最近，國(guó)際期刊《納米快報(bào)》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）報(bào)道了中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員趙建華團(tuán)隊(duì)與合作者在晶圓級(jí)高質(zhì)量InAs納米結(jié)構(gòu)維度調(diào)控方面的最新研究成果。

　　InAs是一種重要的III-V族窄禁帶半導(dǎo)體，具有電子遷移率高、有效質(zhì)量小及自旋軌道耦合強(qiáng)等特征，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及自旋電子器件的理想材料，特別是近年來(lái)一維InAs納米線在拓?fù)淞孔佑?jì)算研究方面的應(yīng)用也引起了人們的重視。而立式InAs納米片是典型的二維體系，通過(guò)厚度調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)能帶結(jié)構(gòu)從三維到二維的精確控制。二維InAs納米片優(yōu)異的物理性質(zhì)及獨(dú)特的幾何造型，使其成為研制高性能堆疊的納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的重要選擇。最近，二維InAs在拓?fù)淞孔佑?jì)算研究中的編織操作及干涉測(cè)量方面也展現(xiàn)出美好的前景。然而要實(shí)現(xiàn)InAs材料這些應(yīng)用，需要在InAs制備過(guò)程中對(duì)其形貌、晶體質(zhì)量尤其是維度進(jìn)行高度的控制，因此，尋找一種可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量InAs材料維度調(diào)控的技術(shù)是近年來(lái)科學(xué)家們追求的目標(biāo)。

　　趙建華團(tuán)隊(duì)副研究員潘東等發(fā)明了一種通過(guò)控制合金催化劑偏析實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)高質(zhì)量InAs納米結(jié)構(gòu)的維度調(diào)控技術(shù)。在分子束外延方法制備InAs納米線過(guò)程中，他們通過(guò)精確控制合金催化劑的組分，使Ag-In合金催化劑發(fā)生偏析，從而使一維InAs納米線直接轉(zhuǎn)變?yōu)槎SInAs納米片，透射電鏡分析證實(shí)催化劑偏析是引起InAs維度轉(zhuǎn)變的原因。利用這種維度調(diào)控技術(shù)，他們還分別在Si、GaAs、MgO及藍(lán)寶石等多種襯底上實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)高質(zhì)量二維InAs納米片的制備。北京大學(xué)教授徐洪起課題組將這種高質(zhì)量的InAs納米片制成了場(chǎng)效應(yīng)晶體管，低溫下場(chǎng)效應(yīng)遷移率達(dá)到7000 cm²/V.s。瑞典Lund大學(xué)教授Arkady Yartsev課題組測(cè)試發(fā)現(xiàn)這種高質(zhì)量InAs納米片具有長(zhǎng)光電導(dǎo)壽命。

　　利用催化劑偏析技術(shù)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量晶圓級(jí)InAs納米結(jié)構(gòu)的維度調(diào)控，為有效控制III-V族半導(dǎo)體的維度提供了一種全新的方法，也為研制高性能立式納米片電子器件及量子器件提供了基礎(chǔ)。

　　北京工業(yè)大學(xué)教授隋曼齡課題組在該工作中進(jìn)行了樣品球差電鏡測(cè)試，吉林大學(xué)教授張立軍課題組進(jìn)行了生長(zhǎng)機(jī)制理論計(jì)算。該項(xiàng)工作得到科技部、國(guó)家自然科學(xué)基金委、中科院和北京市自然科學(xué)基金委的經(jīng)費(fèi)支持。　

Dimension Engineering of High-Quality InAs Nanostructures on a Wafer Scale　文章鏈接 

利用催化劑偏析技術(shù)實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)高質(zhì)量InAs納米結(jié)構(gòu)的維度調(diào)控