法的快速發(fā)展,芯粒(Chiplet)集成系統(tǒng)憑借其滿足海量數(shù)據(jù)傳輸需求的能力,已成為極具前景的技術(shù)方案。該技術(shù)能夠提供高速互連和大帶寬,減少跨封裝互連,具備低成本、高性能等顯著優(yōu)勢,獲得廣泛青睞。但芯粒集成中普遍存在供電電流大、散熱困難等問題,導(dǎo)致其面臨嚴峻的電遷移可靠性挑戰(zhàn)。針對工藝層次高...
隨著人工智能與大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)電子技術(shù)正日益逼近其性能極限。當(dāng)芯片上集成的元器件越來越多、越來越密時,其總功耗和發(fā)熱量會急劇上升,而當(dāng)元器件密度太高,散熱跟不上時,就無法再通過增加元器件來提升性能,仿佛撞上了一堵由功耗和熱量組成的無形之墻——“功耗墻”。如今,“功耗墻”已成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸...
石墨烯作為獨特的二維材料,其p軌道電子磁性與傳統(tǒng)磁性材料中d/f軌道電子的局域磁性不同,這為探索純碳基量子磁性開辟了新的研究方向。鋸齒型石墨烯納米帶(zGNRs)因在費米能級附近可能具有獨特的磁性電子態(tài),被認為在自旋電子學(xué)器件領(lǐng)域具有潛力。然而,通過電輸運方法探測zGNRs的磁性面臨多重挑戰(zhàn)。例如,自下而上組裝的納米...
光子回路的異質(zhì)集成解決方案可以充分利用不同材料平臺的優(yōu)勢。近日,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員蔡艷、歐欣團隊合作,通過“萬能離子刀”剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)在六英寸圖形化SiN晶圓上集成了高質(zhì)量的鈮酸鋰薄膜,并通過晶圓級工藝制備出具備高速數(shù)據(jù)傳輸能力的異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器。在該異質(zhì)集成方案中,氮...
邊緣端人工智能（AI）硬件憑借其低延遲、高能效和強隱私性等優(yōu)勢，得到廣泛關(guān)注與應(yīng)用。在功耗嚴格受限的邊緣端部署AI硬件，不僅需要高能效以滿足功耗約束，還需要高并行度以提升實時性能。基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體和近閾值計算作為兩種高效能計算范式，有望在實現(xiàn)高能效、高并行的AI硬件中發(fā)揮關(guān)鍵作用。然而...
?近日,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所譚平恒團隊基于對各向異性層狀材料黑磷(BP)、Td相二碲化鎢(Td-WTe?)的研究提出一項新理論,任意襯底上的各向異性層狀材料,其角分辨偏振拉曼強度(ARPR)都可以通過該理論進行定量預(yù)測。該研究有助于深入理解各向異性層狀材料的本征屬性,解決其在偏振光電子器件中的應(yīng)用難題。層狀材料按照晶...
隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,太赫茲波因超寬帶、高定向性和高分辨率等優(yōu)勢,成為6G通信的重要頻譜資源。然而,頻率升高帶來的路徑損耗加劇和信號源輸出功率降低等問題,使系統(tǒng)對高精度、低損耗、大視場的波束控制器件提出嚴苛要求。近日,中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所秦華團隊提出并研制了基于氮化鎵肖特基二極管(GaN...
北京高壓科學(xué)研究中心毛河光和楊文革團隊聯(lián)合中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所羅端團隊,首次在國際上成功合成百微米-毫米級、結(jié)構(gòu)有序、高純度的六方金剛石塊體樣品,結(jié)合單晶X射線衍射、高分辨電子顯微成像及能譜學(xué)等表征手段,從不同角度全面證明了六方金剛石純相樣品的成功合成。這終結(jié)了1962年理論預(yù)言以來關(guān)于六方金...
隨著醫(yī)療衛(wèi)生水平提升,具有小型、快速、便捷等特點的即時檢測(POCT)方法備受關(guān)注。為滿足POCT應(yīng)用需求,有研究設(shè)計出多種新型光學(xué)生物傳感器,并在單個生物芯片上檢測出生物標志物。近年來,光子晶體生物傳感器憑借高靈敏度、高選擇性、快速響應(yīng)、易于集成、低成本等優(yōu)勢,有望成為生物醫(yī)學(xué)檢測領(lǐng)域的新方法。中國科學(xué)院化學(xué)...
熱電技術(shù)可利用人體與環(huán)境或環(huán)境與環(huán)境之間的微小溫差發(fā)電,具有體積小、無噪音、可靠性高等優(yōu)點,在柔性電子和物聯(lián)網(wǎng)自供電領(lǐng)域具有應(yīng)用前景。但是,柔性電子和物聯(lián)網(wǎng)通常在室內(nèi)無風(fēng)環(huán)境工作,且其內(nèi)部高度集成和空間狹小的特點限制了金屬翅片等外部散熱裝置的使用,導(dǎo)致熱電器件上所能建立的溫差通常較小,造成低的輸出性能...
超高清、廣色域有機發(fā)光二極管(OLED)顯示技術(shù)正引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展新趨勢,然而符合BT.2020色域標準的OLED產(chǎn)品仍然稀缺,開發(fā)高色純度發(fā)光材料體系及相關(guān)技術(shù)將成為推動OLED產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵。其中,藍光材料的設(shè)計開發(fā)面臨著很大挑戰(zhàn),尤其是其色純度、器件效率、效率滾降、穩(wěn)定性等難以兼顧。中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所研究員盧...
近期,中國科學(xué)院上海高等研究院自由電子激光團隊在高重復(fù)頻率全相干自由電子激光(FEL)新機制研究方面取得進展,首次實驗驗證了自主提出的“直接放大驅(qū)動型諧波產(chǎn)生”(DEHG-FEL)新機制,并成功實現(xiàn)其出光放大和穩(wěn)定運行。這標志著在實現(xiàn)兆赫茲(MHz)量級重復(fù)頻率的全相干極紫外(EUV)和X射線FEL光源的道路上,邁出了關(guān)鍵一步。...
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團隊的任希鋒教授研究組首次成功實現(xiàn)了兩個光量子集成芯片之間的量子受控非門(CNOT門)隱形傳輸。相關(guān)研究成果日前發(fā)表于《物理評論快報》。構(gòu)建大規(guī)模量子網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵在于實現(xiàn)高集成度、可擴展的量子節(jié)點,以及節(jié)點間高保真度的量子互聯(lián)。光量子集成芯片是實現(xiàn)此網(wǎng)絡(luò)極具前景的平臺。在此網(wǎng)絡(luò)中...
氮化鎵（GaN）基電子器件具有高頻、高效、耐高溫及抗輻射等卓越特性，是下一代高效電力電子與射頻電子系統(tǒng)的核心支撐器件，已在?5G/6G 通信、智能消費電子等領(lǐng)域凸顯出優(yōu)異的應(yīng)用優(yōu)勢。GaN基器件主要基于異質(zhì)外延材料制作，由于外延襯底與GaN基外延層（如AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)）間嚴重的晶格失配和熱失配，GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)外...
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