美國紐約州立大學理工學院（SUNY Poly）的兩名研究人員聲稱4H多型碳化硅（SiC）側(cè)向金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）具有創(chuàng)紀錄的性能。特別是柵漏間距為2.5μm的0.3μm溝道器件可實現(xiàn)7.7mΩ-cm²的比導通電阻和450V擊穿。

　　兩名研究人員設計了各種尺寸不同的MOSFET，襯底具有6μm重摻雜n+漂移層。高溫氮離子注入產(chǎn)生了n+源和溝道終止區(qū)。激活摻雜后實現(xiàn)柵極絕緣，再對柵極氧化物進行圖案化，施加層間電介質(zhì)（ILD）。然后使用鎳進行自對準硅化物晶體管的形成工藝。隨后進行900°C或1000°C的快速熱退火（RTA）。較高的溫度導致較低的接觸電阻。通過4μm的鋁沉積以及氮化物/聚酰亞胺正面鈍化來完成器件制造。

　　該設備的橫向布局由多個以源極或漏極為中心的叉指組成。以減輕外圍P+區(qū)域的電場擁擠并擴展水平耗盡層，以達到器件的指定擊穿電壓。

　　以源為中心的方法在沒有邊緣端接的情況下實現(xiàn)了100V的600V阻斷電壓。相比之下，在以漏極為中心的器件中，這種阻塞僅限于280V。與室溫（25°C）相比，高溫下器件的導通電阻降低。最低溫度為125°C，但在最高200°C的范圍內(nèi)，導通電阻仍低于室溫。R^ON從125°C起上升，sp可能是由于其他高溫電阻的控制。

　　通常，這些器件的柵漏距離為5μm。一個以源極為中心的器件，柵漏極間距較小，為2.5μm，溝道長度為0.3μm，仍然可以實現(xiàn)合理的450V擊穿電壓，最低的RON為7.7mΩ-cm²。450V對應于180V/μm的阻斷，而5μm柵漏器件（0.5μm通道）的阻斷電壓為120V/μm。