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科研動(dòng)態(tài)

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微電子所在極紫外光刻基板缺陷補(bǔ)償方面取得新進(jìn)展
2021-09-15

近日，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在極紫外光刻基板缺陷補(bǔ)償方面取得新進(jìn)展。基于以上問題，微電子所韋亞一研究員課題組與北京理工大學(xué)馬旭教授課題組合作，提出了一種基于遺傳算法的改進(jìn)型掩模吸收層圖形的優(yōu)化算法。此項(xiàng)研究得到國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)研究開發(fā)計(jì)劃、北京市自然科學(xué)基金、中科院的項(xiàng)目資助...

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微電子所先導(dǎo)中心準(zhǔn)原子層刻蝕技術(shù)最新進(jìn)展
2020-06-02

近日，中科院微電子所先導(dǎo)中心在美國電化學(xué)會(huì)《固態(tài)科學(xué)與技術(shù)雜志》發(fā)表了文章： Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex （ DOI ： 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ） 。文章系統(tǒng)介紹了一種全新的集成電路刻蝕技術(shù)：各向同性和硅選擇性的鍺硅準(zhǔn)原子層刻蝕技術(shù)（ quasi - Atomic...