中國香港科技大學（HKUST）宣布了其利用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）直接在軸（001）Si（硅）上生長1.55μm量子點（QDASH）激光器的第一電泵室溫（RT）連續(xù)波激光的結果。

　　科大團隊成員以前在室溫下實現(xiàn)了1.55μmQDash激光二極管的脈沖操作。研究人員最近還報告了降低1.3μm波長QDash脈沖激光二極管的閾值電流的方法。與慢得多的分子束外延（MBE）相比，MOCVD是III-V制造中首選的材料生長技術。連續(xù)波1.55μm激光二極管是通過硅波導插入硅互補金屬氧化物半導體（CMOS）電子設備和光子之間的間隙并耦合到光纖的重要環(huán)節(jié)。

　　研究人員將他們在硅上的器件與在InP襯底上生產的相同結構進行了比較，發(fā)現(xiàn)基于InP的器件的閾值“低得多”。在實際系統(tǒng)中，激光二極管需要在高于室溫的溫度下工作。在硅上，在升高的溫度下降低的閾值性能在25°C和50°C之間具有44.8K的T0特性。最高溫度為59°C時，T0值降至27.11K以上。 InP上器件的T0在25°C至60°C之間為41K。較高的T0表示閾值性能的降低較慢。基于硅和基于InP的設備都能夠維持高達100°C的脈沖激光性能。室溫下硅襯底的閾值電流密度為555A / cm2，占空比為0.5％時脈沖為400ns。輸出功率達到360mW以上。在脈沖模式下，硅和InP襯底激光二極管的T0值約為60K。