除了量產(chǎn)碳化硅（SiC）器件和各種功能豐富的硅器件外，ROHM還開發(fā)了在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件，并且ROHM在其提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù)的基礎(chǔ)上，一直致力于為各種應(yīng)用提供更廣泛的電源解決方案。

　　與硅器件相比，GaN器件具有更低的導(dǎo)通電阻值和更優(yōu)異的高速開關(guān)性能，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。然而，GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關(guān)工作期間可能會(huì)發(fā)生超過額定值的過沖電壓，所以在產(chǎn)品可靠性方面一直存在很大的問題。

　　ROHM使用獨(dú)創(chuàng)的結(jié)構(gòu)成功地將柵極-源極間額定電壓從的6V提高到8V，這將提高電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性。此外，ROHM開發(fā)出一種專用封裝，不僅可以通過低寄生電感以最大限度地提高設(shè)備性能，并且還具有出色散熱能力，便于安裝，可以輕松更換現(xiàn)有的硅器件，簡(jiǎn)化安裝過程中的操作。例如，可用于數(shù)據(jù)中心和基站的48V輸入降壓轉(zhuǎn)換器電路；基站功率放大器塊的升壓轉(zhuǎn)換器電路；D類音頻放大器；以及便攜式設(shè)備的光檢測(cè)和測(cè)距（LiDAR）驅(qū)動(dòng)電路和無線充電電路。

　　ROHM正在加快基于該技術(shù)的 GaN 器件的開發(fā)，預(yù)計(jì)于2021年9月即可開始提供產(chǎn)品樣品。