教育背景:
2016.09-2020.07，北京有色金屬研究總院,博士；
2011.09-2014.07，貴州大學(xué),碩士；
2007.09-2011.07，湖北經(jīng)濟(jì)學(xué)院,本科；
工作簡(jiǎn)歷:
2024.1-至今，中科院微電子研究所,研究員；
2020.07-2023.12，中科院微電子研究所,副研究員；
2017.04-2020.06，中科院微電子研究所,助理研究員；
2014.07-2017.03，中科院微電子研究所,研究實(shí)習(xí)員；

先進(jìn)硅器件與集成技術(shù);硅納米線(xiàn)生物傳感器

[1] 國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì),青年科學(xué)基金項(xiàng)目,61904194,5 nm節(jié)點(diǎn)以下超薄鉿基負(fù)電容材料稀土改性和三維架構(gòu)協(xié)同效應(yīng)研究,2020-01-01至2022-12-31,26萬(wàn)元,在研,主持;
[2] 北京市科委,多柵負(fù)電容 MOS 器件和關(guān)鍵材料研究,科技新星計(jì)劃,2020-10 至 2023-09,40萬(wàn)元,在研,主持;[3] 北方先進(jìn)工藝研究院有限公司,堆疊納米片圍柵CMOS器件及集成技術(shù)研究項(xiàng)目,企業(yè)合作橫向項(xiàng)目,2021-06 至 2024-05,1995萬(wàn)元,在研,參與;
[4] 中國(guó)科學(xué)院,3-1納米集成電路新器件與先導(dǎo)工藝,先導(dǎo)C*研,2020-01 至 2022-12,1100萬(wàn)元,結(jié)題,參與;
[5] 北京市科委,新一代信息通信技術(shù),水平堆疊環(huán)柵器件研制與新型溝道原型器件研究,2020-01 至 2021-06,500萬(wàn)元,結(jié)題,參與;?
[6] 科技部重大科技專(zhuān)項(xiàng),5nm 可集成堆疊納米線(xiàn)和新型 FinFET 集成技術(shù)與關(guān)鍵問(wèn)題,2017-01 至 2020-12,1097.25萬(wàn)元,結(jié)題,參與;
[7] 國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì),重大研究計(jì)劃,超薄ZrO2柵介質(zhì)NC-FinFET及其可靠性研究,2020-01-01至2023-12-31,300萬(wàn)元,在研,參與;
[8] 國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì),面上項(xiàng)目,堆疊納米線(xiàn)圍柵器件的輻射損傷機(jī)理及在線(xiàn)增強(qiáng)自修復(fù)機(jī)制研究,2019-01-01至2022-12-31,66萬(wàn)元,在研,參與。?

[1] Zhang, Q.; Gu, J.; Xu, R.; Cao, L.; Li, J.; Wu, Z.; Wang, G.; Yao, J.; Zhang, Z.; Xiang, J.; He, X.; Kong, Z.; Yang, H.; Tian, J.; Xu, G.; Mao, S.; Radamson, H.H.; Yin, H.; Luo, J. Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices. Nanomaterials, 2021, 11, 646.??

[2] Zhang Q., Yin H., Meng L., et al. Novel GAA Si nanowire p-MOSFETs with excellent short-channel effect immunity via an advanced forming process [J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 464 - 467.??
[3] Zhang Q., Yin H, Luo J, et al. FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin[C]. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2016: 17.3. 1-17.3. 4.?
[4] Zhang Q., Tu H., Yin H., et al. Si nanowire biosensors using a FinFET fabrication process for real time monitoring cellular ion actitivies[C]. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2018: 29.6. 1-29.6. 4.?
[5] Zhang Q., Tu H, Yin H, et al. Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays[J]. Microelectronic Engineering, 2018, 198: 48-54.?
[6] Zhang Q., Tu H, Gu S, et al. Influence of Rapid Thermal Annealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0.3Si0.7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(11): P671-P676.?
[7] Zhang Q., Zhang Z., Tu H. et. al. Investigation of Nanoscale Fully Isolated SiNW Channel Fabrication for a FinFET Replacement Metal Gate[J]. Materials Science in Semiconductor Processing，2021，121 (2021) :105434-1 -105434-8.?
[8] Zhang N, Zhang Z, Zhang Q*, et al. O2 Plasma Treated Biosensor for Enhancing Detection Sensitivity of Sulfadiazine in a High-к HfO2 Coated Silicon Nanowire Array[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2019: 127464.?
[9] Zhang Z., Xu G., Zhang Q.*, et al. FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(3): 367-370.?
[10] Yang L., Zhang Q. *, Huang Y. et al. Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation [J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 65(8), pp.1503-1510.?

1. 北京市科技新星計(jì)劃,2020年;
2. 中國(guó)科學(xué)院青年促進(jìn)會(huì)會(huì)員,2019年;
3. 中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu)秀博士論文, 2020年;
4. 微電子所“先進(jìn)工作者”, 2016年;?

已授權(quán)專(zhuān)利

[1] 張青竹,顧杰,張兆浩,殷華湘. 改善寄生溝道效應(yīng)的NS-FET及其制備方法[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN112349591A.
[2] Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin, Jiang Yan et. al. METHODS FOR FORMING METAL SILICIDE[P]. USA patent: US1009691B2.
[3] 張青竹，殷華湘，閆江，李俊峰，楊濤，劉金彪，徐秋霞. 一種柵極及其形成方法[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN105990403A.
[4] 張青竹, 殷華湘, 閆江. 一種形成鰭的方法及結(jié)構(gòu)[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN106531631A.
[5] 張青竹, 殷華湘, 閆江, 吳振華, 周章渝, 秦長(zhǎng)亮, 張嚴(yán)波, 張永奎. 半導(dǎo)體器件及其制作方法[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN107068769A.
[6] 張青竹, 殷華湘, 張兆浩, 李俊杰, 徐忍忍. 環(huán)柵納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN108231584A.
[7] 張青竹, 徐忍忍, 殷華湘, 張兆浩. 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN108258048A.
[8] 張青竹, 殷華湘, 閆江. 半導(dǎo)體器件制造方法[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN106601617A.
[9] 張青竹, 殷華湘, 閆江. 一種形成鰭的方法及結(jié)構(gòu)[P]. 中國(guó)專(zhuān)利：CN106531631B.
[10] 張青竹, 張兆浩, 魏千惠, 屠海令, 殷華湘, 魏峰, 趙鴻濱, 王文武. 一種稀土摻雜鉿基鐵電材料、制備方法及半導(dǎo)體器件[P]. 中國(guó)專(zhuān)利： CN110527978A.?