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BluGlass演示了第一個(gè)RPCVD隧道結(jié)激光二極管

稿件來源:今日半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:ICAC 發(fā)布時(shí)間:2021-08-16

   澳大利亞Silverwater的BluGlass有限公司——開發(fā)低溫、低氫遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(RPCVD)技術(shù),用于制造激光二極管等設(shè)備,下一代LED和微型LED–表示,該公司已使用其專有的RPCVD技術(shù)首次證明了隧道結(jié)激光二極管的工作原理。

  新型激光二極管原型利用BluGlass獨(dú)特的RPCVD隧道結(jié)技術(shù),多年來開發(fā)用于高功率產(chǎn)品,包括激光二極管和高亮度LED。

  BluGlass說,RPCVD隧道結(jié)激光二極管原型旨在實(shí)現(xiàn)更高功率和更高效的激光器,用于3D打印和工業(yè)焊接等商業(yè)應(yīng)用,其激光性能良好,幫助確認(rèn)RPCVD激光二極管設(shè)計(jì)的潛力,以滿足高值氮化鎵(GaN)激光二極管應(yīng)用的關(guān)鍵性能要求。

  GaN激光二極管的應(yīng)用目前受到含鎂p型層中光學(xué)和電阻損耗的限制,這導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率低(通常為40-45%,而GaN基LED中的轉(zhuǎn)換效率接近90%)。由于高電阻p型層,在操作GaN激光二極管時(shí)消耗的功率幾乎有50%以熱的形式損失,傳統(tǒng)上需要在激光二極管中創(chuàng)建電路。

  BluGlass表示,利用低溫、低氫RPCVD生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì),其新方法可以消除對(duì)這些高電阻和性能損失的p型層的需求。支持RPCVD的新型設(shè)計(jì)將p型熔覆層替換為RPCVD隧道結(jié)和第二個(gè)n型熔覆層(雙n波激光二極管),為未來顯著改善激光二極管性能鋪平了道路。

  BluGlass表示,將繼續(xù)優(yōu)化其RPCVD隧道結(jié)激光二極管的設(shè)計(jì)、外延和制造,以最大限度地提高激光性能。

  執(zhí)行主席詹姆斯·沃克認(rèn)為:“這是對(duì)我們獨(dú)特的RPCVD和隧道連接技術(shù)潛力的重要驗(yàn)證。”這一成就證明了我們的領(lǐng)先團(tuán)隊(duì)在開發(fā)一系列創(chuàng)新激光二極管產(chǎn)品方面的努力,包括這一世界上第一個(gè)雙n波激光器的演示,”他補(bǔ)充道。

  “雖然這些新型激光器在未來RPCVD增強(qiáng)型產(chǎn)品發(fā)布之前需要進(jìn)行重大開發(fā),但我們的顯著進(jìn)一步的先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)(MOCVD)激光二極管產(chǎn)品開發(fā)繼續(xù)專注于解決可靠性問題,并在向等待的客戶發(fā)布商業(yè)產(chǎn)品之前改進(jìn)我們的下游生產(chǎn)。”

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