全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模塊基于平面技術(shù)打造，適用于18-20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動電壓，易于使用負(fù)柵極電壓驅(qū)動。與溝槽 MOSFET 相比，較大的芯片可降低熱阻，可以在相同的工作溫度下降低芯片溫度。

　　NXH010P120MNF 配置為2-PACK 半橋結(jié)構(gòu)，是采用F1封裝的10 mohm器件，而 NXH006P120MNF2 是采用 F2 封裝的6 mohm 器件。這些封裝具有壓配合引腳，適用于工業(yè)應(yīng)用，并且嵌入式負(fù)溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻有助于溫度監(jiān)控。

　　作為安森美半導(dǎo)體電動汽車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，新型SiC MOSFET 模塊旨在驅(qū)動器解決方案一起使用，如NCD5700x 器件。最近推出的NCD57252雙通道隔離式 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動器提供 5 kV 電流隔離，可配置為雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋操作。

　　NCD57252采用小型 SOIC-16 寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V 和 15 V）。由于典型傳播延遲為60ns，大電流器件適用于高速操作。

　　安森美半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET與全新模塊和柵極驅(qū)動器形成互補，與類似的硅器件相比，該器件具有更優(yōu)良的開關(guān)性能和散熱性能，從而提高效率、提高功率密度、改善電磁干擾（EMI）并減小系統(tǒng)尺寸和重量。

　　最近發(fā)布的 650 V 碳化硅 MOSFET 采用新穎的有源單元設(shè)計，結(jié)合先進的薄晶圓技術(shù)，為（RDS(on)*area）提供一流的品質(zhì)因數(shù)（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC等系列器件為D2PAK7L / TO247 封裝的 MOSFET 提供市場上最低的 RDS(on)。

　　1200 V 和 900 V N 溝道 SiC MOSFET 小芯片尺寸較小，可降低器件電容和柵極電荷，當(dāng)在電動汽車充電器要求的高頻下運行時，可以降低開關(guān)損耗。