中國上海的Eta Research指出立式氮化鎵（GaN）功率器件具有革新~率器件行業(yè)的潛力。與高壓功率器件的SiC相比，GaN具有三個潛在的優(yōu)勢，即電阻小、器件尺寸會更小、工作頻率高。

　　垂直GaN功率器件仍處于研發(fā)階段。 GaN研究界內(nèi)部尚未就GaN垂直~率器件的最佳器件結(jié)構(gòu)達成共識。三種領(lǐng)先的電勢器件結(jié)構(gòu)包括電流孔徑垂直電子晶體管，溝槽FET和鰭式FET。所有的器件結(jié)構(gòu)都包括輕摻雜的N層作為漂移層。

　　Eta進行了GaN-on-GaN外延的實驗，厚度范圍為10–20μm。使用9點模式對002和102個峰的搖擺曲線FWHM進行XRD測量。外延之前的搖擺曲線FWHM的平均值分別為002和102個峰值的49 arcsec和69 arcsec。外延20μm后，搖擺曲線的半高寬幾乎相同，兩個相同峰的平均值分別為50 arcsec和69 arcsec。外延后晶圓的弓度略有改善，始于外延前–5.0μm，外延后為–1.3μm。

　　可以通過適當選擇切角來獲得相對光滑的表面。選擇了朝向m平面的0.4°切角。對于在0.4°斜角GaN晶片上生長10μm的膜，通過Bruker光學(xué)干涉儀在239μmx318μm的面積上測得的平均表面粗糙度為8-16nm。

　　該公司進行研究以實現(xiàn)低電子濃度漂移層，使用電容-電壓（C-V）方法測得的最低電子濃度為2E15 / cm³。可以向MOCVD生長中添加其他硅摻雜劑，以實現(xiàn)更高的電子濃度。

　　Eta現(xiàn)在能夠提供適用于垂直GaN~率器件的GaN-on-GaN MOCVD外延層。GaN同質(zhì)外延漂移層可以生長超過10μm厚，表面相對光滑，電子濃度在1015–1016 / cm3范圍內(nèi)。器件結(jié)構(gòu)也可以用包括InGaN、AlGaN、n型摻雜和p型摻雜的多層來生長。其他潛在的器件結(jié)構(gòu)包括在n型GaN晶片上生長的LED和激光二極管以及在半絕緣GaN晶片上生長的HEMT。