工程材料和光電組件制造商II-VI已獲得通用電氣（General Electric）的SiC技術許可，以期進入功率器件和模塊制造。就像II-VI在SiC晶圓市場上的主要競爭對手一樣，美國的Cree / Wolfspeed和日本的Rohm Group Company（包括SiCrystal）也一樣，新的許可能通過電動汽車和混合電動汽車（EV / HEV）應用的快速發展，推動SiC基電力電子產品的市場需求。

　　Knowmade在其報告《2019年功率SiC專利態勢》中分析，GE的專利活動在2000年代末開始，重點是SiC MOSFET的平面器件架構，GE是平面SiC MOSFET技術中最活躍的IP廠商，目前在全球擁有90多項已獲授權的專利，其中包括該領域的許多關鍵專利。并且GE在SiC MOSFET專利領域的專利活動有所放緩，這表明GE的SiC MOSFET技術已經達到了很高的成熟度。

　　2013年，GE對汽車行業的技術進行了認證（AEC-Q101，200°C）。 2016年末，除了小批量生產外，該公司還在紐約電力電子制造聯盟（NY-PEMC）工廠開始大批量生產SiC功率器件。2017年，在NY-PEMC框架內，GE宣布與丹佛斯建立制造合作伙伴關系，以在美國紐約州的尤蒂卡（Utica）生產SiC功率模塊。

　　II-VI與GE的專利協議將進一步促進平面SiC MOSFET技術在系統電氣化方面的采用，例如工業基礎設施、大型數據中心和車輛（EV / HEV）。大多數以汽車為重點的專利申請人似乎都將重點放在用于汽車應用的溝槽式SiC MOSFET技術上，但平面SiC MOSFET供應商已經開始合作開發基于SiC的汽車應用，如，在2019年11月，Cree / Wolfspeed與汽車供應商ZF建立了戰略合作伙伴關系，以增強基于SiC的逆變器的電力傳動系統。