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科普知識(shí)

Transphorm發(fā)布第五代GaN FET

稿件來(lái)源:摩爾芯聞 責(zé)任編輯:ICAC 發(fā)布時(shí)間:2020-12-14

  Transphorm公司已經(jīng)開(kāi)始發(fā)售其第五代GaN FET,符合JEDEC和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),包括650V和900V產(chǎn)品,用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這是其專有的SuperGaN品牌下的首款第五代產(chǎn)品。

  TP65H015G5WS瞄準(zhǔn)了電動(dòng)汽車市場(chǎng),并提供了SuperGaN器件系列所固有的業(yè)界領(lǐng)先的性能增強(qiáng),易設(shè)計(jì)性和優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)。該公司表示其第五代GaN解決方案提供了最低的導(dǎo)通電阻,并且與標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3封裝中的碳化硅(SiC)相比功耗降低了25%,從而增強(qiáng)了GaN在電動(dòng)汽車電源轉(zhuǎn)換中的潛力。

  3月,汽車零部件供應(yīng)商Marelli宣布與Transphorm建立戰(zhàn)略合作關(guān)系,以合作開(kāi)發(fā)基于GaN的新型汽車/ EV電源轉(zhuǎn)換解決方案,包括車載充電器(OBC),DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車的動(dòng)力總成逆變器。

  “Transphorm完成了通過(guò)半橋式拓?fù)涞姆至aN器件實(shí)現(xiàn)10kW功率的演示,這進(jìn)一步驗(yàn)證了GaN用于電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器和逆變器的前景。” Marelli Electric Powertrain首席執(zhí)行官Joachim Fetzer博士評(píng)論道。:“作為我們先前宣布的合作伙伴關(guān)系的一部分,我們將繼續(xù)評(píng)估Transphorm的行業(yè)領(lǐng)先的GaN器件,并共同努力以支持多年的EV系統(tǒng)產(chǎn)品路線圖。”

  Transphorm的創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營(yíng)官 Primit Parikh表示:“我們將繼續(xù)創(chuàng)新Transphorm的SuperGaN FET技術(shù),現(xiàn)在以市場(chǎng)上標(biāo)準(zhǔn)的TO-247-3封裝提供世界上最低的導(dǎo)通電阻,目標(biāo)市場(chǎng)是電動(dòng)汽車和其他高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這將使客戶能夠通過(guò)單個(gè)產(chǎn)品將功率提高到上萬(wàn)瓦,從而證明GaN具有更高性能,更低系統(tǒng)成本和更高功率密度的能力。我們的第五代GaN平臺(tái)正在為以前需要并聯(lián)的應(yīng)用創(chuàng)造新的設(shè)計(jì)機(jī)會(huì),同時(shí)仍保持超過(guò)99%的效率。”

  SuperGaN技術(shù)勝過(guò)SiC

  SuperGaN 第五代平臺(tái)完美繼承并解決了上一代的所有經(jīng)驗(yàn)及教訓(xùn):獲得專利的減小的封裝電感技術(shù),易設(shè)計(jì)性和可驅(qū)動(dòng)性(4V的Vth以獲得抗噪聲性)以及+/- 20Vmax的柵極魯棒性,以及簡(jiǎn)化的結(jié)構(gòu)。這兩款器件均可在半橋同步升壓轉(zhuǎn)換器中以70kHz的頻率運(yùn)行,最高可驅(qū)動(dòng)12kW的功率,從而使Transphorm的GaN器件損耗降低了25%。

  該公司表示,Transphorm已開(kāi)始對(duì)15mΩ 650V器件SuperGaN Gen V FET進(jìn)行樣品申請(qǐng),由于其柵極靈敏度,該技術(shù)無(wú)法與現(xiàn)有的單芯片增強(qiáng)型GaN技術(shù)一起使用。與市場(chǎng)上典型的最低內(nèi)阻的SiC MOSFET分立器件相比,該解決方案能夠根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)超過(guò)10kW的功率,例如EV OBC和動(dòng)力總成逆變器,機(jī)架式數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的電源,不間斷的工業(yè)電力應(yīng)用以及可再生光伏逆變器。TP65H015G5WS也將用于裸片級(jí)模塊解決方案,這些解決方案可通過(guò)進(jìn)一步的并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)更高的功率。

  該公司預(yù)計(jì)其第五代FET器件將在2021年中期獲得JEDEC認(rèn)證,之后有望獲得AEC-Q101認(rèn)證。

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