理論研究表明，2D-SiC具有穩定的類石墨烯蜂窩結構，是一種直接帶隙半導體材料。然而，在實驗上，二維碳化硅的生長幾十年來一直是科學家們的難題，因為塊狀碳化硅是一種強共價鍵合材料。SiC的相鄰原子通過共價sp3雜化結合在一起，這比層狀材料中的范德華鍵強得多。此外，塊狀SiC有超過250種多型體，進一步使合成過程復雜化，使得SiC前體多型的選擇極其重要。

　　Chabi帶領她的團隊首次展示了通過自上而下的方法（特別是濕剝離方法）成功地將2D SiC從塊狀SiC中分離出來。與許多其他2D材料（如硅烯）不同的是，所制備的2D SiC納米片具有環境穩定性，而且沒有退化跡象。

　　2D-SiC也表現出有趣的拉曼行為，不同于塊狀SiC。結果表明，納米片的厚度與縱向光學（LO）拉曼模的強度之間存在著很強的相關性。此外，所制備的二維碳化硅顯示出可見光發射，表明其在發光器件和集成微電子電路中的潛在應用。

　　碳化硅是一種具有高熱容量和高擊穿電壓的寬禁帶半導體材料，是大功率電子、高溫應用和量子信息處理的主導材料。例如，碳化硅被認為是后摩爾時代的理想材料解決方案。然而，所創建的2D SiC材料應在幾個方面優于大塊SiC。由于維數的降低，2D-SiC具有一系列不尋常的電子、光學和結構特性，例如直接寬帶隙特性和埃級厚度，這對于下一代半導體非常重要。研究人員認為，鑒于碳化硅技術（如碳化硅晶片）的高度成熟，將二維碳化硅轉化為實際設備的潛力是巨大的。