在歐盟COSMICC項(xiàng)目支持下，法國(guó)微納米技術(shù)研發(fā)中心CEA-Leti展示了一種完全封裝的粗波分復(fù)用（CWDM）硅光子收發(fā)器模塊，每根光纖的數(shù)據(jù)傳輸速率為100Gb/s，光電芯片上還集成有一個(gè)低功耗電芯片。基于硅光子學(xué)的收發(fā)器以50Gb/s的速率復(fù)用兩個(gè)波長(zhǎng)，旨在滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)通信需求以及數(shù)據(jù)中心和超級(jí)計(jì)算機(jī)的能耗。該演示為降低成本、減少功耗和簡(jiǎn)化封裝復(fù)技術(shù)開辟了道路，并為非常高的聚合數(shù)據(jù)速率開辟了道路。

　　歐盟在Horizon 2020計(jì)劃中啟動(dòng)了項(xiàng)目COSMICC（以極低成本實(shí)現(xiàn)突破性互連的板級(jí)集成收發(fā)機(jī)的CMOS解決方案），進(jìn)一步開發(fā)了所有必需的構(gòu)建基塊，實(shí)現(xiàn)了200Gb/s甚至更高的傳輸速率。

　　COSMICC項(xiàng)目開發(fā)了一種全封裝CWDM硅光子收發(fā)器模塊，每條光纖的傳輸速度為100Gb/s，可擴(kuò)展至400Gb/s，還實(shí)現(xiàn)了硅光子芯片及其電子控制芯片的3D組裝。硅光子芯片集成了高性能50Gb/s NRZ光調(diào)制器和光電檢測(cè)器，以及兩個(gè)通道的CWDM多路復(fù)用器和多路分解器。控制電子器件經(jīng)過優(yōu)化，可將數(shù)據(jù)速率為50Gb/s的每通道能耗降至5.7pJ/bit。

　　另外，在增強(qiáng)型SiN硅光子平臺(tái)上構(gòu)建了一個(gè)用于實(shí)現(xiàn)更高數(shù)據(jù)速率數(shù)據(jù)中心互連的構(gòu)建模塊的庫(kù)，其中包括新型寬帶和無熱SiN組件以及混合III-V/Si激光器。SiN對(duì)溫度的敏感性比硅低10倍，它將消除對(duì)溫度的需求，從而大大降低收發(fā)器的成本和功耗，從而有助于降低大型數(shù)據(jù)中心的熱量輸出和冷卻成本。