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Fraunhofer ISE直接在硅上生長(zhǎng)的III-V / Si串聯(lián)電池創(chuàng)下新的效率記錄,達(dá)到25.9%

稿件來(lái)源:今日半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:ICAC 發(fā)布時(shí)間:2020-08-20

  德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所ISE現(xiàn)已報(bào)告,直接在硅上生長(zhǎng)的III-V / Si串聯(lián)太陽(yáng)能電池的效率達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的25.9%。該電池首次在低成本的硅基板上生產(chǎn),這是串聯(lián)光伏技術(shù)經(jīng)濟(jì)解決方案發(fā)展的重要里程碑。Fraunhofer ISE的Markus Feifel最近在第47屆IEEE光伏專家會(huì)議上發(fā)表了他的研究成果。

  以往,弗勞恩霍夫(Fraunhofer)ISE的串聯(lián)太陽(yáng)能電池的效率達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的34.1%(現(xiàn)在為34.5%),該技術(shù)非常有效,但價(jià)格昂貴。因此,弗勞恩霍夫ISE多年來(lái)一直致力于更直接的制造工藝,包括III-V層直接生長(zhǎng)在硅太陽(yáng)能電池上。這需要所有層都保持高質(zhì)量的晶體,這是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。現(xiàn)在,直接在硅上生長(zhǎng)的III-V / Si串聯(lián)太陽(yáng)能電池已達(dá)到25.9%的新效率記錄。

  新串聯(lián)太陽(yáng)能電池的一個(gè)特別亮點(diǎn)是,III-V層沒(méi)有像以前的情況那樣在化學(xué)機(jī)械拋光的襯底上生長(zhǎng),而是直接在硅晶片上生長(zhǎng),鋸切后,硅晶片經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單的工藝處理,只有廉價(jià)的研磨和蝕刻工藝。丹麥的Topil公司在歐洲的SiTaSol項(xiàng)目中開(kāi)發(fā)了這種硅晶片,從而實(shí)現(xiàn)了經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)新型多結(jié)太陽(yáng)能電池的重要一步。

  將來(lái)的重點(diǎn)是進(jìn)一步提高效率,以及以更高的生產(chǎn)率實(shí)現(xiàn)更快的層沉積,從而提高生產(chǎn)的成本效益,使串聯(lián)光伏技術(shù)將能夠?yàn)楣夥夹g(shù)的發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)。

  這項(xiàng)技術(shù)可以用來(lái)發(fā)電,而且還適用于電解(即使用電將水分解為氫和氧)。因此,串聯(lián)光伏可用于生產(chǎn)氫,儲(chǔ)能介質(zhì)和能量轉(zhuǎn)換的重要組成部分。

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