關電路中實現(xiàn)了故障安全操作。同樣，常關模式簡化了柵極驅(qū)動器電路設計。如果不采取特殊措施，則當柵極電勢為0V時，在AlGaN / GaN界面附近形成的二維電子氣（2-DEG）通道會導通，從而提供常開模式。該器件基于外延材料，具有4.7μm的緩沖層，300nm的未摻雜GaN溝道，15nm的Al0.15Ga0.85N勢壘和硅上的2nm GaN蓋層。

　　實驗測試了三種器件類型：A是沒有ICP蝕刻或Mg擴散的常規(guī)HEMT；B是采用ICP蝕刻的HEMT，使柵極凹陷，但柵極區(qū)域沒有Mg。C具有完整的柵極堆疊，并具有ICP蝕刻和Mg擴散。

　　晶體管A-C的閾值電壓依次為-1.5V、-0.4V和+ 1.4V。相應的峰值跨導為68mS / mm、105mS / mm和97mS / mm。盡管以峰值跨導表示的柵極控制對于器件C有所下降，但該值仍高于裸露的HEMTA。該過程確實使器件A和B的漏極飽和電流分別達到275mA / mm和300mA / mm，而C僅達到173mA / mm。這些測量中的柵極電位為+ 3V。較低的飽和電流可能是由于2-DEG的減少所致，而2-DEG的減少是由Mg擴散層注入的空穴所耗盡的。

　　對于器件B和C，0V柵極的柵極泄漏電流分別為3.7x10-5mA / mm和2x10-7mA / mm。晶體管C的柵極泄漏電流仍為6.5x10-4mA / mm，柵極電壓為+ 0.4V。研究人員認為，MgO對刻蝕過程中表面陷阱狀態(tài)的鈍化作用具有良好的性能。

原文題目：Magnesium thermal diffusion for normally-on gallium nitride transistors

原文來源：http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/apr/scut-160420.shtml