近日，中國科學院深圳理工大學（暫定名） /中科院深圳先進技術研究院/中科院金屬研究所成會明與清華大學深圳國際研究生院、英國曼徹斯特大學研究人員等發(fā)現(xiàn)，可控制備的還原氧化石墨烯材料對電子垃圾中痕量的金資源具有超強的提取能力，無需外加能量和其他材料與化學品。而且石墨烯材料可以對金離子實現(xiàn)精準的選擇性吸附...
石墨烯材料的可控制備是石墨烯行業(yè)的基礎，更是石墨烯在下游應用中充分發(fā)揮性能優(yōu)勢的關鍵。鱗片石墨剝離技術是發(fā)展最為成熟的石墨烯規(guī)模化制備技術之一，該方法已實現(xiàn)石墨烯片層厚度和化學結構的精確控制，但在橫向尺寸調(diào)控方面仍面臨挑戰(zhàn)，典型的石墨烯橫向尺寸分布在幾百納米到幾個微米以內(nèi)。結構表征數(shù)據(jù)表明，所制...
隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及智慧醫(yī)療等新型信息交互領域的發(fā)展，基于傳統(tǒng)馮諾依曼架構的計算機系統(tǒng)以及工藝迭代帶來的算力提升越來越難以滿足數(shù)據(jù)處理及復雜神經(jīng)網(wǎng)絡模型運算的需求。近日，中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員王麗麗課題組、北京理工大學教授沈國震與香港科技大學教授范智勇合作，利用...
自旋邏輯器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等優(yōu)點，尤其是基于SOT的自旋邏輯器件具有高速、高耐久性，因而更加適合存內(nèi)計算領域的應用，具有巨大的應用潛力。然而，目前報道的SOT邏輯器件大都是以雙極性電信號的形式進行邏輯操作，需要額外的輔助電路對給定電信號進行轉化從而完成邏輯操作（圖1a ） ，導致該...
據(jù)歐洲電子資訊，法國研究機構CEA Leti和Intel公司優(yōu)化了一種混合直接鍵合、自組裝工藝，可以提高裸片到晶圓（die-to-wafer，D2W）鍵合封裝技術。該技術利用了表面最小化原理產(chǎn)生的毛細管力（capillary forces）在目標晶圓上對準裸片，該工藝技術可以提高對準精度，并將制造吞吐量每小時提高數(shù)千個裸片。大多數(shù)液體的表...
垂直溝道納米器件因其對柵長限制小、布線靈活及便于3D一體集成等天然優(yōu)勢，在1納米邏輯器件/10納米DRAM存儲器及以下技術代的集成電路先進制造技術方面具有巨大應用潛力。對于高性能垂直單晶溝道納米晶體管，現(xiàn)階段控制溝道尺寸最好方法是采用先進光刻和刻蝕技術，但該技術控制精度有限，導致器件性能波動過大，不能滿足...
垂直自旋軌道矩磁隧道結器件（SOT-MTJ）是新一代磁隨機存儲技術的核心單元，它具有非易失、高速、低功耗、讀寫壽命長等特點，極有希望成為下一代非易失磁存儲技術。但是垂直SOT-MTJ器件需要外磁場輔助才能實現(xiàn)定向寫入。外磁場的引入會導致額外的功耗、面積消耗，并會導致串擾等問題。如何實現(xiàn)無外磁場下定向高速寫入的S...
近日，中科院微電子研究所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊與中國科學院蘇州納米所孫錢研究員團隊合作，基于前期在高性能n溝道超薄勢壘增強型HEMT （或n-FETs ）研究中積累的研發(fā)基礎，結合氮化物特有的極化能帶調(diào)控引入AlN極化插入層。獲得了面密度2.1 × 1013 cm-2的二維空穴氣（ 2 - D Hole Gas , 2DHG ） ，為高性能p-F...
隨著芯片工藝制造的進步，工藝制程逐漸接近物理極限，深度神經(jīng)網(wǎng)絡的發(fā)展使得計算量和參數(shù)量呈指數(shù)上升，阻變存儲器應用于大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡面臨多個個挑戰(zhàn)：由于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡權值數(shù)量不斷增加,使得阻變存儲器的面積開銷越來越大。對于多值大規(guī)模阻變存儲器陣列,當參與乘累加計算的阻變單元數(shù)量很大時，由于阻變單元電導漂...
中國科學院國家納米科學中心研究員劉新風團隊聯(lián)合美國休斯頓大學包吉明團隊、任志鋒團隊，在超高熱導率半導體-立方砷化硼（ c-BAs ）單晶的載流子擴散動力學研究方面取得進展，為其在集成電路領域的應用提供重要的基礎數(shù)據(jù)指導和幫助。通過聚焦的泵浦光激發(fā)，廣場的探測光探測，實時觀測載流子的分布情況并追蹤其傳輸過...
氮化物基材料被認為是非常有前途的半導體材料用于高亮度發(fā)光二極管（ LED ）和高功率高頻器件在由于其直接帶隙和寬帶隙（ 0.7 - 6.2 eV ） 。中國科學院半導體研究所王軍喜課題組通過在GaN層中插入光子晶體提高InGaN基綠光LED的In組分的并入。光子晶體的引入增大了In組分的并入，為高性能綠光LED的設計提供了更廣泛的空...
7月17日，中國科學院國家空間科學中心在北京市懷柔科學城第一批交叉研究平臺項目——“空間科學衛(wèi)星系列及有效載荷研制測試保障平臺”支持下建設的空間輻射效應分析試驗平臺暨懷柔（50MeV）質子回旋加速器設施（HuaiRou Proton Cyclotron Facility，HRPCF）試運行出束，將能量約30MeV的質子引出傳輸至實驗大廳實驗終端處...
中國科學技術大學潘建偉、苑震生等與德國海德堡大學、奧地利因斯布魯克大學、意大利特倫托大學的研究人員合作，在超冷原子量子模擬研究中取得進展。科研人員使用超冷原子量子模擬器，對格點規(guī)范場理論中非平衡態(tài)過渡到平衡態(tài)的熱化動力學進行了模擬，首次在實驗上證實了規(guī)范對稱性約束下量子多體熱化導致的初態(tài)信息“丟...
近日， IEEE Internet of Things Journal刊載了中國科學院沈陽自動化研究所工業(yè)網(wǎng)絡團隊在5G無線數(shù)據(jù)傳輸方面的最新成果（ Mixed-criticality Industrial Data Scheduling on 5G ？ NR ） 。5G的超可靠低延時通信技術能夠實現(xiàn)毫秒級的傳輸延時和99.999%的傳輸可靠性，被認為是未來工業(yè)網(wǎng)絡的重要組成部分之一。針對這一...
垂直堆疊納米線/納米片全包圍柵（ Gate All Around , GAA ）互補場效應晶體管（ Complementary Field Effect Transistor ， CFET ） ，將不同導電溝道類型（ N-FET和P-FET ）的GAA器件在垂直方向進行高密度三維單片集成。相較于現(xiàn)有主流FinFET與水平GAA晶體管集成電路工藝， CFET突破了傳統(tǒng)N/P - FET共平面布局間距的尺...
近日，中國科學院工程熱物理研究所儲能研發(fā)中心在微納材料的熱電性能表征方法方面取得進展，為微納材料熱電參數(shù)的精確測量和一體化原位表征提供了研究思路。同時總結了現(xiàn)有微納材料熱電性能綜合測量方法的難點及發(fā)展趨勢，并提出適用于一維納米管和二維薄膜材料熱電性能原位直接一體表征方法的策略： 1 、對于傳統(tǒng)3 ω -...
近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所、中科院物理研究所研究人員合作，實現(xiàn)基于III-V族量子點確定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子學芯片。通過設計雙層波導耦合器和1 × 2多模干涉儀（ Multimode interferometer , MMI ） ，研究團隊實現(xiàn)了混合量子光子芯片中確定性單光子的高效路由，以及對確定性...
近日，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所研究員張永勝課題組在三種Pyrite型IIB-VIA2 （ ZnS2 、 CdS2和CdSe2 ）過渡金屬二硫化物的熱電性能研究方面取得新進展。？該研究論證了三種Pyrite型IIB-VIA2 （ ZnS2 、 CdS2和CdSe2 ）過渡金屬二硫化物的良好熱電性能，并分析總結了其中的物理機制和熱電趨勢，可為未...
近日，中國科學院深圳先進技術研究院生物醫(yī)學與健康工程研究所研究員楊慧團隊在細胞外泌體高效分離技術方面取得進展。相關成果以Extraction of small extracellular vesicles by label-free and biocompatible on-chip magnetic separation為題發(fā)表于Lab on a Chip ，并被遴選為封面文章進行報道。外泌體（小細胞外囊泡...
基于憶阻器的儲備池計算（ Reservoir Computing ， RC ）作為一種處理時間序列信息的輕量化網(wǎng)絡近幾年受到廣泛關注。針對上述問題，中國科學院微電子研究所研究人員首次基于三維憶阻器陣列搭建了三維深度儲備池網(wǎng)絡。相關成果以3D Reservoir Computing with High Area Efficiency ( 5.12 TOPS/mm2 ) Implemented by 3D D...
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