美國工程材料和光電組件制造商II-VI將收購Ascatron 和INNOViON，兩項(xiàng)交易均計(jì)劃于2020年底完成。

　　Ascatron由寬帶隙材料專家團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)，在SiC和半導(dǎo)體行業(yè)擁有200多年的經(jīng)驗(yàn)，主要生產(chǎn)SiC外延晶片和器件，用于各種高壓電力電子應(yīng)用。

　　INNOViON是世界上最大的離子注入服務(wù)提供商，在全球范圍內(nèi)擁有30個(gè)注入器，支持最大300mm晶片的半導(dǎo)體材料處理能力。該公司的工藝能夠摻雜多種半導(dǎo)體，包括碳化硅、砷化鎵、磷化銦和硅。

　　II-VI的首席執(zhí)行官Vincent D. Mattera Jr博士說：“Ascatron和INNOViON的技術(shù)平臺(tái)給II-VI提供了SiC襯底，我們將結(jié)合這些功能，以實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的內(nèi)部垂直集成的150mm SiC技術(shù)平臺(tái)之一。在我們在SiC襯底上的深厚專業(yè)知識(shí)的基礎(chǔ)上，并增加了先進(jìn)的SiC外延、器件制造和模塊設(shè)計(jì)，以滿足對SiC電力電子產(chǎn)品快速增長的需求。”

　　SiC在電動(dòng)汽車（EV）、可再生能源、微電網(wǎng)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和通信電源等領(lǐng)域有著重要的優(yōu)勢，代表了電力電子領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。與基于硅的器件相比，SiC具有更高的效率，更高的能量密度和更低的總體系統(tǒng)級擁有成本。

　　作為垂直整合戰(zhàn)略的一部分，II-VI正在利用其廣泛的工程材料和光電設(shè)備技術(shù)平臺(tái)以及其在全球的制造能力，通過開發(fā)高性能復(fù)合半導(dǎo)體來推動(dòng)規(guī)模和創(chuàng)新。