中國研究人員發(fā)布第一個(gè)在絕緣體上硅（SOI）襯底上的電泵浦砷化銦量子點(diǎn)砷化鎵基質(zhì)（InAs / GaAs QD）窄脊Fabry-Perot（FP）激光器。

　　該材料通過分子束外延在兩個(gè)系統(tǒng)中生長。第一個(gè)MBE工藝由600°C時(shí)的420nm硅組成。III-V緩沖結(jié)構(gòu)是在兩種溫度下生長，成核層由10nm AlAs和30nm GaAs組成。激光器的有源區(qū)域由GaAs矩陣中的7層InAs QD組成，形成了井中點(diǎn)（DWELL）結(jié)構(gòu)。平行于并垂直于下方v形溝槽結(jié)構(gòu)制作了窄脊激光器。

　　實(shí)驗(yàn)中，4μmx1mmbar的連續(xù)波（CW）操作的閾值在0°C下為140mA，在5°C和10°C下增加到175mA。在占空比為5％的100ns脈沖操作中，對于0-10°C溫度范圍，閾值減小到50mA左右，60°C時(shí)，增加到90mA。注入電流為200mA、240mA時(shí)，脈沖模式下的輸出功率，前者小于5mW，后者最大為6.5mW。

　　研究小組希望高反射涂層和小面鈍化可以提高輸出功率并降低閾值。

　　反映閾值電流變化的特性溫度T0在30°C以下為184.2K，而在散熱問題上則降至58.1K。 在室溫（20°C）下，器件的斜率效率在0.034W / A時(shí)評價(jià)為“差”。在占空比為0.2％的情況下以2μs脈沖工作可以在80°C下提高溫度工作，但在室溫下可以提高130mA的閾值。在這些條件下，最大室溫輸出功率為75mW，在0-40°C范圍內(nèi)，T0為75.9K，在40-80°C時(shí)降至41.7K。

　　散熱是一個(gè)大問題，研究人員通過使用外部結(jié)合的散熱器實(shí)現(xiàn)厚金屬觸點(diǎn)，來減少激光芯片內(nèi)部的熱量積聚，從而改善設(shè)備性能。另一種方法即在SOI溝槽內(nèi)進(jìn)行InAs QD激光器的選擇性區(qū)域生長，允許熱量轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電性更高的硅基板上。